"GAA공정"의 검색결과 입니다.

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"GAA공정" 검색결과 401-420 / 456건

[반도체 공학] pvd의 종류및 증착원리

시키고, 플라즈마, 이온빔 등의 에너지로 활성화시킨 후, 기능성 소자에 원하는 조성 및 결정구조로 요구에 맞는 기능성 표면을 만드는 공정을 말한다.여러 아래에 제시한 여러 공정방법 ... 반도체나 GaAs 등을 증착시킬 때 PVD 방법들은 그 화합물들을 우선 소결하거나 녹여서 고체 상태의 target으로 제조해서 열이나 전자빔으로 휘발시켜서 기판에 증착시키는 것이고 ... 방법들이 있다. 특히 공구나 금형 등의 하중과 충격이 큰 부품은 밀착력을 올리기 위해 플라즈마 클리닝과 이온충격공정을 반드시 하여야 한다. 클리닝과 표면반응을 얼마나 효과

리포트 | 11페이지 | 1,000원 | 등록일 2005.09.30

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[반도체공정] 화학기상증착

화학 기상 증착(Chemical Vapor Deposition)반도체 공정에 주로 이용되는 화학기상증착은 기체 상태의 화합물을 공급하여 기판과의 화학적 반응을 유도함으로써 반도체 ... 기판 위에 박막층을 형성하는 공정이다. CVD는 공정 중의 반응기의 진공도에 따라 대기압 화학기상증착(APCVD)과 저압 또는 감압 화학기상증착(LPCVD)으로 나뉜다. CVD ... 에서의 반응속도에 직접적인 영향을 미침으로써 형성되는 박막의 구조나 성질에 영향을 미치게 된다.(1) CVD 장치CVD 장치는 장치의 구조나 공정 상의 조건에 따라 몇 가지 형태로 분류

리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2005.06.29

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LED의 개념과 원리

는 1962년 Holonyak이 GaAsP 적색 LED를 처음으로 개발한 이후, 주로 단순 표시기로 사용되었던 저휘도 LED의 발광효율이 화합물 반도체 공정 기술의 눈부신 발달 ... 었다. 특히 화합물 반도체인 GaAs와 GaP 등의 단결정 성장 기술이 현저하게 발달되어 고품위 기판 양산 기술이 확보 된 것이다. 사실상 1980년대 초까지만 하더라도 LED의 에너지

리포트 | 9페이지 | 2,500원 | 등록일 2007.10.04

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[반도체,신소재]신소재와 반도체의 특성및 종류,활용 등등 비파괴검사까지

에너지와 성공정의 비조질강, 경량화에 따른 고장력강, 내식성과 고부가가치 부여를 위한 표면처리강, 제친강, 카릴강 외 신감각적강, 알렉트로닉스 강 등으로 확대 되어 왔다.이러 ... 에서 철강업계의 기술은 크게 변하고 있다. 즉 원료 의 신축성을 증가시키기 위해서, 종래의 고로방식으로 소형로 로써 사용횟수를 올릴 수 있도록 용융환원 공정을 개발하여 사용된 철에서 고 ... , 벽지 등에서 쓰이는 발전용 태양전지 등에는 규소나 비소화갈륨(GaAs) 등을 이용한 p-n 접합형 다이오드 등이 쓰인다. 반도체 속에 존재하는 전자와 정공이 결합하여 소멸될 경우 그

리포트 | 11페이지 | 2,000원 | 등록일 2008.07.11

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금속의 표면저항

는 증착시키려는 물질이 기판으로 기체상태에서 고체상태로 변태될 때 어떤 과정을 거치느냐 이다. 공정상의 뚜렷한 차이점은 PVD는 진공 환경을 요구한다는 것이다. 반면에 CVD는 수십 ... 는 이유는 증착시키려는 물질이 기판에 증착될 때 기체상태가 고체상태로 바뀌는 과정이 물리적인 변화이기 때문이다. 많이 쓰이는 산화물 반도체나 GaAs 등을 증착시킬 때 PVD 방법 ... 하면, CVD법은 기판에 증착될 때 원료물질들이 PVD처럼 들러붙는다기 보다는 화학반응을 일으켜서 고체 상태로 변화한다고 보면 된다.PVD와 CVD 모두 반도체 공정이나 기타 산업에 많이

리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2006.10.16

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건식도금

의 위해 하고 있다. 도금방법·용도에 따라 다소 차이가 있지만, 전기도금의 일반적인 공정은 탈수(脫銹) → 연마 → 탈지(脫脂) → 화학적 침지처리(浸漬處理) → 전기도금 → 후처리 ... SiCl4, H2다결정 Si열 CVDSiH4, H2비정질 SiPlasma CVDSiH4SiH4, CH4화합물반도체(GaAs, GaAlAs,InP)MOCVD(CH3)3Ga, AsH3(CH

리포트 | 21페이지 | 1,500원 | 등록일 2007.12.13

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[반도체] 실리콘LSI의 한계와 나노기술로의 전개

에너지화를 진행해야하며 나노 기술을 이용한 소자공정 뿐만아니라 회로 및 시스템을 포함한 Break through가 요구되어 진다.서론오늘날 일렉트로닉스의 발전은 실로 눈부실 정도 ... 었다. 이처럼 일렉트로닉스의 발전을 이뤄낸 것이 반도체 공정기술의 발달이라고 해도 과언이 아니다. 그림1에 반도체 소자들의 발전 상황을 나타내고 있다. DRAM의 예를 들어, 각 ... 가지가 있지만, 여기서는 GaAs/AlxGa1-xAs계 반도체 헤테로구조를 이용한 고전자 이동도 트랜지스터 (High Electron Mobility Transistor

리포트 | 15페이지 | 1,000원 | 등록일 2003.12.16

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[반도체] 실리콘 반도체와 화합물 반도체의 차이

* 발광소자나 광 검출 소자로서의 실리콘과 화합물 반도체의 차이그림 3.3.1에 실리콘과 갈륨비소 (GaAs) 반도체에 대한 에너지 밴드 그림 (E-K relation)를 그려 ... ? 에너지 밴드는 전자의 에너지이므로 홀은 반대로 윗부분으로 갈수록 에너지가 작다는 것을 의미한다.따라서 홀은 윗 부분부터 채우게 된다.그림 3.3.1에서 GaAs의 에너지밴드 ... 하는 간단하게 표현한 식은(식 3.3.2)여기서 Eg의 단위는 eV이며 파장의 단위는 ㎛이다. 즉 1.24eV의 에너지 갭을 가진 물질에서는 1㎛ 의 빛이 발생한다.GaAs는 1

리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2002.02.22

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[반도체] 갈륨아세나이드

를 요구하는 제품들이 요구되게 되었고 특히 주기표의 3과 5군에 속하는 화합물에 대한 관심이 반도체의 변종들에 대한 관심이 집중되게 되었으며 GAAS의 결합에너지 구조는 고속의 실리콘 ... 제품에 비하여 빠른 속도의 전자와 낮은 산란력을 가능케 한다.GAAS의 substrate물질은 보다 넓은 범위의 온도에서 조작이 가는하고 방사능에 저항력이나 특히 원자 교환시 ... 에 전달력의 존재는 우주나 군사적 목적에 중요한 특성이다.군사적 목적의 우주 경유 수신은 실리콘 보다는 GAAS로 부터 제작되고 그이유는 GAAS는 micrwave frequence

리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2001.12.27

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[태양전지] 태양전지의 현상태와 전망

된 바 있으며 실험실에서는 17%를 상회하는 효율이 재현성 있게 기록되고 있다. CIS층은 진공증착 또는 금속막을 증착한 후 selenization공정을 거치는 2단계 방법 등으 ... . CuIn1-xGaxSe2) 물성 및 전지효율에 대한 영향을 조사하는 것이다.GaAs 태양전지태양전지 재료 중에서 가장 높은 효율을 달성하였고 현재 우주용으로 상용화에 성공하여 흑자 ... 를 기록하고 있는 재료이다. GaAs는 최적의 밴 드갭(1.45eV) 및 높은 광 흡수계수와 가장 높은 이론 효율치(39%) 등의 장점과 In, Al등과 쉽게 합금을 형성

리포트 | 15페이지 | 1,000원 | 등록일 2004.03.07

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[전자 소자 이론] CMOS LSI와 Bipolar process 기술 동향

까지 수없이 제기되어 왔지만, 새로운 기법들이 발견되고 공정 강화 기술들이 개발되면서 언제나 난관은 극복되어 왔다.＊반도체의 역사2.본 론1)집적회로의 제조 과정집적회로를 제조하는데 쓰이 ... 개에서 수 천개의 집적회로를 만수 있다.전체의 제조공정을 순서대로 정리하면 대략 다음과 같다.① 웨이퍼의 준비② 에피텍셜 성장③ 선택확산④ 알루미늄 증착⑤ 절단 및 실장2)공정 ... 기술 동향① 실리콘 IC 공정실리콘은 IC 산업에서 으뜸이 되는 반도체 재료이며 앞으로도 수년 동안 계속 그러할 것이다. 전세계적으로 생산되는 웨이퍼의 90%가 넘는 물량이 실리콘이

리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2003.12.10

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[공학]태양전지

, GaAs, CdTe 등을 들 수 있다. 그러나 현재의 제조기술로는 아직 이들을 사용해서 보다 나은 p-n접합을 만들 수 없는 상태에 있다.2)태양전지의 장단점태양전지는 무한정, 무 ... passivation-최근에 SiNx는 p-type 실리콘 표면의 passivation에 우수한 특성 을 보이는 것으로 알려졌다.② texturing 공정 개선을 통한 반사율 감소-반사

리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2006.09.17

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[반도체] 반도체 재료 및 공정

< 반도체 재료 및 공정 >1.반도체의 정의1-1.반도체란 무엇인가?전기가 반쯤 통하는 성질, 전기를 잘 통하지 않게 하는 이와 같은 것들을 부도체 또는 절연체 전기를 잘 통하 ... 다.반도체 기판으로 사용하는 재료로서는 실리콘 (Si) 게르마늄 (Ge), 갈륨 인(GaP) , 갈륨 비소(GaAs) 등이 있다. 실리콘은 지구상에 가장 많이 있어 얻기 쉬운 이유 ... 도 있지만 그 보다 더 중요한 것이 실리콘의 산화물인 이산화 탄소가 안정적인 성질로 보호막으로서 최적이다. 갈륨 인(GaP) , 갈륨 비소(GaAs) 의 화합물 반도체는 발광 소자

리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2003.09.23

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광파이버센서의개론및응용

파이버 반도체 온도센서 GaAs, CdTe 흡수광 파장변화, 광투과량 변화 발광소자 AlGaAs(신호광),InGaAs(참조광) 측정범위; -20~300℃, ±0.5℃광파이버 편광 ... 표면에 유막이 부착하면 편광 반사율이 변화광파이버 센서의 응용케이스의 웨이퍼수 검사기전자부품 자삽공정의 관찰제조공정의 광파이버 센서의 응용 예광파이버 센서의 연구 개발파이버 자이로w}

리포트 | 101페이지 | 1,500원 | 등록일 2006.11.20

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세라믹 공정

세라믹스 제조공정1.세라믹스의 정의무기물질을 주원료로 사용하는 산화물(Oxide), 질화물(Nitride), 탄화물(Carbide)등의 재료를 뜻한다. 이러한 재료는 일반 ... ) : GaP,GaAs,GaAsP,Al2O3)③ 투광성 재료로서 내열성 : Al2O3, MgO, BeO, Y2O3투명 전극 : SnO2, In2O3④ 투광 편광성 재료 : (Pb,La

리포트 | 11페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.04.13

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[레이져] 레이져 이용기술

수 있으므로 초미세 물질 가공이 가능하다. 광화학 프로세서에 의한 재료의 가공은 저온 공정이 가능하고 또한 내환경성이 뛰어나므로 극한 환경 하에도 사용 가능한 재료의 개발도 가능 ... 개발다이아몬드 박막층, GaAs계 epitaxy 등의 개발 가능 특수 복합 소재의 박막층 개발 가능CVD(Chemical Vapor Deposition)기술형상인식문자 인식, 2

리포트 | 19페이지 | 1,000원 | 등록일 2004.06.16

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[전기재료 전기재료] LED

까지 기초기술확립의 시기. 1962년 Pankove의 GaAs p-n 접합부에서의 발광 관측을 시작으로 GaAs, GaP, GaAsP, ZnSe 등의 결정성장기술, 주입발광현상에 관한 ... 순도의 양질의 결정을 얻을 수 있고, 성장속도가 크기 때문에 GaP, GaAs, InP계 LED의 양산에 이용3 Ga 또는 In 용매중에 GaAs, GaP, InP의 다결정 ... 공정에서는 자동화에 의한 저가격화가 도모되고 있다.6.4 LED의 종류와 특성. 표 6.2는 현재 시판되고 있는 것 및 개발중인 가시 LED의 제작 방법과 발광파장, 밝기(광도)등

리포트 | 17페이지 | 1,000원 | 등록일 2003.05.29

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[재료공학]AAO (Anodic Aluminum Oxide)에 대하여

로 기존의 GaAs계에 의한 적색 LED, LD와는 재료, 물성의 차이에 의해 아직도 과학적으로 풀어야 할 숙제가 많다. 특히 질화물의 물성적 측면을 살펴보면 아직도 미진한 부분 ... 을 형상화시키기 위해 자기조립에 대한 기초 지식을 충분히 하고 미세접촉인쇄 방법을 최적화 하여 공정에 이용할 수 있도록 한다. 미세접촉인쇄를 통해 종래에 찾아볼 수 없던 간편한 박막

리포트 | 9페이지 | 2,000원 | 등록일 2006.02.26

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[디스플레이]디스플레이 - LED

----------------(5~6p)5. LED 소자 제작 공정 --------------------------------------(6~7p)6. 백색 LED -------- ... 는 [그림 3]과 같으며 GaP, GaAs 등의 기판위에 적당한 화합물 반도체 박막을 형성한다. 제조법은 기판에 대한 액상 성장법과 기상성장법이 있는데 후자가 주류를 이루고 있다.4 ... ④ 점(point) 발광: LCD 백라이트로 부적합⑤ 저전압 구동: 가정용 전원으로 직접 구동에 문제5. LED 소자 제작 공정[그림 ] top-emitting방식 LED[그림

리포트 | 14페이지 | 1,500원 | 등록일 2006.03.25

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[DRAM]DRAM의 구조와 동작원리

는 capacitor 및 문제점현재 많이 사용되고 있는 capacitor는 SiO2 /SiN(ON), GaAs 및 이를 대체할 목적으로 개발되어온 Ta2O5 박막이 있다. 그러나 이러 ... 해서는 capacitor의 구조를 입체구조로 복잡하게 만들어야 하는데, 이는 capacitor의 높이가 너무 높아져 소기의 Cell Size를 구현할 수 없을 뿐만 아니라, 공정 ... 상의 한계와 공정수의 증가 등으로 생산성 저하 및 비용 증가를 야기하기 때문에 256M D램 이상의 차세대 반도체 생산에 적용하는 데에는 적합치 않게 되어, 새로운 방식의 공정 및 장비다.

리포트 | 6페이지 | 2,000원 | 등록일 2004.12.17

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