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"Pspice따라하기" 검색결과 301-320 / 1,806건

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    4주차_28장_예비보고서_연산증폭기특성
    깊이 이해하고자 한다.실험목표1. uA741 연산 증폭기의 슬루율을 측정하고 공통모드 제거비(CMR)을 계산한다.2. PSpice 해석을 통하여 uA741 연산 증폭기의 슬루율 ... 과 CMR을 구한다.3. 이들 PSpice해석 결과를 실험결과와 비교한다.4. 우리가 구한 데이터들 출판된 값, 즉 데이터시트 상의 값과 비교한다.실험에 필요한 이론적 배경슬루율(s ... lew rate)- 연산증폭기에 계단입력이 인가되었을 때 시간에 따른 출력전압의 최대 변화율⇒ 슬루율이 높을수록 연산증폭기의 응답시간이 더 짧고 주파수 응답이 더 양호⇒ 슬루율
    리포트 | 7페이지 | 4,000원 | 등록일 2023.11.30
  • 금오공대 아날로그회로응용설계 - 전원회로 설계 및 실습(1)
    에 대한 고찰: Transistor size의 W와 L에 따라 10v로 수렴되기 이전 Vout 그래프의 peak값의 급격한 변화를 준다고 파악. Inductor value의 값 ... 이 커짐에 따라 Settling time이나 Ripple 값이 커짐을 파악. Capacitor value의 커짐에 따라 Settling time과 파형의 모습이 달라진다고 파악 ... .② Capacitor 값에 따른 settling time과 ripple voltage 값을 알아보라= capacitor 값이 커질수록 settling time의 값은 증가
    리포트 | 9페이지 | 10,000원 | 등록일 2021.07.02 | 수정일 2022.01.20
  • 10. Oscillator 설계 예비보고서 - [2021년도 전자회로설계실습 A+ 자료]
    를 이용한 Oscillator (신호발생기)를 설계 및 측정하여 positive feedback의 개념을 파악하고, 피드백 회로의 parameter 변화에 따른 신호 파형에 대해 ... 키트 : 1개저항 (1kΩ, 1/2W) : 4개가변저항 (5kΩ, 1/2W) : 2개세라믹 커패시터 (0.47 uF) : 1개3. 설계실습 계획서3.1 OrCAD PSPICE ... F TIMES ln {1-0.5(-1)} over {1-0.5} =0.5``ms에서R`=`968.34 Ω으로 설계하였다.(B) PSPICE를 이용하여 위에서 설계
    리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2022.03.15
  • 4장 옴의 법칙 결과
    하였다.실험과정 (2)에서는 전체저항이 600Ω이었으나 실험과정 (4)에서 1200Ω으로 2배 증가하여 옴의 법칙I= {V} over {R}에 따라 전류와 저항이 반비례하기 때문이 ... 기초전자실험 ? 4장, 옴의 법칙 결과보고서1.실험결과4.4.1 옴의 법칙I= {V} over {R}[표 4-1] 전압에 따른 전류 변화전압 V [V]실험 과정3579(2)전류 ... I [mA]5.088.4311.815.08(4)2.564.175.87.424.4.2 옴의 법칙R= {V} over {I}[표 4-2] 저항에 따른 전류 변화전압 V [V]저항
    리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2021.01.06
  • 공통-이미터 증폭기의 입력 저항, 전압 이득, 그리고 출력 저항을 실험
    다. 회로에서,v _{s}는 증폭기에 인가된 입력 신호전원을 나타내고,R _{s}는 그것의 내부 저항이다.R _{L}은 증폭기의 출력v _{0}를 취하기 위한 부하 저항이다. 큰 ... : 교류신호를 측정 분석하는 전자계측장비로, 시간에 따른 전압 변화를시각적으로 확인할 수 있는 장치이다.2) 실험 회로도3) 브레드보드/실험대표 사진직류 해석① 그림 10.2의 직류 ... }의 피크값/v _{i}의 피크값)=>{1.56V} over {101mV} =15.45V6. PSPICE 실험 결과1) 실험 5.1에서 제시되었던 회로를 PSPICE로 시뮬레이션
    리포트 | 5페이지 | 1,500원 | 등록일 2022.04.19 | 수정일 2022.04.23
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    전자회로실험 A+ 12주차 결과보고서(MOSFET Characteristics)
    m10V18V1.23V1.72m10V19V1.24V4.55m10V20V1.25V9.56m10V21V1.26V20.99m10V실험(3):4. 실험결과 사진5. PSPICE 결과실험 ... -VGS]실험(3):6. PSPICE 사진실험(1):실험(2):실험(3):7. 분석 및 토의-MOSFET 기본 구조:Gate: Source 부분과 Drain 부분의 반도체를 연결 ... Body: Channel을 형성하기 위한 캐리어들을 보충해주는 역할(대부분 접지)-MOSFET 작동 원리1. 전압이 인가되지 않은 상태에서 MOSFET은 동작하지 않고 이를 cut
    리포트 | 16페이지 | 2,000원 | 등록일 2023.07.02 | 수정일 2023.07.25
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    [전자회로실험]MOSFET 기본특성 결과보고서
    .xml전자회로실험 결과보고서MOSFET 기본 특성실험 결과이번 실험에서는 NMOS의 경우에만 실험을 진행한다.(1) PSpice의 실험 결과수식입니다.R _{D}의 값이 약수식 ... 결과는 [표 7-1]과 같다.[표 7-1] 실험 회로1의 DC 동작 조건수식입니다.R_C값(PSpice)수식입니다.R_D값수식입니다.V _{sig}전압수식입니다.V _{o}수식입니다 ... .I _{D}전압동작 영역약수식입니다.10 rm ohm수식입니다.10rm ohm6V6.48V0.45A포화 영역회로는수식입니다.V_DS전압에 따라 포화 영역에서 동작한다.수식입니다
    리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2023.12.04
  • [예비보고서] 설계실습 11. Push-Pull Amplifier 설계
    는 Dead zone이 형성되는 것으로 생각할 수 있다.(C) 그림 1(b) 회로를 simulation 하기 위한 Pspice schematic을 그리고 Simulation ... -Pul Amplifier에서 로 하여, Dead zone과 Crossover distortion을 확인하려 한다.(A) 그림 1(a) 회로를 simulation 하기 위한 ... Pspice schematic을 그리되, BJT를 제외하고 부하저하을 100Ω으로 놓고, Simulation Profile에서 Analysis type을 DC Sweep으로 설정하고서 DC
    리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2022.06.30
  • 중앙대학교 전자공학과 합격 자기소개서, 학업계획서
    하기 위해 PSPICE를 활용하였고, 반도체 소자의 특성 이해를 심화할 뿐만 아니라 level 확장을 통해 점차 이차효과를 증가시킴으로써 현재 반도체 시장의 한계가 무엇인지를 더 ... 을 통해 직접 회로를 구성하고 더 효율적인 회로를 구성하기 위한 방법을 모색하는 실습을 진행했습니다. 더 나아가 개인적으로 FPGA 설계소프트웨어 Quartus를 사용하여 논리회로 ... 합니다. 전자전기기술의 진화는 다양한 응용 분야들에 큰 영향을 끼치며, 사회적 수요가 증가함에 따라 해당 분야에 특화된 전자전기공학 기술이 지속적으로 발전하게 되는 상호보완적 관계
    자기소개서 | 3페이지 | 4,000원 | 등록일 2023.12.28
  • 판매자 표지 자료 표지
    BJT DC 특성
    _CB가 증가하면 콜렉터-베이스 접합의 공핍 영역이 증가한다. BJT소자 설계시 베이스보다 콜렉터 쪽의 도핑을 낮게 하기 때문에 콜렉터-베이스 접합의 공핍영역은 대부분 콜렉터 쪽 ... ':에미터 저항,r_c':콜렉터 저항이 모델은 기존 모델과 비교하여 DC특성(저전류에서의 전류 이득 감소, Early 현상, high-level injection, 바이어스에 따른 베이스 ... _{B prime E prime }} over {2NFV _{T}}}이다.4) 순방향 Early 전압(VAF)순방향 Early 전압인 VAF는 출력쪽 인가 전압의 변화에 따른 콜렉터
    리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2022.06.16
  • [중앙대 전자회로설계실습 11 예비보고서] Push-Pull Amplifier 설계
    imulation하기 위한 PSpice schematic을 그리되, BJT를 제외하고 부하저항을 100Ω으로 놓고, Simulation Profile에서 Analysis type을 DC ... 하는 이유를 설명하라.입력전압 인 경우 두 BJT 모두 꺼진 상태로 동작하여 출력전압은 입력전압에 상관없이 이 된다.(C) 그림 1(b) 회로를 simulation하기 위한 PSpice ... Sweep으로 설정하고서 DC 전압원의 값을 –12 V에서 +12 V까지 0.001 V의 증분으로 증가시킴에 따라 부하저항 양단의 출력전압이 어떻게 변하는지를 보여주는 입출력
    리포트 | 8페이지 | 1,000원 | 등록일 2021.08.09
  • 판매자 표지 자료 표지
    [전자공학응용실험] 다단 증폭기(Multistage Amplifier) 결과레포트
    E-032. Comparison of experimental, theoretical, and simulated results3. Discussions우선 실험에 앞서 Pspice ... 해야 하기에 소자의 차이와 인가하는 Vdc의 값이 바뀐 것으로 인해 소자의 값을 바꿔준 것이다. 또한 7V의 경우에 두번째 단에서 증폭이 제대로 되지 않는 것을 확인했는데, 이 ... 입력 임피던스가 클수록 신호가 잘 전달된다.(2) 이는 위 설명과 마찬가지로 증폭기들의 각 입출력 임피던스의 비에 따라서 신호가 전달되는 정도가 결정되기 때문에 단순 전압이득의 곱보다는 실제가 작을 수 밖에 없다.
    리포트 | 4페이지 | 1,500원 | 등록일 2022.12.19
  • 판매자 표지 자료 표지
    기초전자실험 with PSpice 실험10 중첩의 원리 실험보고서
    _{(R3)2}를 측정하여 기록하라.(4-4) PSpice시뮬레이션시뮬레이션 목적중첩의 원리의 정확성(유효성) 확인하기대상회로 실험 회로시뮬레이션 설정Analysis typeTime ... Domain(Transient)OptionsGeneral SettingsRun to time3[ms](4-5) 결과검토 PSpice 시뮬레이션시뮬레이션 목적교제 기초이론의 실험 ... ]3.57154.42851.5715I[mA]7.599013.4205.8205결과 검토의 PSpice 추가 시뮬레이션은아래 [6. 결과에 대한 논의와 고찰]에 첨부하였습니다.6
    리포트 | 11페이지 | 1,500원 | 등록일 2022.11.08
  • 판매자 표지 자료 표지
    [기초전자실험 with pspice] 14 인덕터 결과보고서 <작성자 학점 A+>
    한다. 따라서 인덕턴스가 큰 경우인 의 값이 의 값보다 크다.실험2 에서 주파수가 증가함에 따라 이 증가하였다. 이는 에 따라 주파수가 증가할수록 이 증가하기 때문이다. 은 주파수 ... 한 인덕터 실험은 저번 시간에 실험한 커패시터 실험 과정과 매우 유사하여 커패시터와 인덕터를 비교해 보기에 좋았다. 예를 들어, 주파수에 따른 리액턴스 변화 실험에서 커패시터에 걸리 ... 는 전압은 감소하고 인덕터에 걸리는 전압은 증가한다. 용량에 따른 리액턴스의 변화 실험에서도 커패시터에 걸리는 전압은 감소하고 인덕터에 걸리는 전압은 증가한다. 커패시터/인덕터
    리포트 | 4페이지 | 1,500원 | 등록일 2023.01.28
  • 판매자 표지 자료 표지
    홍익대 실험3 7주차예비보고서
    전자회로실험 및 설계7주차 예비보고서제출일: 2024.05.09.(목)이론파트증가형 MOSFET의 전류-전압 특성 이해하기구조MOSFET은 소스와 드레인의 도핑 형태에 따라 N ... 까지 차례대로 소스, 게이트, 드레인 단자이다.동작모드게이트 단자에 인가되는 전압의 극성과 크기에 따라 소스와 드레인 사이의 전류흐름이 달라진다.게이트-소스 전압 VGS와 드레인-소스 ... 전압 VDS의 조건에 따라 N-MOSFET의 동작모드는 다음과 같다. 단 VTh는 N-MOSFET의 문턱전압이다.VGS=VTh, VDS< VGS-VTh: non-saturation
    리포트 | 4페이지 | 2,000원 | 등록일 2025.03.28
  • 6장 직류바이어스 결과레포트
    상 실험에서는 시뮬레이터를 통해 실험을 하기 때문에 오차가 적게 발생하였지만, 실험실에서 진행하였다면 회로 기판 및 온도에 따라 영향을 받기 쉬울 것이라고 생각된다.에미터 바이어 ... _{CC}를 사용하여V _{BE}가 순방향바이어스 되도록 설계한다. 하지만 온도변화에 매우 민감하여 원하는 성능을 제대로 이끌어 낼 수 없게 될지도 모른다. 실제로 Pspice ... Pspice 실험에서는 에미터 전류가 이론상 마이너스 값으로 구해지는데, 이를 계산하는데 있어 오차가 비교적 크게 발생한 것으로 보인다.전압분배 바이어스 회로는 베이스 단자로 흘러 들어가
    리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2021.05.29 | 수정일 2021.09.05
  • [전기회로설계실습 결과보고서] LPF와 HPF 설계
    로부터 위상 변화 식을 구할 수 있다.∠=이므로 이를 풀면 ∠-36.4˚를 얻는다. 오차율은 3.02%이다. 계산한 이론값이 확실한지 확인하기 위해 PSpice를 통해 커패시터 양단 ... 설계실습 9. LPF와 HPF 설계요약: LPF와 HPF를 설계하기 위해 저항 1.09 kΩ를 사용했다. 커패시턴스(C)는 10.75 nF이며 LPF에서 의 값은 85.3 ... 를 얻었다.1. 서론회로에 입력되는 신호가 정현파, 구형파와 같이 시간에 따라 전압이 변하는 신호일 때 회로에 대응되는 응답은 단순히 입력 신호의 크기에만 의존하는 것이 아니라 주파
    리포트 | 19페이지 | 2,500원 | 등록일 2020.12.24
  • 판매자 표지 자료 표지
    SK하이닉스 합격 자기소개서
    으로 향상했습니다. 비록 최종목표에 도달하지는 못했지만 저에 대한 실망감이 점점 자신감으로 변화하기 시작했습니다. 이후 이러한 습관을 유지해오면서 3학년 마지막 시험에서 전교 3등 ... 의 좋은 결과를 얻을 수 있었습니다.현재 제 목표는 SK하이닉스에 입사하여 최고의 설계 엔지니어가 되는 것입니다. 설계하는 방법에 따라 소자의 크기가 결정되고 성능이 좌지우지 ... 된다고 생각하며 하드웨어의 중요한 요소 중 하나인 경량화에도 영향을 미친다고 생각합니다. 지금까지 목표를 세우고 달성하기 위해 많은 노력을 해왔고 결국 목표를 이루며 발전해왔
    자기소개서 | 4페이지 | 3,000원 | 등록일 2021.08.16
  • A+ 중앙대 아날로그및디지털회로설계실습(결과)8. 래치와 플립플롭
    플롭을 설계하고 입력에 따른 출력을 확인해보고 이론과 비교하였다. 우리가 설계한 것은 clock가 0에서 1로 변할 때 동작하는 positive edge triggered였다.1 ... 분석 (결과 report작성 내용)8-4-1 PSPICE를 활용한 RS 래치 구현 및 동작(A) PSPICE를 사용하여 그림 9-1의 회로를 구현 및 동작시키고, 결과값이 아래 ... 으로 바꿈변화 없음s만 0으로 바꿈변화 없음따라서 CLOCK=0일 때 R, S 바꿔도 입출력에 변화 없음- CLOCK=1일 때SET=1, RESET=0일 때 Q=0, Q’=1됨원래s
    리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2022.09.10
  • 중앙대 전자회로설계실습 (예비)11. Push-Pull Amplifier 설계 A+
    .(A) 그림 1(a) 회로를 simulation하기 위한 PSpice schematic을 그리되, BJT를 제외하고 부하저항을 100Ω으로 놓고, Simulation Profile ... 에서 Analysis type을 DC Sweep으로 설정하고서 DC 전압원의 값을 –12 V에서 +12 V까지 0.001 V의 증분으로 증가시킴에 따라 부하저항 양단의 출력전압 ... 이 어떻게 변하는지를 보여주는 입출력 transfer characteristic curve를 확인하라.- 입력전압이 -12V부터 증가함에 따라 출력 전압이 증가하다가 입력전압이 0V
    리포트 | 9페이지 | 2,500원 | 등록일 2022.04.09
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2025년 08월 17일 일요일
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