"GAA공정"의 검색결과 입니다.

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"GAA공정" 검색결과 181-200 / 454건

광학적 특성과 초전도 재료

한 에너지띠 갭을 가지는 GaAs 와 같은 반도체 복합물로 만들어진 pn 접합이다 . 강력한 순방향 바이어스 에 의한 반전분포로 일어난다 . 수많은 전자 - 정공 쌍이 만들어지고 이들 대 ... 부분은 광자를 복사하기 위해 재결합 한다 . 효율의 개선을 위해서는 이중이상 접합 레이저로 달성된다 . 현재 GaAs 다이오드 레이저의 가장 흔한 사용은 콤팩트 디스크 이다 . p ... 와 n 층은 넓은 띠 갭을 가지고 있고 , 낮은 굴절지수를 가지고 있으며 , 활성 p- GaAs 층 사이에 전자와 홀을 가두어 둔다 .광섬유광섬유란 ? 중심부에는 굴절률이 높

리포트 | 56페이지 | 1,000원 | 등록일 2012.02.15

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MOSFET/Capacitor/반도체 신소재실험보고서

1. 실험 목적- 기본적인 반도체 공정 방법을 습득하고 이를 바탕으로, 실리콘 기반의 간단한 capacitor 구조를 제작하여 동작원리를 이해하고 capacitance ... 공정있는 형태가 된다.* Silicon wafer- silicon은 원자 번호 14번으로 최외각 4개의 전자가 있는 4가의 원소이다. 한 개의 silicon 원자는 주변 네 개 ... 도부분이 식각되는 것을 negative resist라고 한다.* Etching- 반도체 제작공정에서 Photoresist에 피복되어 있지 않은 산화막을 제거하는 공정이

리포트 | 23페이지 | 2,500원 | 등록일 2013.12.03 | 수정일 2013.12.05

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발광다이오드, LED

목차발광다이오드 개념 3LED 원리 4LED 제조공정 5LED 종류 6응용분야 9향후개발방향 11느낀점 12Reference√ LED, 즉 발광다이오드(Light Emitting ... 로는 갈륨 아세나이드(GaAs), 갈륨 아세나이드 포스파이드(GaAsP), 갈륨 포스파이드(GaP), 갈륨 나이트라이드(GaN) 등이 있다.화합물의 종류가 LED의 색상도 결정 ... 3색 형광체를 사용하는 방식이다. 현재 상용화된 백색 LED는 대부분 청색 LED에 황색 형광체를 씌우는 방식으로 만들어진다.√ LED의 제조공정 및 각 단계별 기술그림 5

리포트 | 11페이지 | 2,000원 | 등록일 2009.12.18

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LED 표준화 사례 조사

요약 1-1 LED 란 ? LED(Light Emiting Diode) 는 화합물 반도체 ( 예 : GaP , GaAs ) 의 pn 접합 다이오드에 순방향 전류가 흐를 때 빛 ... 을 첨가하여 사용한다 . 최근에는 13 족과 15 족의 화합물반도체라 하여 갈륨질소 ( GaN ), 갈륨비소 ( GaAs ), 인듐인 ( InP ) 등이 있는데 순방향으로 전압을 가하 ... - 패키장 , water bonding 등 크리의 대표기술 - SIC 에피 , chip shaping 등 오스람의 대표기술 - 웨이퍼 본딩 , 패키장 소재공정 등2. 주체대상 및

리포트 | 21페이지 | 1,500원 | 등록일 2012.05.01

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반도체기술동향, 반도체, 최신기술동향, 물리전자, 반도체공학

, BiCMOS/BCD, SOI 기술과 GaAS, SiGe 공정기술 등이 다양한 어플리케이션의 요구에 부응하여 계속 발전하고 있다. 또한 기존의 SiO2를 대신하여 구리 및 저유전율 재료 ... 효율 등과 같은 장점을 갖는다. 그러나 GaAs를 실리콘 기반의 SiGe이나 SOI 기술에 비교한다면 이러한 장점들 중 많은 것은 줄게 된다. 뿐만 아니라 GaAs는 공정상에 어려움 ... 을 가지고 있어 재료 및 생산 비 용이 더 높다. 긍정적인 면에서는 GaAs 디바이스는 마스크 공정 수 면에서 생산 비용의 이점을 가지기도 한다. 실리콘 공정은 종종 GaAs 공정

리포트 | 14페이지 | 3,000원 | 등록일 2009.01.05

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epitaxy

에 성장시킬 수 있는데 이러한 기술을 기상 에피택시라 한다. VPE법은 전자 소자나 광전자 소자의 제조에 있어 반도체 박막 결정을 형성시키는 매우 중요한 공정기술이다.특히 GaAs ... 이 같은 물질로 구성ex) 실리콘 기판 위에 실리콘 에피층을 성장시킴2) Hetero epitaxy (이종 에피택시)기판과 에피층이 다른 물질로 구성ex) GaAs 기판 위 ... 를 들어 GaAs의 용융점은 1238℃ 이나 금속 Ga와 GaAs의 혼합물은(이 혼합물의 조성비에 따르지만) 상당히 낮은 용융점을 갖는다. 따라서 GaAs 시드 결정을 그것 자체

리포트 | 9페이지 | 1,000원 | 등록일 2008.10.09

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HEMT의 정의와 기술 동향 모든것[High Electron Mobility Transistor, 통신용 초고속 반도체 소자]

하기 위한 에어 브리지 공정, 노출된 소자 채널을 보호하기 위한 Si3N4 적층 공정 등의 순으로 적용된다.< MMIC 증폭기 >InGaAs/InAlAs/GaAs ... device의 비교⑶ Devices of HEMT1) 통신용 초고속 반도체 소자 - GaAs 집적회로와 HEMT2) 고저로 도핑한 오믹층을 갖는 전력 PHEMT소자3 ... -HEMT, InP 기반의 HEMT, Metamorphic-HEMT등을 비롯한 다양한 부분에서 연구가 이루어지고 있다.? Pseudomorphic-HEMT: GaAs상의 InGaAs 채

리포트 | 17페이지 | 2,500원 | 등록일 2009.02.17

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화합물 반도체(Compound Semiconductor)

시키는 매우 중요한 공정기술이다.특히 GaAs를 포함하는 일부 화합물 반도체는 다른 방법보다는 VPE법을 사용하여 보다 순수하고 결정구조가 완전하게 성장시킬 수 있다. VPE법은 또한 ... 은 원래의 구성 원소 어느 것과도 다르다. 화합물 반도체의 대다수는 직접 천이형으로서 천이 확률이 크기 때 문에 발광 효율이 큰 것이 많다. 대표적인 재료로서 갈륨비소(GaAs ... 화합물 반도체⇒GaAs, InP, InAs, GaSb등Ⅱ?Ⅳ화합물 반도체⇒Cds, ZnS, CdSe, ZnSe등기타 화합물 반도체⇒SiC, SnO2, PbS등또 2원 화합물

리포트 | 11페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.06.29

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나노 태양전지의 종류와 발전방향

계 ☞ GaAs, InP, GaAlAs 등 II-VI족 화합물계 ☞ CuInSe2,CdS, CdTe등(3) 적층형 태양전지 - 화합물 / VI 족 계열 : GaAs/Ge, GaAlAs/Si ... , InP/Si 등 -지상용 태양전지 - 결정형 : 단결정, 다결정 실리콘 태양전지, GaAs/Si 등 - 박막형 : 비정질 실리콘 CdS, CdTe, CuInSe2 등 - 집광 ... 형 : GaAs 계열, 적층형 등(2) 위성용 태양전지 - IV족 : 단결정 실리콘, Ge(저온용) - GaAs 계열 : GaAs, InP 등 - 적층형 : GaAs/Ge, GaInP

리포트 | 26페이지 | 1,500원 | 등록일 2008.08.01

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LED 제조 공정

을 나타내며, 나머지의 재결합은 열로 변환한다.LED 제조 공정■ 화합물 반도체란두 종류 이상의 원소화합물로 이루어진 반도체 질화갈륨(GaN), 갈륨비소(GaAs), 인듐인(InP ... LED 제조 공정LED 제조 공정LED 제조 공정■ LED란??LED란? : Light Emitting Diode의 약자로 전기에너지나 전기 신호를 빛에너지나 광 신호로 변환 ... 하는 화합물 반도체로 이루어진 발광소자를 말한다. 주로 전자제품의 디스플레이, 휴대폰, 자동차, 신호등의 발광소자로 널리 쓰임.LED 제조 공정■ LED 동작 원리LED는 P형으로된

리포트 | 46페이지 | 5,000원 | 등록일 2009.06.08

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태양광 발전 및 사례

로 설치하는 경우의 모듈의 그림자가 다른 모듈에 걸치지 않게 설치한다 . 기기의 발판하중이 크기 때문에 설치장소의 구조 강도 마무리공정 등을 확인 검토 ... USE _BIPV 대규모 태양광 발전시설CASE STUDY _BIPV 호텔 옥상개수에 적용USE _ 플렉시블 태양전지 구조와 장점 구조 태양 전지층은 PN 접합을 가지는 GaAs

리포트 | 27페이지 | 2,000원 | 등록일 2013.06.02

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LTCC 새로운 조성에 대한 동향 조사 레포트 입니다.

Module)다층 세라믹 기판으로 사용되어 왔다.또한 Si, SiGe, GaAs 등의 반도체 소자와 열 팽창 계수가 유사하다는 장점을 이용하여, 다층 세라믹 기판 상에 반도체 ... Bare Die를 바로 실장하는 WLP(Wafer Level Package)용 패키지 기판으로 사용되어 왔다.최근에는 자동차용 전장 부품의 WLP와 SMD 공정을 위한 정밀 Top

리포트 | 5페이지 | 1,500원 | 등록일 2013.01.03

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태양전지

으로 보다 저급의 실리콘을 이용하는 방법, 대량생산 및 공정 개선에 의한 방법 등이 시도 또는 계획되고 있다. 단결정 실리콘을 사용한 전지는 집광장치 를 사용하지 않은 경우의 기록 ... 결정 실리콘은 벌크 상태의 원재료로부터 태양전지를 만들기 때문에 원재료비가 비싸고, 공정 자체가 복잡하여 가격의 절감측면에서는 한계가 있을 수 밖에 없다.이와 같은 문제점을 해결 ... 하기 위한 방안으로 기판의 두께를 혁신적으로 줄이는 기술, 또는 유리와 같이 값싼 기판위에 박막형태의 태양전지를 증착시키는 기술이 주목을 받고 있다. 기존의 박막 제조공정을 이용

리포트 | 12페이지 | 2,000원 | 등록일 2009.12.18

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LED의 개념 및 특징

, Ge)전자소자DRAM,SRAM,ASIC,Microprocessor,Flash,DSP수광소자PD, Solar Cell화합물반도체(GaAs,InP,GaN)발광소자(반도체광원)LED ... 라이트 부문의 3단계 제조공정은 반도체광원 공정, 패키지/모듈공정, 시스템 및 응용공정이며좀 더 넓게 나누면 LED 제조부문과 백라이트 부문(BLU) 제조공정의 2단계공정으로 구분 ... 된다.1) 반도체 광원공정: 기판 단결정 제조공정, 에피웨이퍼 제작공정, 칩 제조공정, 패키지공정, 모듈조립공정 이다.2) 패키지/모듈공정: 웨이퍼에서 생산된 LED 칩을 이용하여 고

리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.08.06

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실생활에 쓰이는 신재생에너지

냉방 , 산업공정열 등에 활용하고 있다 .2. 실생활에 쓰이는 태양광에너지 부산기장군에 위치한 태양열에너지전등 간장공장2. 실생활에 쓰이는 태양광에너지 태양광 발전 은 태양전지 ... ), 반도체화합물 ( GaAs 계 ), 색소증감형 ( 염료감응 ), 폴리머 기반의 유기박막 등 다양한 유 ? 무기 태양전지가 있다 . 실리콘 태양전지와 무기박막태양전지는 이미 실생활

리포트 | 20페이지 | 1,000원 | 등록일 2012.12.02

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LED 개요

LED 정의 및 구동원리 LED 역사 LED 종류 LED 적용분야 LED 제조 Flow LED 제조 공정별 생산업체 LED 장,단점 LED vs 타 광원 LED 특성 백색 LED ... 의 소재가 되는 물질인 비소화갈륨(GaAs), 인화갈륨(GaP), 갈륨비소인(GaAsp) 의 화합물 조성비를 조절함으로써 다양한 색상의 빛을 구현 할 수 있다.Ⅱ. LED 역사LED ... , 살균 등의 용도로 사용됩니다.Ⅳ. LED 적용분야LED 적용Ⅴ. LED 제조 FlowLED 제조Ⅵ. LED 제조 공정별 생산업체LED 제조공정명공정 내용생산업체기판

리포트 | 24페이지 | 1,500원 | 등록일 2010.08.17

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발광다이오드 LED 원리 역사 기술동향

)개발과 전개2)LED의 시대별 도입 배경3)LED 의 개요 및 구조4)LED 발광원리 및 발광 물질5)LED 제조공정6)LED의 종류와 특징7)각광 받고있는 LED의 종류 및 ... 外領域)에 존재할 것, ② 발광효율이 높을 것, ③ p-n접합의 제작이 가능할 것 등의 조건을 만족시키는 것으로서 주로 비소화갈륨 GaAs, 인화갈륨 GaP, 갈륨-비소-인 ... GaAs1-x Px, 갈륨-알루미늄-비소 Ga1-xAlxAs, 인화인듐 InP, 인듐-갈륨-인 ln1-xGaxP 등 3 B 및 5 B족인 2원소 또는 3원소 화합물 반도체가 사용되고 있

리포트 | 32페이지 | 2,500원 | 등록일 2010.08.26

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LED 산업육성을 위한 구체적인 방안

와 특징5. LED의 제고공정6. LED의 장점 및 단점Ⅲ. LED의 국내산업현황 및 응용분야Ⅳ. LED 산업육성을 위한 추진과제Ⅴ. LED 산업육성을 위한 구체적인 방안Ⅵ. 마치 ... 7005655552-40.3-0.40.1-0.20.4-0.81.95-2.600.68-1.36GaAs0.6P0.4GaAs0.35P0.65:NGaAs0.25P0.75:NGaAs0.15P0.85 ... 하기 위해서는 직접천이 형 반도체의 사용이 필수적으로 Ⅲ-Ⅴ족, Ⅱ-Ⅵ족 화합물 반도체가 이에 해당한다.적색 LED의 경우에는 GaAs와 AlAs의 혼합 결정인 GaAlAs

리포트 | 20페이지 | 2,000원 | 등록일 2010.08.05

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나노튜브

을 증착한 후 selenization공정을 거치는 2단계 방법 등으 로 만들어진다. CIS의 밴드갭이 작은 편이므로 다른 종류의 전지보다 Jsc가 크고 Voc가 낮다. 최근의 경향 ... 은 Voc를 증가 시키기 위하여 Ga등의 원소를 합금시켜(e.g. CuIn1-xGaxSe2) 물성 및 전지효율에 대한 영향을 조사하는 것이다.* GaAs 태양전지태양전지 재료 중 ... 에서 가장 높은 효율을 달성하였고 현재 우주용으로 상용화에 성공하여 흑자를 기록하고 있는 재료이다. GaAs는 최적의 밴 드갭(1.45eV) 및 높은 광 흡수계수와 가장 높은 이론 효율

리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.12.05

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LED 개요 및 제조 공정

LED 제조 공정 및 기술Introduction LED 개요 및 이론 LED Epi 성장 기술 LED 소자공정 기술 LED PKG 기술Introduction반도체 산업 영역 분야 ... III IV V화합물 반도체 산업 분야LED 제조 Process기판 (웨이퍼) Sapphire, GaN, SiC, Si, GaAs에피웨이퍼 (In,Al)GaN (청, 녹, UV ... 공정(fabrication)RGB-UV LEDGaN/sapphireGaN/SiC광학기구, 시스템제어기LED Chip 제조PKGSYSTEMLED HistoryLED일반 조명

리포트 | 29페이지 | 5,000원 | 등록일 2008.07.24 | 수정일 2016.11.16

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