[워드2003]전자회로실험_사전3_2-4.다이오드특성,직렬및병렬다이오드,반파및전파정류

소개

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"[기초전자회로실험 : BOYLESTAD, NASHELSKY / 인터비젼]을 기본으로 작성한 전자회로실험 보고서로 A+받은 레포트입니다. 페이지는 제한이 있어서 페이지가 많지는 않지만, 여러가지 책을 참고문헌으로 사용했고, 책의 모든 실험에 대해 피스파이스 시뮬레이션 및 결과를 확인할 수 있습니다.

-실리콘과 게르마늄 다이오드의 특성을 익힌다.
-직렬 및 병렬로 구성된 다이오드 회로의 해석 능력을 개발한다.
-반파 및 전파 정류회로를 통해서 정류원리를 익힌다.
"

목차

1. 실험목적
2. 이론
3. 사용기기 및 부품

본문내용

4. 실험순서
<직렬 및 병렬 다이오드 회로>
1)다이오드 테스트
∙다이오드 테스트 스케일
DMM의 다이오드 테스트 스케일은 다이오드의 상태를 결정한다. 다이오드의 한 극성에서 DMM은 점화전위
를 나타내며, 역으로 연결하면 DMM은 개방회로에 접근하는 OL 응답을 나타낸다.
옆의 회로를 구성하면 DMM 내부에 약 2mA의 정전류원은 접합을 순 방향으
로 바이어스시키고, Si 다이오드에서는 0.7V, Ge 다이오드에서는 0.3V의 전압이
얻는다. 만약 단자의 극성이 바뀐다면 OL 지시가 나타난다.
만약 낮게 수치(1V 미만)가 양방향에서 나타나면 그 접합은 내부적으로 단락
되었다. 만약 OL 지시가 양방향에서 나타나면, 그 접합은 내부적으로 개방되었
다.
∙저항 스케일
다이오드의 상태는 VOM이나 DMM의 저항 스케일을 사용하여 검사할 수 있다. 이를 이용해 각 다이오드의 순 방향, 역방향 바이어스 영역의 저항 레벨을 결정한다. 점화전위가 저항 스케일을 사용하여 나타나지 않더라도 양호한 다이오드는 순방향 바이어스에서 낮은 저항 레벨과 역방향 바이어스일 때 매우 높은 저항 레벨을 나타 낼 것이다.

2)순방향 바이어스 다이오드 특성
a. 직류전원 공급기(E)를 0V에 맞추고 아래와 같은 회로를 구성하라. 저항기의 측정된 저항값을 기록하라.
b. VR(E가 아님)을 0.1V~0.8V까지 증가시켜가면서 VD를 측정하고 이를 이용해 ID를 계산하라.
c. Ge다이오드에 대해서도 반복하고, Si다이오드와의 차이점과 유사점을 찾아본다.
-아래와같이 두가지의 Marker를 이용하여 전압과 전류를 측정하였고 결과는 그 옆의 그래프와 같다.

-오른쪽은 범위를 넓게하여 나타낸 다이오드 특성곡선이다. 마커로 표시해 둔것과 같이 전압(파란색선)이 0.7V되는 지점부터 전류(분홍색선)가 흐르기 시작 하는 것을 볼 수 있다. 따라서 문턱전압 은 0.7V 임을 확인 할 수 있다.

참고자료

· -기초전자회로실험 : BOYLESTAD, NASHELSKY / 인터비젼 / 2006 / p14~45
· -마이크로전자회로 : Sedra, Smith / 한티미디어 / 2008 / p157~185
· -전자회로 (제6판) : BOGART / Prentice Hall / p39~58
· -PSpice 기초와 활용 : 백동철 / 복두출판사 / p253~262
· -All DataSheet : http://www.alldatasheet.com/