"GAA공정"의 검색결과 입니다.

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"GAA공정" 검색결과 321-340 / 456건

여러가지 박막의 응용

를 마스킹이나 접촉기술 등을 혼합해서 적당한 방법으로 보통 반도체 공정기술을 이용해서 만든다. 저항체는 적당한 불순물을 특정지역에 도핑해서 생산되고, 절연층은m 이산화규소로 만들 ... 금속이 50nm에서 약 5m까지의 두께를 갖는 몇 개의 층으로 구성되어 있다. 이 경우 소자의 매우 높은 밀도가 박막 공정의 앞선 기술방법으로만 할 수 있게 된다. 모든 소자 ... 이 이 목적을 위해 필요하다 주로 GaAs가 사용된다.초전도체 박막의 응용크라이오트론(cryotron)이라는 초전도성 스위칭 소자는 매우 적은 크기와 에너지로 높은 동작속도로 동작

리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2008.01.24

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세라믹의 개요

된 Si₃N₄, SiC,YSZ 등의 재료◇ 전자재료.반도체 재료- Si, GaAs,InP,ZnS,ZnSe, 등과 같은 반도체적 특성을 가진 재료.유전체 재료- 세라믹 재료가 가지는 매우 높 ... 공 정1. 제조공정의 소개원료의 조합 및 분쇄 : 정제된 고순도의 원료를 사용하여 화학적으로 합성하는데혼합된 재료를 볼밀에 투입한다.2) 조립 : 분말을분무하여 순간적으로 열풍 ... 하여야한다.우수한 금형의 선택이 성형공정의 중요요소가 되고 안정된 Green Boby 상태를 얻어낼 수가 있다.4 ) 1차 공정 - Green 가공【개 요】분말성형체를 소결하기 전

리포트 | 12페이지 | 2,000원 | 등록일 2009.07.29

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풀테스트

다.(1) 전력 공급반도체 패키징은 반도체 소자에 필요한 전력을 공급해야 한다. 그러므로 이에 따른 저잡음 전력/접지회로 구현, 관련 재료, 공정 등은 패키징 구조와 긴밀한 연관을 갖 ... ?BGA 패키지 기술보다 더 나은 패키지 밀도?Known good die(KGD) 기술 대안 - 플립칩과 달리 test와 burn-in 가능?기존 IC 패키징 공정기술과 재료 사용 가능 ... Attach(DCA) 기술, CSP, MCM 기술의 필요성이 점점 커지고 있다.플립칩 기술의 장점은 다음과 같다. 최소한의 크기와 무게, 공정과 시스템 가격의 감소, 전기적 성능

리포트 | 22페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.04.21

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강화재와 노치가 실리콘 웨이퍼의 강도와 인성에 미치는 영향

제조공정이 과장되게 고려된 듯하나 기판 재료로서의 중요성에 그 정당성을 찾을 수 있다.반도체 칩의 가장 기본이 되는 웨이퍼는 크게 실리콘(Si)과 갈륨비소(GaAs)로 나눌 수 ... 이용되고 있는 반도체 재료들은 반도체 칩 제조에 가장 근간이 되는 웨이퍼 제조공정, 칩 제조공정 및 후 조립공정 등에 따라 크게 세 가지로 분류될 수 있다.[3] 이 중에서 웨이퍼 ... 을 이루고 있으며, 현재 12인치 웨이퍼도 출현했고, 동시에 1G급 반도체 시대로 접어들었다.Fig 1. Silicon Wafer Fig 2. GaAs Wafer실리콘 웨이퍼

리포트 | 24페이지 | 3,000원 | 등록일 2008.02.19

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금속유기화학증착법(MOCVD)

을 기판위에 성장시키는 에피탁시 방법으로 1968년 GaAs 박막 성장을 시작으로 발전되어 많은 반도체의 성장에 응용되고 있다. 특히 1982년 MOCVD를 이용하여 제조한 수십 ... 나노크기의 저차원 물질에서 일반 벌크구조와는 다른 독특한 특성이 발견된 이래, MOCVD법은 3차원 에피탁시 공정 이외에도 다양한 저차원 나노구조체의 합성에도 응용되고 있

리포트 | 8페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.06.29

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광소자

, Sb-K-Cs(바이알칼리)면, GaAs(Cs)면, 적외선용 Ag-O-Cs면, 자외선용 Cs-Te 또는 Cs-I면 등이 있다.이것은 직선성 응답속도가 매우 좋고 암전류도 적 ... 파장 혼합 공정에 의한 위상 맞음(Phase Matching)과 광매개공진기(Optical Parametric Oscillator, OPO) 등이 있으며 그 중 선형 전기광학 효과와 제2차 고조파 발생을 이용해 만든 광소자를 상세히 소개한다.[1]

리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2008.10.13

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전자회로 프로젝트 CMOS CS Amplifier 설계 프로젝트 (Pspice 실험, 출력 모두 수록)

이론 정리제 목 : CMOS Cascode Amp 설계1. 설계 절차1) 설계회로 선택공정 선택공정ParameterNMOSPMOS993.83.8500180190680.7-0.83 ... ) Bias 해석▣0.5um 공정 선택1. L = 0.6u , w =n x L = 1~100 ⇒n=10- M1의 W값을 'PARAMETERS'로 사용하여 Device값의 변화에 따른 ... 회로 소자의 집적 회로 외에 아날로그 스위치/전자 볼륨에도 응용된다. 극초단파이상에서는 실리콘보다 캐리어의 이동도가 갈륨 비소 (GaAs)와 같은 화합물 반도체를 이용한 FET

리포트 | 14페이지 | 5,000원 | 등록일 2009.06.19

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[에너지공학] 대체 에너지로 기대되는 에너지원

물 소각장치 상용화(고려소각로)- 폐프라스틱 열분해 상업화 공정시험중(LG화학)- 폐타이어 오일화(한국에너지기술연구원)- 도시폐기물 고형연료화 장치개발(기계연, 고려자동차)- 일본 ... ) 로서는 10% 이상의 고효율을 기록하고 있다.*화합물 반도체 태양전지 ( compound semiconductor solar cell )III-V족 화합물계 : GaAs, InP ... , GaAlAs, GaInAs 등II-VI족 화합물계 : CuInSe2, CdS, CdTe, ZnS등*적층형 (tandem) 태양전지화합물/VI 족 계열 : GaAs/Ge

리포트 | 45페이지 | 1,500원 | 등록일 2008.10.30

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Epitaxial Growth

에피택시)1. Epitaxial Growth1.2 분류기판과 에피층이 다른 물질로 구성Ex) GaAs 기판 위에서 AlGaAs 3원소 합금의 에피층을 성장시킴Hetero epitaxy ... 의 생산공정에 있어서는 매우 중요한 단위 공정Chemical Vaper Deposition2. 성장방법2.1 CVD2.2 LPE2.3 MBE장단점융점이 높아서 제조하기 어려운 재료 ... 를 융점보다 낮은 온도에서 용이하게 제조할 수 있음증착되는 박막의 순도가 높음대량생산이 가능하고 비용이 적게 듬여러가지 종류의 원소 및 화합물의 증착이 가능공정조건의 제어범위가 매우

리포트 | 30페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.10.20

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태양광전지

와 CdTe, GaAs, CIGS와같은 반도체 태양전지가 이에 속한다. n형 반도체 물질과 p형 반도체 물질을 접합하여 태양전지를 제조하며, n형 반도체는 전자(electron ... 한 것이다. 값싼 공정으로 우수한 특성의 박막을 얻을 수 있지만 CdS의 단점은 우선 Cd물질 자체가 독성인 점과 또한 여타 단위 박막과는 달리 습식 화학공정을 이용하는 점이 ... 다. 그 대안으로 물리적 박막공정으로 제조 가능한 InxSey 을 사용하기도 한다.•광흡수층 : 초기에 사용한 삼원화합물인 CuInSe2는 에너지밴드갭이 1.04 eV로 단락전류는 높

리포트 | 6페이지 | 1,500원 | 등록일 2009.06.21

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[전자공학]LED에 대하여

을 이용 해 빛의 강도를 높임. -GaAs,InGaAs주로쓰임 광통신용 광원, CD/DVD RW용 광원,바코드 판독용 광원,Laser Pointer 등에 이용LED 제조공정결정성장 ... LED에 대하여..오청원 신유철목차1.LED정의 및 동작원리 2.LED의 재료공정 3.LED 관련소재 4.LED소재의 응용 분야 5.LED 시장동향 6.LED의 미래LED의 정의 ... 형간접 천이형에너지에너지전도띠전도띠가전자띠가전자띠빛빛-전자와 정공의 결합시 발생하는 에너지 주로 빛 -발광효율이 높음 -GaAs,GaAlAs,InGaAsP,GaN등-전자와 정공

리포트 | 19페이지 | 1,500원 | 등록일 2005.01.23

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반도체와 반도체공정

반도체 공정목 차반도체란? 반도체의 제조 공정 반도체의 제조 라인 반도체의 제품들반도체란?원래는 거의 전기가 통하지 않지만 빛이나 열, 또는 불순물을 가해주면 전기가 통하고 또한 ... 는 반도체로 트랜지스터. 전기신호 처리 저장(메모리 반도체),계산(논리 반도체) 제어(프로세서 반도체)반도체 제조 공정1.단결정 형성 2.규소봉 절단 3.웨이퍼 표면 연마 4 ... .회로설계 5.MASK제작 6.산화공정 7.감광액 도포 8.노광 9.현상 10.식각11.이농주입 12.화학기상증착 13.금속 배선 14.웨이퍼 자동선별 15.웨이퍼 절단 16.웨이퍼

리포트 | 46페이지 | 4,000원 | 등록일 2008.06.04

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나노기술동향

. 공정 : 나노미터 크기로 원하는 모양 형성 3. 소자 : 나노미터 크기에서 발현하는 특이한 효과(양자효과) 응용소자 구현탄소나노튜브 (소재)분자배열 (공정)MRAM (소자)나노 ... 표게)현재 반도체 공정과 동일(작은 대상을 모아 큰 구조체로)자연계 모방(소금 및 눈 결정/아기 출생)Bottom-up 방식나노 기술 동향3. 나노 소자나노 소자란 : 나노 크기 ... 소자ㆍ CMOS 소자 ㆍ 양자 ㆍ 단전자 소자 ㆍ 터널링 소자 ㆍ 화합물 반도체(GaAs) ㆍ 스핀소자/자성반도체 ㆍ CNT소자ㆍ 메모리소자 (MRAM포함) ㆍ 시스템 LSI

리포트 | 30페이지 | 2,000원 | 등록일 2009.05.12

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[반도체공학] SOI(Silicon On Insulator) 조사

) transistor의 구조 (from [3]).GAA 트랜지스터는 SOI층 아래의 BOX(Buried Oxide)층을 Mask 공정 및 etching 공정을 이용하여 폴리실리콘이 실리콘 채널 ... 을 완전히 감싸는 구조로 제작하였다. 이렇게 제작된 GAA 트랜지스터는 SGT 구조에 비해 제작 공정이 기존 MOS 공정에 가까워서 훨씬 쉽게 제작할 수 있는 장점을 가지고, 포화 ... 는 말회로가 점점 집적화되고 소형화되면서 작은 면적에 들어가는 회로의 수가 엄청나게 많아지고 있다. 특히 최근에는 100nm 이하의 공정이 실현되면서 마이크론 공정에서 나노공정

리포트 | 9페이지 | 1,000원 | 등록일 2005.01.24

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산화아연의 전망

, Missouri 대학의 Y. R. Ryu등9)은 PLD 법을 이용하여 GaAs 기판에 의한 As 도핑 방법을 이용하여 p-형 ZnO 박막을 제조하였다고 보고하였으며, RF ... 며, 점을 가지고 있다. 또한 500°C이하의 낮은 공정온도에서도 양질의 에피 박막의 성장이 가능하다. 이러한 장점들을 바탕으로 ZnO는 광학적 특성과 자기적 특성을 동시에 지닌 차

리포트 | 28페이지 | 3,000원 | 등록일 2010.06.29

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태양전지의 종류

에 가격은 아직 높은데, 그 해결방안으로 보다 저급의 실리콘을 이용하는 방법, 대량생산 및 공정 개선에 의한 방법 등이 시도 또는 계획되고 있다. 다결정실리콘 태양전지는 원재료로 저급 ... 의 원재료로부터 태양전지를 만들기 때문에 원재료비가 비싸고, 공정 자체가 복잡하여 가격의 절감측면에서는 한계가 있을 수밖에 없다. 이와 같은 문제점을 해결하기 위해 방안으로 기판 ... 의 두께를 혁신적으로 줄이는 기술, 또는 유리와 같이 값싼 기판위에 박막형태의 태양전지를 증착시키는 기술이 주목을 받고 있다. 기존의 박막 제조공정을 이용할 경우 보다 값싼 방법

리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.12.06

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IT(정보기술)분야의 향후 동향 및 전망

로 자리잡고 있다. 또한 MRAM(Magnetic RAM), FeRAM (Ferroelectric RAM) 등의 소자, 차세대 반도체 개발 및 생산에 필수적인 반도체 공정 장비산업 및 ... 이 발표되고 있는 실정이다. 이러한 DMAM의 대용량화를 이끌어온 최대요인으로는 크게 미세화 공정기술과 신재료 기술개발로 요약될 수 있으며, 이를 통한 메모리셀구조, 셀가공기술 등 ... 아날로그 전자 소자의 경우, 3GHz 까지의 응용에서는 SiGe 소자가 GaAs 에 비하여 가격 경쟁력, 잡음특성, 전력소모, 열전도성 및 집적도 등에서 우수함으로써 기존의 GaAs

리포트 | 12페이지 | 1,500원 | 등록일 2006.12.06

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진공과 진공펌프에 대해서~

: 챔버의 절연이 필요할 때 사용② Fluid FeedthroughSewgelok type VCR type(3) VALVE①Angle Valve공정 수행용 진공 챔버를 대기와 차단 ... 러서 실링함으로써 작동된다. "ㄱ"자로 꺽여 있다 하여 앵글 밸브라 하며 주로 공정용 챔버 벽면에 연결되고 "ㄱ" 자로 꺽여 벨로우즈 혹은 배기 펌핑관과 연결된다.② Gate ... 시스템 사이에 위치)등에 쓰인다. 특히 CTC (Cluster Tool Control) System에서는 중앙의 웨이퍼 이송 장비와 프로세스 모듈사이를 차단하여 각 공정을 독립

리포트 | 9페이지 | 1,500원 | 등록일 2008.08.17

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CVD&PVD

성장 공정으로 현재 공업적으로 확산되어 지금은 여러 박막제조공정에 이용되고 있다. 그러나 일반적으로 이 방법을 이용하여 실용성이 높은 박막을 만들 때 에는 아주 고온을 필요로 하 ... 게 되는데 그렇게 되면 공정상 고온을 생성하는데 공정상 어려움이 많게 되고 플라스틱이나 글라스 등 저융점의 기판을 사용할 수 없게 된다.이러한 단점을 극복하기 위하여 PECVD공정 ... 가 중성상태의 가스분자와 충돌하여 가스분자를 분해하고, 이 분해된 가스원자가 기판에 부착되는 반응을 이용하여 박막을 증착시키는 공정이다. 따라서 기존의 CVD가 열에너지를 반응에 필요

리포트 | 5페이지 | 2,000원 | 등록일 2008.05.01

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유기물 절연체를 이용한 고성능 플렉시블 박막 트랜지스터

하여 PVP를 스핀 코팅한 ITO 위에 옮겼다. 그리고 마지막으로 Lift-off 공정을 이용하여 실리콘의 소스, 드레인 부분에 크롬 3nm, 금 100nm의 두께로 전극을 형성 ... 에서 공정을 하는 방법이 연구되었다. 그러나 이는 소자의 이동도나 반응속도가 너무 낮아 그 응용 가능성이 전자 종이나 정적인 화면을 보여주는 수준 이상으로 만들기 어려웠다. 그러나 ... 에 금속을 미리 증착한다.- 원하는 기판 (여기서는 GaAs) 위에 금속과 공유결합을 해서 접착력이 강한 표면 SAM 처리를 한다. (1,8-octanedithiol)- PDMS

리포트 | 9페이지 | 2,500원 | 등록일 2008.06.20

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