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전자회로 족보 실험 02_정류회로 반도체 용어집 발광 다이오드 전자회로설계실습 학사편입 모듈형 요약 mosfet 특성 충북대 전전설3
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"전자회로2" 검색결과 381-400 / 27,885건

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    전자회로실험(MOSFET 기본특성2 예비보고서)
    들을 서로 비교하게 된다.2.실험결과2) NMOSFET- V_{ DC}(=V_{ GS}) 전압을 증가시켜 +5.0V가 되도록 한다. 즉시 DMM의 저항값을 읽는다. 유의할 것 ... 은 시간이 지남에 따라 저항 값이 변화함으로 측정자가 일정한 시간 간격(예를 들어 전압 공급 후 1초 또는 2초에 측정)을 정하여 저항 값을 읽는다. +5V의 경우 CD4007은 대량 ... }의 약 2배 정도 될 때까지 전압을 감소시켜 이 전압을 기록한다. 특히 V_{ GS} 값이 문턱전압에 가까워지면 저항 값이 급격히 증가함으로 작은 전압에서는 몇 개의 데이터만 측정
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    | 리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2016.11.02
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    서강대학교 고급전자회로실험 - 실험 2. 전력 증폭기 결과 보고서
    고급전자회로 실험 결과 보고서실험 2. 전력증폭기분반학번이름조학번이름시작종료실험시작/종료시간 기재(통계 목적임)예비보고서는 아래 양식에서 ‘1. 실험결과’에 시뮬레이션 결과 ... 를 입력하여 제출한다.결과보고서는 예비 보고서에 측정결과 및 분석을 추가하고, ‘2. 고찰사항’을 작성하여 제출한다.1. 실험결과1. 실험회로 1a) 실험회로 1의 DC 바이어스 전압 ... atu 차이점과 그 원인을 기술실험회로 1.2와 1.3의 차이는 Load cap과 저항 추가 유무이다. 실험 1.3의 경우는 실제 회로와 같은 조건을 위해 DC coupling을 위한
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    | 리포트 | 13페이지 | 1,000원 | 등록일 2020.04.20 | 수정일 2020.04.24
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    [기초전자회로실험2] "MOORE & MEALY MACHINE - FPGA" 예비보고서
    1Preliminary report Electronic Engineering기초전자회로실험MOORE & MEALY MACHINE - FPGA자료는 실제 실험을 바탕으로 작성 ... 되었으며,보고서 평가 A+기초전자회로실험 과목 A+받은 자료입니다.본 문서는 나눔글꼴 기준으로 되어있습니다. (네이버 나눔글꼴)1. 실험제목① MOORE & MEALY MACHINE ... 한 상태와 변수로 구성된 계산 모델이다. 컴퓨터 프로그램과 전자 논리 회로를 설계하는 데에 쓰이는 수학적 모델이다. 간단히 상태 기계라고 부르기도 한다. 기계는 한 번에 오로지 하나
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    | 리포트 | 7페이지 | 1,500원 | 등록일 2019.03.27 | 수정일 2019.03.29
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    [기초전자회로실험2] "Asynchronous Counter / Design of Synchronous Counters" 결과보고서
    1Result report Electronic Engineering기초전자회로실험Asynchronous Counter / Design of Synchronous Counters ... 자료는 실제 실험을 바탕으로 작성되었으며,보고서 평가 A+기초전자회로실험1 과목 A+받은 자료입니다.본 문서는 나눔글꼴 기준으로 되어있습니다. (네이버 나눔글꼴)1. 실험제목 ... ① Asynchronous Counter② Design of Synchronous Counters2. 실험결과 및 사진6-mod Gray code synchronous counter구성
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    | 리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2019.03.25 | 수정일 2019.04.01
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    전자회로설계실습 실습2(Op Amp의 특성측정 방법 및 Integrator 설계) 결과보고서
    처럼 회로를 구성한 뒤, R2를 100㏀, 1㏁ 으로 번갈아가며 출력의 파형을 측정했다.Gain = 100, Vo = 5.12㎷Gain = 1000, Vo = 40.6㎷Gain ... 다.- 4.2(B) RF의 값이 작을 때, 적당할 때, 클 때에 따라서 회로를 구성한 뒤 파형을 측정했다. pspice로 예상한 파형과 조금 큰 차이가 있어서 아쉬운 실험이 ... 설계실습 2. Op Amp의 특성측정 방법 및 Integrator 설계요약 :- 4.1(A) 약 80㎷ 가 측정되었다.(B) Gain = 100, Vo = 5.12
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    | 리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2020.09.07 | 수정일 2020.09.15
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    전자회로설계실습 실습2(Op Amp의 특성측정 방법 및 Integrator 설계) 예비보고서
    설계실습 2. Op Amp의 특성측정 방법 및 Integrator 설계1. 목적 : Op Amp의 offset 전압과 slew rate를 측정하는 회로, 적분기를 설계, 구현 ... 유한한 크기의 open loop gain을 고려하여 이득을 구하기 위한 수식을 제출한다.위의 회로도에서G= {v _{O}} over {v _{I}} = {- {R _{2 ... _{2}} over {R _{1}} 이므로,G APPROX - {R _{2}} over {R _{1}} 이다.(C) Op Amp의 두 입력 단자를 접지하고 위의 두 회로의 출력전압
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    | 리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2020.09.07 | 수정일 2020.09.15
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  • 판매자 표지 자료 표지
    기초전자회로실험2 9-태브냉의 정리 예비
    ,저항(200Ω 2개, 100Ω, 270Ω , 330Ω, 470Ω 각 1개)실험 기초 이론테브난의 정리복잡한 회로에서 전압이나 전류를 구하려면 여러 개의 회로 방정식을 만들고 이를 푸 ... 에서 Rl에 걸린 전압 Vl을 측정한다.2.Rl을 흐르는 전류를 측정한다.3.테브난 정리를 사용하여 회로를 만들고 구성한다.4.Rl에 걸린 전압을 측정한다.5.Rl을 흐르는 전류 ... < 09.태브냉의 정리예비보고서>실험 주제테브난의 등가회로를 구하는 과정을 연습한다.테브난의 정리를 실험으로 확인한다.실험 장비직류전원 공급 장치, 디지털 멀티미터,브레드보드
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    | 리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2017.06.29 | 수정일 2017.07.01
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  • 판매자 표지 자료 표지
    기초전자회로실험2 1 오실로스코프파형발생기 예비
    를 설정한다4)화면에 5V, 1KHz의 펄스 신호가 표시되는지 확인한다.기본 측정법1)프로브를 입력단 CH1 에 연결한다2)프로브의 반대쪽을 측정할 회로와 연결한다3)자동 설정 버튼 ... 에서 점검 신호를 이용하여 기기와 프로브를 점검한다1)프로브를 입력단 CH 1에 연결한다2)프로브 반대쪽을 Probe Comp 에 연결한다3)자동 설정 버튼으로 최적의 측정 상태 ... -전원을 켜면 10KHz, 2Vpp의 정현파 출력 모드로 자동 설정된다-기기 초기화, -1의 Shift 버튼을 누른 다음에 숫자키 8 을 누르면 장비가 초기화된다. 동 작이 멈추
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    | 리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2017.06.29
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    전자회로 설계 및 실험2, 15. 차동 증폭기 결과보고서
    전자회로 설계 및 실험2 결과 보고서 작성자: 학번: 실험조: 실험일: 실험제목 차동 증폭기 실험목표 1. 단일 입력에서 차동 증폭기의 출력 파형을 관찰하고, 입력 파형에 대한 ... 출력 파형의 위상을 알아본다. 2. 위상이 반대인 두 입력 신호(차동 모드)가 가해질 때, 차동 증폭기의 출력 파형을 관찰하고, 입력에 대한 출력의 위상을 알아본다. 3. 위상 ... 증폭기의 구조이다. 입력 회로는 대칭적이며, 두 개의 트랜지스터 과 이 같은 특성을 가지는 것은 물론, 드레인 저항 , 의 저항값 역시 같다. 이 때 출력 전압은 두 개
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    | 리포트 | 11페이지 | 1,000원 | 등록일 2018.09.19
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    전자회로 설계 및 실험2, 20. 선형 증폭기 결과보고서
    전자회로 설계 및 실험2 결과 보고서작성자:학번:실험조:실험일:실험제목아날로그 집적 회로: 선형 증폭기실험목표1. IC 제작 기술을 익힌다.2. IC 중전력 음성 주파수 증폭기 ... 함과 동시에 점근법을 기준으로 근사한 것이기에 실제의 수치와는 어느정도 차이를 보이는 것이다.참조: Fundamentals of Microelectronics, 2nd Ed, Razavi. Ch 11, 12.전자회로 설계 및 실험2 KECE304전기전자공학부 ... 가 전자회로에 배우는 Bode’s plot은 매우 기초적인 것이기 때문이다. 실제로 제어공학 분야에서는 Bode’s plot을 얻을 때 전압이득의 전달함수를 5가지의 기본인자
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    | 리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2018.09.19
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  • 자료 표지
    전자회로실험(MOSFET 기본 특성 2 예비보고서)
    들을 서로 비교하게 된다.2.예비실험1) 아래 과 같은 회로에서, DMM을 사용하여 그레인-소오스 저항 Ron을 게이트-소오스의 전압 V _{DS}의 함수로 측정한다. 그 결과 ... 는 과 같다.V _{DS}(V)R _{ON} (Ω)1.5INF2.03,1802.57103.23304.5180이로부터 이 MOSFET의 문턱전압 V _{TH}와mu _{n} C _{ox ... } {W} over {L`}값을 구한다.3.실험 순서1) 와 같은 회로를 구성한다. 이때 DVM(Digital Voltmeter)은 저항 측정 모드로 설정하여 'On' 저항을 직접
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    | 리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2016.11.02
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    [기초전자회로실험2] "Asynchronous Counter / Design of Synchronous Counters" 예비보고서
    1Preliminary report Electronic Engineering기초전자회로실험Asynchronous Counter / Design of Synchronous ... Counters자료는 실제 실험을 바탕으로 작성되었으며,보고서 평가 A+기초전자회로실험1 과목 A+받은 자료입니다.본 문서는 나눔글꼴 기준으로 되어있습니다. (네이버 나눔글꼴)1. 실험 ... J-K Flip-Flop4. 관련이론Counter란?2개 이상의 플립플롭으로 구성되어, 매 입력 펄스 마다, 미리 정해진 순서대로, 상태가 변하는, 순서논리회로 또는 레지스터이
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    | 리포트 | 7페이지 | 1,500원 | 등록일 2019.03.25 | 수정일 2019.03.29
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    [기초전자회로실험2] "MOORE & MEALY MACHINE - FPGA" 예비보고서
    1Result report Electronic Engineering기초전자회로실험MOORE & MEALY MACHINE - FPGA자료는 실제 실험을 바탕으로 작성되었으며,보고서 ... 평가 A+기초전자회로실험 과목 A+받은 자료입니다.본 문서는 나눔글꼴 기준으로 되어있습니다. (네이버 나눔글꼴)1. 실험제목① MOORE & MEALY MACHINE
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    | 리포트 | 5페이지 | 1,500원 | 등록일 2019.03.27 | 수정일 2019.03.29
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  • 자료 표지
    전자회로2(조중렬) 프로젝트1
    Project1. cascode1. 문제 조건Vcc = 50Vidc = 5mAAC input = 1uV 의 조건을 가진 cacode단을 설계한다.2. 문제 해결figure 1 ... . cascode circuitfigure 2. output signal+Vpeak=17.445V-Vpeak=17.439VVpp=0.006Vfigure 3. Input sign ... uV로 정해졌다. 트랜지스터 2개를 캐스코드단 형태로 배열했다. 아래쪽 트랜지스터(Q2)로 bias를 0.7V를 입력하고, Q1은 bias를 설정하였다. Q1의값을 200을 맞추
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    | 리포트 | 3페이지 | 3,000원 | 등록일 2013.03.31
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    [전기회로설계실습-설계실습 4 Thvenin 등가회로의 설계] 중앙대학교 전자전기공학부 2-2 A+ 예비보고서
    이고 옴의 법칙을 적용하여R _{L}에 걸리는 전압은 0.32V이다.3.2(a)V _{Th}와R _{Th}를 이론적으로 구하고 Thevenin 등가회로를 설계하여 회로도를 제출하라 ... 어 회로를 정리하여 구하면 다음과 같다.R _{Th}= {470 TIMES390} over {470+390} + {3.3 TIMES1.2 TIMES10 ^{6}} over {(3.3+1 ... 설계실습 4. Thevenin등가회로 설계설계실습계획서 (그림은 교재의 그림 1 참고)3.1 브리지회로에서R _{L}에 걸리는 전압과R _{L}에 흐르는 전류는 얼마인가?전압원
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    | 리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2020.07.12
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  • 자료 표지
    [기초전자회로실험1] 디지털공학 실험 논리게이트 1.2 결과 자료
    1000.0010V1114.9847V[표 5-1]입력출력출력전압측정치ABX0000.0010V0115.0104V1014.9895V1115.0091V[표 4-2]입력출력출력전압측정치 ... 측정치AX000.0002V115.0180V[표 5-2]입력출력출력전압측정치ABX0000.0020V0114.9895V1015.0070V1100.0071V[표 4-1 회로][표 4-2
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    | 리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2019.03.24 | 수정일 2019.04.01
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  • 자료 표지
    실험3 2주차 예비보고서(반파 정류회로) - 전자회로 실험 및 설계
    전자 회로 실험 및 설계예비 보고서-2(반파정류회로)1. 실험 목적반파정류회로란 다이오드 등의 정류 소자를 사용하여 교류의 ＋ 또는 -의 반 사이클만 전류를 흘려서 부하에 직류 ... 를 흘리도록 한 회로이다. 이번 실험은 이러한 반파정류회로의 특성을 조사한다.2. 실험 이론1. 다이오드 반파 정류회로그림 4-1과 같은 반파 정류회로에서 트랜스 1차측 전압 ... / Vdc) X 100 = (16.36V / 13.5V) X 100 = 121%2. C입력형 필터 회로그림 4-4와 같이 부하와 병렬로 커패시터를 연결하면 리플 함유율을 줄일 수
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    | 리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2017.12.20
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  • 자료 표지
    MOSFET 실험 결과 보고서, 기회실2 보고서, 전자회로실험, 기초회로실험2 결과보고서
    Lab. 7 MOSFETs1. 서론MOSFET은 게이트가 산화 실리콘(SiO2)층에 의해 채널과 격리된 점이 JFET과 다르다. 공핍형과 증가형의 두 종류가 있으나 이번 실험 ... 형 MOSFET과는 달리 인위적으로 물리적인 채널을 만들지 않는다는 것이 서로 다르다. 아래 그림에서 n채널 E-NOSFET의 기본구조를 나타내었다. 여기에서 기판이 SiO2층 ... 까지 완전히 확장되어 채널이 만들어져 있지 않음에 주목하라.n채널 증가형 MOSFET에서 라는 임계전압값 이상의 양의 게이트 전압이 인가되면 SiO2층에 인접한 기판영역에 얇은 음전하
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    | 리포트 | 3페이지 | 1,500원 | 등록일 2018.03.15
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  • 자료 표지
    제너 다이오드를 이용한 정전압 회로-보고서2(한기대 전자회로실습)
    실험 결과 보고서2- 제너 다이오드를 이용한 정전압 회로담당교수조현찬 교수님학 번이 름제 출 일2012. 9. 21◆ 기본 회로◆ 동작 원리◇ 제너다이오드→ 제너 다이오드는 역 ... .Izm : 제너 전류의 최대 값이고, 제너 다이오드의 견딜 수 있는 최대 전류이다.Izk : 시험 전류라고 불리는 제너 전류 값으로 데이터 시트에 명시되어있다.· 기본 회로에서 공급 ... 는 제너 전류가 소자의 안정 동작 영역을 넘지 않는 범위에서 가능하나 일반적으로 제너전류의 1/2~ 1/3정도가 한계이다.◆ 소자 선정◇ 사양의 결정 : 공급전압 VS, 출력전압
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    | 리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2016.11.20
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  • 자료 표지
    아주대학교 전자회로2 설계1
    이 전류는M _{2}에 흐르는 전류C _{2}라고 생각 할 수 있다. 그 이유는 베이스 전류는 0으로 생각하기 때문에 콜렉터 전류= 이미터 전류 라고 생각 해도 되기 때문이다. 이 ... 때C _{2}=i _{out}이므로C _{1}=C _{2}=i _{out}로 생각 할수 있다.C _{1}은g _{m} v _{BE}로 여기서v _{BE} =v _{i.n}이기 때문 ... } =r _{o2} r _{o1} g _{m2} �菹�r _{o3} r _{o4} g _{m3}이다.A _{V} ` CONG -g _{m1} (`g _{m2} r _{o1} r
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    | 리포트 | 5페이지 | 8,000원 | 등록일 2014.11.30 | 수정일 2016.11.18
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2025년 11월 23일 일요일
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