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"박막공정" 검색결과 1,081-1,100 / 3,367건

  • MEMS 기술과 나노기술을 이용한 마이크로(유비쿼터스)
    을 말한다. 멤스로 만든 미세 기계는 마이크로미터(100만분의 1 미터) 이하의 정밀도를 갖는다.구조적으로는 증착과 식각 등의 과정을 반복하는 반도체 미세공정기술을 적용해 저렴한 비용 ... 하는데 유용하다.MEMS기술을 이용한 제조공정Surface Micromachining실리콘 기판 위에 구조층과 희생층을 증착하고 식각 공정을 통하여 미세 구조물을 형성함희생층과 구조 ... 층을 기판 위에 형성시킨 후 희생층을 식각하여 구조층만 남게하는 방법중요 인자 : 박막의 강도와 가공 후 잔류응력과 박막 사이의 접착력, 박막의 평탄도등Bulk
    리포트 | 17페이지 | 2,000원 | 등록일 2013.12.06
  • 박막 태양광기술에 대해서 전문적인 자료입니다
    에 진공증착 시켜 CIGS 박막을 제작하는 기술 장점 : 제작공정 간단 단점 : 진공장치 내부의 오염 제작비용 저렴 양질의 박막제장 용이치 않음 대면적화가 어려움 ... 란?MOCVD란?Metal Organic Chemical Vapor Deposition 기본적으로는 CVD 공정이며, CVD에 의한 박막 성장 시 Precursor로써 MO-s ... 박막 후에 수행된다. Selenization 공정은 비교적 장치가 간단하고 손쉽게 금속 또는 절연체를 증착할수 있어 연구용 뿐만 아니라 생산용으로 폭넓게 활용되는기술이다.입사각
    리포트 | 17페이지 | 1,500원 | 등록일 2012.08.26
  • 염료감응형 태양전지
    하는 결정질 실리콘 태양전지보다 원료비 비중이 훨씬 낮고 생산시설을 자동화할 수 있어 대량생산이 가능하며 생산원가가 저렴하다는 장점이 있다. 이렇게 박막형 태양전지는 모듈 생산 공정 ... 나. 박막형 태양전지41) 비정질 실리콘 태양전지42) 미세결정질(마이크로결정질) 실리콘 박막형 태양전지53) CIGS박막형 태양전지(Copper indium gallium s ... elenide)54) Cd-Te 박막형 태양전지(Cadmium Telluride)55) 나노 태양전지56) 유기 태양전지6다. 염료감응형 태양전지(DSSC)63. 왜 3세대 태양전지
    리포트 | 18페이지 | 2,500원 | 등록일 2013.05.27
  • 박막 성장 원리 및 성장 장비 설명 (CVD, MOCVD, APCVD, LPCVD, PCVD, PECVD, ALD)
    . Conclusion PECVD 공정 변수 Ⅰ. Introduction - 박막 특성 분석의 의의 Ⅱ. Subject Ⅲ. Conclusion -CVD 란 ? -MOCVD ... . Conclusion 1. 박막 특성의 정의 . 2. Chemical Vapor Deposition(CVD) 3. MOCVD(Metal Organic ChemicalVapor ... Deposition) A 8. ALD(Atomic Layer Deposition) 2박막증착이 왜 필요한가 ? The observation that the number of
    리포트 | 58페이지 | 20,000원 | 등록일 2013.04.22 | 수정일 2025.02.10
  • LED의 종류, 장단점 및 응용분야
    ………………………………………………………… p.75. LED용 단결정 기판기술(1) 에피택셜 성장법 …………………………………………………………………… p.8(2) 현재 LED기판 공정개발 사례 ... LED는 재료의 물성 특성상 에피성장기술이 핵심이다. 특히 알루미늄 첨가에 따른 양자효율 저하와 소자 내부의 광 흡수 손실을 줄이기 위한 고난도의 박막성장법으로 세계적으로도 아직 기술 ... 했다.5. LED용 단결정 기판기술(1) 에피택셜 성장법에피택셜 성장이란 기판에 올라가는 원자층을 단결정으로 올리는 방법으로 단순히 이 단계에서 끝나면 단결정 박막 성장이라고 하지
    리포트 | 10페이지 | 1,500원 | 등록일 2014.01.15 | 수정일 2014.04.11
  • 인하대 기계공학종합설계 논문
    한 동판, 고밀도 집적 회로의 제조 공정에서 박막이나 반도체의 일부 또는 전부를 필요에 따라 제거하는 방법이다. 그리고 마스크 상의 집적 회로의 패턴을 반도체상에 전사하는 데 있 ... 에 적용할 수 없다. ECM은 이를 보완한 가공 방식으로서 전기 분해하는 동안 양극 용해방식에 의해 재료를 제거하는 공정이고 펄스 미세전해가공(Electro Chemical Micro ... Machining)은 ECM과동일한 원리를 이용한 가공법으로 펄스 전압을 적용한 공정이다. 인바 소재의 효과적인 미세홀 가공 효과를 확인하기 위하여 펄스전해가공을 적용하여 가공
    논문 | 46페이지 | 5,000원 | 등록일 2021.06.13
  • AMOLED 디스플레이의 봉지소재 및 공정
    AMOLED 디스플레이의 봉지소재 및 공정- PMOLED와 AMOLEDPassive-matrix OLED는 양극과 음극이 가로와 세로로 교차하는 교점에서 빛을 내는 방식이 ... 한다. 트랜지스터는 박막의 형태로 붙어 있어 TFT라고 부르는데 한 픽셀에 2~3개의 TFT가 붙어 있는 경우도 있으며 이를 이용해 발광휘도를 조절할 수 있다. 그리고 발광에 필요한 전류 ... OLED와 고분자OLED로 구분된다.저분자OLED는 재료의 특성을 파악하기 쉽고 합성하기가 용이하다. 그러나 저분자물질로 박막을 만들기 위해서는 진공에서 shadow mask
    리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2013.06.24 | 수정일 2014.02.18
  • ITO Scribing & Cleaning 예비레포트
    이 우수한 양극전극으로서의 ITO 특성이 충분히 고려되어야 한다. 유기EL 소자제작공정은 기본적으로 박막이 도포 되는 영역에 기준 하여 진행이 되므로 Plastic 기판 상에서도 적용 ... 한다.?원하는 모양으로 자른 ITO glass의 오염된 표면을 세정하여 소자의 성능 및 수율을 향상시킨다.3. 실험이론 및 배경Pattern 공정을 하기 위해서는 주변의 청정도가 매우 ... 중요한데, 아래 그림에서 보는 것과 같이 Clean room 에서 빛에 노출되지 않는 환경을 구비한 후 공정을 시작하여야 한다.? Cleaning & Wet-Station
    리포트 | 8페이지 | 1,000원 | 등록일 2016.07.15
  • MOCVD
    으로써 고체 상태의 결정을 성장시킴* MOCVD란* 화학증착 화학식 (CH3)3Ga + NH3 GaN + 3(CH4) for GaN- 온 도 : 1050℃ ┗ 박막의 crack이 발생 ... 하지 않도록 1000℃이상의 고온 - 압 력 : 200 torr ┗ 원료가스의 공급량을 높여 균일성이 좋은 박막 증착을 가능하게 하기 위해 저압에서 성장 - 유 량 : Ga - 4 ... 성과 회절 정도를 알아보기 위함2) 측정조건 - 주사방법 : 2θ-θ - 시료 : 박막(thin film) - 각도범위(2θ) : 20~40˚ - 주사속도 : 4˚/minBragg's
    리포트 | 24페이지 | 2,000원 | 등록일 2014.07.02 | 수정일 2023.03.30
  • 반도체공정실험 예비보고서(Wafer Cleaning & Oxidation)
    )의 이동을 막는데 사용되는 물질로 고품질의 SiO{} _{2} 박막을 성장시키는 산화 기술은 반도체 공정에서 매우 중요하다. 산화막을 성장시키는 기술엔 wet oxidation(습식 ... 반도체공정실험 3조1. Typical cleaning procedure(습식 세정 공정)1.1. RCA 세정오늘날까지 광범위하게 사용되는 실리콘 웨이퍼 세정방법에는 RCA 세정법 ... 한다. RCA 세정공정엔 암모니아인 염기성을 주로 사용하는 SC-1과 염산인 산성용액을 사용하는 SC-2 세정방법으로 나눌 수 있다. RCA 세정 공정 중 SC-1(Standard Clean
    리포트 | 4페이지 | 5,000원 | 등록일 2014.09.23 | 수정일 2021.04.11
  • 식품가공학실험-사과주스 제조
    품질에 좋지 않은 영향을 주게 되므로 주스를 엷은 막의 진공관 속으로 흘러내리게 해서 탈기하는 박막식 탈기방법 또는 주스를 진공관에 분무하여 탈기하는 분무식 탈기방법을 사용해 탈기 ... 에는 무균공정에 따라 순간살균한 과일주스를 미리 살균한 용기에 담아 밀봉하게 되어있는 무균적인 연속식 방법을 쓰고 있다.본 실험의 목적은 주스를 제조하는 과정을 달리하여 사과주스를 제조
    리포트 | 3페이지 | 1,500원 | 등록일 2018.04.19 | 수정일 2018.10.20
  • CIGS 나노 파티클
    구성원소의 원자비를 쉽게 조절할 수 있다는 장점이 있다. 또한 사용효율이 높아 소량의 source로도 박막 제작이 가능해 공정 단가 절감에 큰 효과가 기대된다정전기 스프레이 ... 1. 태양전지를 만들기 위해서는? 필수요건 고효율(노하우와 생산기술) 저비용의 대면적 고가의 PVD 공정을 사용 제조단가가 높다 사용재료의 20~50% 손실 비 진공 코팅방법 ... 에 의한 CIGS 광 흡수층 제조 기술 사용 전착(Electro-deposition)법 입자형 전구체를 사용하는 방법 -나노크기의 CIGS입자의 특성으로 높은 밀도의 박막을 얻을 수
    리포트 | 21페이지 | 5,000원 | 등록일 2012.12.24 | 수정일 2013.11.17
  • 디스플레이시스템실험 LCD vs OLED 실험보고서
    도 장치에는 능동형을 사용한다. 대표적으로 TFT(Thin-Film Transistor, 박막트랜지스터)가 있다.최근에 널리 쓰는 박막트랜지스터(TFT) 액정디스플레이는 박막트랜 ... 지스보아도 화질이 변하지 않으며 화면에 잔상이 남지 않는다. 또한 소형 화면에서는 LCD 이상의 화질과 단순한 제조공정으로 인하여 유리한 가격 경쟁력을 갖는다.휴대전화나 카오디오 ... ° 범위에서는 정상적인 밝기로 화면을 볼 수 있다는 의미이다.WOLED차세대 디스플레이 기술로 각광을 받고 있는 OLED 는 경량, 박형의 단순한 구조와 공정 그리고 경제성이 우수
    리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2014.02.04
  • 반도체 재료적&전기적 성질에 대한 리포트입니다(재료공학과제)
    며, 현재 중요한 원료공급처가 되어 있다.융점 : 936°C비등점 : 2830°C밀도 : 5.32g/cm³비열 : 0.074cal/g/°C조산화게르마늄을 만들때까지 공정은 함 ... 용으로 연구되고 있다. 이러한 화합물반도체용 이외에도 저항체박막용 Target재료, Si-Sb 등 원적외선용 광도전체, Sb2O3 촬상관 타겟비젼, Al ? Sb 등의 방사선 검출소자
    리포트 | 34페이지 | 3,000원 | 등록일 2019.05.29 | 수정일 2020.11.02
  • 판매자 표지 자료 표지
    합성섬유 제조 공정(원사 제직 염색 후가공 검사)
    합성섬유 제조 공정 ( 원사 제직 염색 후가공 검사 ) 출장 업무 보고서 12 소 속 성 명 출장목적 출 장 지 / 기간 경위 目次 ( 합성섬유 제조 공정 ) 가 ) 원사 a ... ) 원료 , 원사 (1) 나일론 , 폴리에스테르 비교 (2) 방사 밝기 SPARK-SD-FD (3) 원사 제조 공정과정 b) 사가공 ( 카바링 ) (1) 공정과정 (2) 일반커버링 ... , INT 커버링 비교 나 ) 제직 a) 제직준비 b) 정경 , 가호 비교 c) 제직기 다 ) 염색 a) 염색 가공공정 b) CPB, BOIL OFF 비교 c) 원단 별 염색공정
    리포트 | 16페이지 | 9,500원 | 등록일 2016.05.22 | 수정일 2017.02.01
  • CVD
    MOCVD(Metal Organic CVD)기본적으로 CVD공정으로써 CVD에 의한 박막 성장 시 전구체로써 MO-source를 중심으로 Hydride나 반응물들을 사용하여 박막 ... 고, 유기물의 탈착이 용이하기 때문에 원하는 재료의 박막 생성이 비교적 수월하다.※ Hydride(수소화물)II-VI, III-V 화합물 반도체 성장 시 Metal-Organics ... 공급 시스템을 개발하여야 한다.MOCVD 공정변수화학적 안정, 온도, 증기압, 증착률, 순도, 휘발성MOCVD의 용도MOCVD는 보통 반도체, 고체기판(wafer)위에 source
    리포트 | 7페이지 | 3,000원 | 등록일 2012.12.24 | 수정일 2013.11.17
  • KLA-Tencor CS 엔지니어 합격자소서, 면접 기출 총망라 (합격 보장)
    성과 수율을 판단할 수 있는 검사이므로 장비에서 문제가 발생했을 시, 반도체 품질에 대한 기준이 모호해지기 때문에, 어떤 공정에 못지않게 중요하다고 생각합니다. 특히 미세집적도가 높아지 ... 물 반도체를 DC Sputter 장비를 이용해 각기 다른 공정 조건에서 증착하고 이에대한 특성을 평가하는 프로젝트를 진행했습니다. 저는 팀리더의 역할을 맡아 팀원들의 의견을 수렴 ... 한 IGZO박막의 특성에 관한 설계 프로젝트를 발표에 목표한 성적을 받았습니다.Q. 스트레스 푸는 방법?- 저는 탁구를 즐겨 치는데, 주로 가족과 탁구를 한 시간 정도 치면서 땀
    자기소개서 | 22페이지 | 8,000원 | 등록일 2019.07.09
  • 진공 증착기를 이용한 Ohmic Contact 형성용 Metal 박막 증착 결보
    응시켜고 생성물을 모재표면에 증착시키는 방법이다. 화학증착은 현재 상업적으로 이용되는 박막제조기술로 가장 많이 활용되고 있으며 특히 IC등의 생산공정에서는 매우 중요한 단위공정이 ... 4. 진공 증착기를 이용한 Ohmic Contact 형성용 Metal 박막 증착1. Thermal evaporator의 장, 단점을 조사하고, 보완점에 대해 설명하시오.1) 저항 ... 열을 이용한 evaporation- 장점 : 편하고 빨리 증착이 가능하다.- 단점 : 시간 조절을 정확히 하기 어렵다.불순물 제어가 힘들다.박막이 약하다.2) Electron
    리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2013.05.09
  • 판매자 표지 자료 표지
    TFT(Thin Film Transister) 실험레포트
    SCCM, 기압은5*10 ^{-3}Torr로 맞추어 주었다4) Photolithography공정에 대해 이해한다.특정 기판 위에 형성된 박막을 빛을 이용하여 마스크의 형상대로 식각 ... 에 대해서 이해한다.4) Photolithography공정에 대해서 이해한다.5) 완성된 TFT 소자의 측정을 실시한다.1) TFT 소자의 구조TFT 소자는 크게 Gate, 절연막 ... 다. Gate는 공정을 할 경우에 Sputter 공정을 많이 사용하며 재료로 열안정성이 높으며 저항이 작은 금속을 사용한다.절연막은 Gate에 가해진 전압이 직접적으로 Drain
    리포트 | 4페이지 | 2,000원 | 등록일 2015.06.19 | 수정일 2017.10.16
  • 건강기능식품 기능성 원료 인정을 위한 방법과 제출자료 작성법 ppt
    시이 두 개의 섞이지 않는 용액 또는 액상과 고체 사이에 다른 분배(unequal distribution)가 일어남원재료에서부터 단위공정별 제조방법 설명..PAGE:50추출조건 ... 의 최적화원재료에서부터 단위공정별 제조방법 설명..PAGE:51농축공정원재료로부터 추출한 용액은 농도가 낮아(대략 3~7 brix) 장기적인 보관이나 건조작업을 수행하기 위해 고형분 ... 를 높이지 않고 증발속도를 증가시키기 위해 감압하에 표면적을 최대화하는 것이 중요농축기의 종류: Batch-type 농축기, 박막하강형 농축기, 강제순환형 농축기, 원심박막식 농축기원
    리포트 | 58페이지 | 3,200원 | 등록일 2015.04.26
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2025년 08월 26일 화요일
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