"GAA공정"의 검색결과 입니다.

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반도체 공정 태양전지 반도체 주제 서론 tsmc 브리즈만 법 mocvd 집적회로공정 삼성전자 pt면접 finfet 시장규모

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"GAA공정" 검색결과 221-240 / 455건

K-GAAP와의 차이점을 통해 알아보는 K-IFRS의 특징

를 작성하지 않는 회사는 예전처럼 지분법으로 재무제표를 작성할 것이다.2. 자산과 부채의 공정가치 측정확대기존의 K-GAAP에서는 자산과 부채를 역사적원가로 측정하도록 규정하고 있 ... 으며 2008년부터는 재측정모형을 허용하고 있다. K-IFRS에서는 가능한 한 공정가치로 부채와 자산을 측정하도록 권장하고 있으며 그에 따라 원가모형 혹은 재평가모형으로 자산 ... 의 보유자산을 더 높게 볼 것이므로 현재기준으로 잘못된 정보를 제공받는 것이다. 이처럼 기존의 역사적원가보다는 현재의 공정가치로 자산과 부채를 측정하는 것이 회계정보이용자들에게 시

리포트 | 7페이지 | 2,000원 | 등록일 2012.07.15

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트랜지스터1

에서는 얇게 만들까 ? 위에서 보듯 정공과 전자가 결합된 만큼 컬렉터쪽으로 흐르는 전류가 줄어든다 . 전류가 줄게되면 효율이 떨어져 버리기 때문에 실제 공정에서는 베이스 폭 ... transistor 1. junction Fet : 오디오 , 아날로그 회로 2. Mos type Fet : 마이크로 컴퓨터 등 디지털 ic 3. Gaas type Fet : 마이크로 파의 증폭

리포트 | 42페이지 | 3,000원 | 등록일 2011.07.31

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멤스 MEMS

의 정 의 02. MEMS 의 역사 와 정의의 변화 03. MEMS 의 장점 04. MEMS 제조 공정 기술 05. MEMS 의 사용 과 응용 분야 06. MEMS 실용화의 단점 ... )를 디지털(digital)로 DMD]02. MEMS HistoryMEMS 의 역사[MEMS 의 다양한 공정]03. MEMS Merit초소형화MEMS 의 장점제작 공정으로 초소형화 및 ... 대량 생산 가능[MEMS 의 Good point]가장 대두되고 있는 것이 센서의 초소형화반도체 제작 공정을 이용 - 초소형화 및 대량 생산 가능- 초소형화를 시킴으로써 화학, 생물

리포트 | 22페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.10.13

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HEMT (High Electron Mobility Transistor)

경제성 측면 또한 SiGe 가 가지는 장점은 확실하다. 반도체 산업에서 Si 기반 디바이스 사용이 보편화되면서 SiGe 기반 epitaxy 공정비용은 GaAs 기반 epitaxy ... z C O N T E N T S zNoS u b j e c tPage1.용어 설명22.개발 역사23.구조 및 동작 원리3- HEMT 개발에 있어 GaAs 가 가지는 장점4- 도핑 ... 구조인데, 미무라씨가 개발한 갈륨 비소(GaAs)와 알루미늄 갈륨 비소(AlGaAs)의 조합이 현재도 주류로 되어 있다.● 알루미늄 갈륨 비소 박막에 주입한 불순물로부터 전자

리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2008.04.04

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CABIE-dry etching

/단점 질문하세요.Contents노광 공정을 통해 형성된 감광제 모형(pattern)들을 마스크로 하고, 마스크 아래에 있는 부분과 외부로 노출된 부분들 사이에 화학 반응이 전혀 다르 ... 게 함으로써 마스크로 보호되지 않는 부분들이 공정이 진행됨에 따라 떨어져 나가게 하는 것. 식각 공정에 의하여 확산이나 이온 주입되어질 영역이 결정되어지고 도선들의 연결 작업 ... 이 이루어진다. 식각 공정은 식각 형태와 식각 방법에 따라 다음과 같이 분류된다.식각(Etching) 이란?식각의 종류식각 형태에 따른 분류 등방성 식각 (Isotropic

리포트 | 18페이지 | 2,000원 | 등록일 2010.12.04

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[공학]에피택셜 성장 epitaxial growth 에피택시

epitaxy; VPE) - 분자선 에피택시(molecular beam epitaxy; MBE)Epitaxy-부가설명이러한 성장방법들에 의해 Si과 GaAs를 포함하는 광범위한 반도체 박막 ... 결정들이 키워지고 있다. 특히 화합물 반도체를 이용한 전자 및 광전자 소자의 구현에 있어 에피택시 공정은 필수적인 공정이라 하겠다. Cf) 에피택시 공정 중 MBE법은 초고진공 ... 최초로 구현된 후, 주로 Si, GaAs, AlGaAs, GaP 에피택시에 널리 이용액상 에피택시(LPE) -예GaAs의 용융점은 1238`C이나 금속 Ga와 GaAs의 혼합물

리포트 | 20페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.07.20

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Solar cell, 태양전지에 대해서

하게 된다2. 태양전지의 종류(1) 무기물 태양전지실리콘 계열 태양전지와 CdTe, GaAs, CIGS와 같은 반도체 태양전지가 이에 속한다. n형 반도체 물질고 p형 반도체 물질 ... , 마지막으로 빛의 반사를 최대한 막기위해 방지막을 형성한다. 단결정 실리콘 태양전지 제조공정은 복잡하고, 제조 온도가 높아 대량의 전력이 소모되므로 비용이 비싸다는 문제점이 있 ... 효율 20.1%, 면적 46.9㎠ 단결정 실리콘 태양전지 개발(2000년 12월)로 국내에서는 현재 삼성 SDI가 태양전지 제조에 관한 기술력을 확보하고 있다. 향후 공정을 단순

리포트 | 9페이지 | 2,000원 | 등록일 2010.10.05

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LED의 구조와 기본 원리, LED산업의 전망

, 2008 ; 정재열, 2008).LED의 구조출처 : 황성민, LED 기술 개요 및 시장동향, 『전자부품 연구원』, 2008.일반적으로 LED 제조공정은 반도체 공정과 유사하게 진행 ... -GaN), p형 반도체(p-GaN)를 MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition ; 유기금속화학 증착법) 방법을 통해 증착 공정을 거친다. 이 ... 공정을 Epitaxy라고 하는데, LED의 휘도를 결정하는 핵심공정이다.LED의 제조공정출처 : 한철종, LED 고효율 고신뢰성 기술, 전자부품연구원, 2008.세 번째 단계

리포트 | 15페이지 | 2,000원 | 등록일 2011.01.23

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이산화탄소 저감기술

℃이드(GaAs)이며, 실리콘이 가장 많이 활용되고 있다. 그러나 최근에는 카드뮴 텔러라이드(CdTe)와 카파인디움디이셀레나이드(CuInSe2 ; CIS) 반도체들이 활용 ... 결정423.310015～18다결정417.810012～14비정질111.51,0005～8GaAs0.2525.7417CdTe110.9--CuInSe23.514.1--GaAs/GaSb0 ... 을 중심으로 경제성 향상을 위하여 국가적인 차원에서 반응조건의 완화와 품질개선을 위한 연구가 중점적으로 수행되고 있다.대표적인 석탄액화공정으로는 미국의 경우 촉매이단공정인 CTSL

리포트 | 15페이지 | 2,500원 | 등록일 2009.04.30 | 수정일 2020.06.19

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발광다이오드 내용과 국내외 기술 동향 및 시장 분석

??????????????????????????????????????????13 ∼ 1610.도핑 기술??????????????????????????????????????????1611.LED의 제작공정 ... .p-n 접합부에서의 발광 관측을 시작으로 GaAs, GaP, ZnSe 등의결정성장기술, 주입발광현상에 관한 수많은 연구발표? 1968년 GaAsP 적색 LED lamp의 발매 ... 계 적색 LED? GaAs1-xPx의 성분비 x를 바꿈으로써 적외선(x=0)부터 녹색(x=1)까지 발광? GaAsP는 기판결정상에 VPE법으로 n형 GaAsP를 성장하고 Zn의 확산

리포트 | 23페이지 | 3,000원 | 등록일 2009.05.22

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화합물반도체

( 원소 반도체 ) 화합물 반도체 (Compound)~ III-V : GaAs, InP, GaN, AlAs II-VI : 12 Mg 13 Al 14 Si 15 P 16 S 30 ... 의 재료 및 특성 4 2 개 이상의 원소가 화학적 결합에 의해 구성하는 반도체 Ⅲ− Ⅴ 화합물 반도체⇒ GaAs, InP, InAs, GaSb 등 Ⅱ−Ⅳ 화합물 반도체⇒ Cds, ZnS ... .45 GaAs ZB 1235 5.31 12.5 1.4 8500 300 4.025 InP ZB 1070 4.79 14 1.27 5300 650 3.45 Ⅱ−Ⅳ ZnO W 1800 5

리포트 | 21페이지 | 2,000원 | 등록일 2008.06.23

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태양전지 이슈 - 대한민국 차세대 태양전지로써의 박막형 태양전지의 성장성

을 달성할 수 있으나 고가이고, 다결정 재료는 상대적으로 저급한 재료를 저렴한 공정으로 처리하여 상용화가 가능한 정도의 효율의 전지를 낮은 비용으로 생산하려는 의도로 사용된다.단 ... 으며 실험실에서는 17%를 상회하는 효율이 재현성 있게 기록되고 있다. CIS층은 진공증착 또는 금속막을 증착한 후 selenization공정을 거치는 2단계 방법 등으로 만들어진다 ... -xGaxSe2) 물성 및 전지효율에 대한 영향을 조사하는 것이다.④ GaAs 태양전지태양전지 재료 중에서 가장 높은 효율을 달성하였고 현재 우주용으로 상용화에 성공하여 흑자를 기록

리포트 | 8페이지 | 1,500원 | 등록일 2008.12.13

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반도체패키징 플립칩 기술에 대하여

Chip 기술 - Flip Chip 기술의 정의 - Flip Chip 기술의 장 , 단점 - Flip Chip 공정 Process - Flip Chip Bonding ... . 저잡음 , 전력 / 접지회로 구현 , 관련재료 , 공정등은 패키징 구조 와 긴밀한 연관을 가짐 (2) 신호 연결 : 반도체 소자간의 신호연결 기능 . 신호 전달속도 , 연결 ... 의 뒷면을 효율적인 냉각을 위해 사용 할 수 있다 . - 저비용 : 일괄 범핑공정 , 범핑 비용 감소 , 언더필 공정의 비용 감소 Flip Chip AdvantageFlip Chip

리포트 | 21페이지 | 3,500원 | 등록일 2011.05.11 | 수정일 2018.05.28

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LED산업분석 및 향후전망

LED산업분석 및 전망-목차-Ⅰ. 서론Ⅱ. LED의 정의(1)LED와 OLED 비교(2)LED조명의 종류와 제조공정Ⅲ. LED의 장단점(1)장점- 에너지 절약, 長수명, 이산화 ... 적인 화합물로는 갈륨 아세나이드(GaAs), 갈륨 아세나이드 포스파이드(GaAsP), 갈륨 포스파이드(GaP), 갈륨 나이트라이드(GaN) 등이 있다. 화합물의 종류가 LED의 색상 ... LCD와 달리 바로 옆에서 보아도 화질이 변하지 않으며 화면에 잔상이 남지 않는다. 또한 소형 화면에서는 LCD 이상의 화질과 단순한 제조공정으로 인하여 유리한 가격 경쟁력을 갖

리포트 | 14페이지 | 2,000원 | 등록일 2011.06.26 | 수정일 2015.12.17

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태양전지제조공정

태양전지 제조공정전계 (BSF) 및 전극 형성 모듈 (MODULE) 제조 공정 반사방지막 (ARC) 형성 TEXTURING Cell 제조 공정 태양전지 구분 OUTLINE화합물 ... 계 기 타 실리콘 계 단결정 Si (c-Si) 다결정 Si (mc-Si) 비정질형 Ⅲ-Ⅴ 형 GaAs , InP Ⅱ-Ⅴ 형 CdS / CdTe , CIS 유기물 염료 감응형 광화학 ... 반응형 태양전지 종류 단결정 다결정 비 정질◎발전효율 우수 ◎제조공정 간단 ◎ 제조온도 낮음 ◎ 다양한 형상 가능 ◎저가 ◎발전효율 매우 우수 ◎ 제조공정 복잡 ◎ 제조온도 높

리포트 | 27페이지 | 2,000원 | 등록일 2009.11.25

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태양전지 설계

전력과 입사광 에너지 Pin 사이의 비율이다.(3) 설계1) 어떠한 재료를 사용하면 고효율의 태양전지를 얻을수 있을까?Assumption 1) GaAs 재료를 사용하여 태양에너지 ... 전지를 만든다면?태양전지 재료 중에서 가장 높은 효율을 달성하였고 현재 우주용으로 상용화에 성공하여 흑자를 기록하고 있는 재료이다. GaAs는 최적의 밴 드갭(1.45eV) 및 높 ... 단일 접합으로 28.7% (200 sun concentrator) 이 기록이며 GaAs/GaSb 중첩전지로는 34.2% (100 sun concentrator) 가 기록이다. 단점

리포트 | 4페이지 | 3,000원 | 등록일 2009.05.17

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Ohmic contact & Passivation(오믹접합, 패시베이션) - 대본

저항이 낮고 공정재연성이 우수.1. Sequence① 웨이퍼의 표면을 가열② AuGe가 녹으면서 alloy 가 시작.(Ge 이 GaAs 로 확산)1) 확산도는 니켈 또는 표면 ... 을 없앤다.2. Alloy를 하는 이유- n+영역을 만든다.(게르마늄은 아래로 갈륨은 위로 디퓨젼, 더 적은 As evolve)- GaAs의 표면에서는 As를 잃는 현상이 발생 ... 이 그것보다 작은 것은 alloy 시키는 것, 게르마늄의 밴드갭은 0.67, GaAs 1.43eV이므로 가능하다.- 도핑농도가 낮은 상황에서도 오믹을 만들 수가 있어서 비용의 절감(오

리포트 | 3페이지 | 1,500원 | 등록일 2008.04.03 | 수정일 2017.02.17

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단결정 성장 메커니즘과 성장방법에 대한 연구,조사

에 의해 격자내에 존재하던 불순물은 점점 위로 쏠리는 현상이 발생한다. 공정을 반복할수록 쏠림현상은 두드러지게 되어 ingot의 상부 일부분에만 불순물이 편석되어 나머지 부분은 고순도 ... 으며 격자내 결함이 많다. 또한 여러번의 공정을 거쳐야 하므로 비용상의 문제점도 있으므로 CG보다는 선호되지 않는 방법이다.3.5 증착을 이용한 기체상(Vapor phase ... 기 등의 설계가 매우 중요하다.그리고 MBE공정에서는 기판 표면의 처리 역시 중요한 부분이다. 사용되는 기판은 일반적으로 탄소화합물이나 산화합물 성분의 불순물 층으로 덮여 있

리포트 | 11페이지 | 3,000원 | 등록일 2008.09.27

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epitaxy 공정

과 GaAs를 포함하는 광범위한 반도체 박막 결정들이 키워지고 있다. 특히 화합물 반도체를 이용한 전자 및 광전자 소자의 구현에 있어 에피택시 공정은 필수적인 공정이라 하겠다.다음 ... 조건VD법에 비하여 다음의 장점들이 있다.(1) 저온 공정(2) 도핑의 정교한 조절로 복잡한 도핑 프로 파일 가능(3) 경계 층의 이동에 의한 반응 기체 흐름의 복잡성이 없다.(4 ... 에, 도핑시킬 물질로는 Ga(P-type)이나 Sb(n-type) 등을 사용한다. Fig 6은 온도에 따른 도핑 물질들의 플럭스를 보여주고 있다.3. 갈륨 비소 에피택시 (GaAs

리포트 | 12페이지 | 2,000원 | 등록일 2008.06.21

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반도체 레이저 다이오드

: Si, Ge, S, Te, Se, Cl, Br- 억셉터로 사용되는 원소 : Zn, Cd, Ge, N2. 기판 재료반도체레이저 기판으로는 GaAs, InP, GaSb등의 화합물 ... 고려해야할 기본적인 품질로 매우 중요하며, 사양 등에도 엄격하게 규정되어 있다.- 첨가물 활성화율: 격자 사이에 들어간 첨가물 원자는, 그 다음 공정에서 이동하기 쉬우므로 활성 ... 층으로, 에너지 갭이 작은 재료를 선택한다.예) InGaAsP(활성층)/p형 InP(클래드층)/p형 InGaAsP(캡층)/p 전극과 같은 구성.(2)간략공정 및 소자구조1.간략공정

리포트 | 6페이지 | 1,500원 | 등록일 2008.10.19

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