제너다이오드 예비레폿

소개

꾀 다운받을만헤여 ㅋ

목차

A. 실험목적
B. 관련사항 및 이론
;1. 제네다이오드
2. 제너 다이오드란?
3. 제너다이오드의 정의

본문내용

A. 실험목적
다이오드의 역방향 특성을 이용하는 제너 다이오드에 대한 전기적 특성과 이의 응용에 대해 알아본다.

B. 관련사항 및 이론

․1. 제네다이오드

P형 반도체는 +, 즉 정공이 많은 반도체이지만, 물체의 극성으로 따지자면, 중성자다. 한마디로 내부 분자결합구조가 전자가 결합되기 쉬운 상태라는 것이다. N형 반도체는 -, 즉 전자가 많은 반도체이다. 물체의 극성으로 따지자면, 이 역시도 중성이다. 한마디로 내부 분자결합 구조가 전자가 탈출하기 쉬운 상태이다.이 두개의 반도체를 서로 접합시키게 되면, 접합부분에서 N형반도체에서 빠져나온 소량의 전자가 P형 반도체로 이동, 안정화되게 된다. 즉, 빠져나갈 것은 빠져나가고 들어갈 것은 들어가서 안정적으로 된다는 것. 그러나 이렇게 서로 안정화되면서 나타나는 현상은, P형반도체에는 전자가, N형반도체에는 정공이 많이 생겼다는 점이다. 이는, 중성인 물체에서 각각 -, + 성분이 더해 졌기 때문에 극성이 생겨버린 것이다. 다시 말하면, 접합다이오드의 접합 부분에 p형반도체에는 -형이, n형 반도체에는 +형의 성분이 생겨, p형반도체에서 빠지기 쉬운 전자가 이 접합 부분을 통과하지 못하게 된다. 이 부분을 공핍영역이라 하는데, 여기에 생긴 전위차를 문턱전압이라고 한다. 이 공핍영역이 바로 다이오드의 핵심이 되는데, 만약 외부에서 순방향과 역방향의 전원을 가하게 될 때,
1) 역방향 N형 반도체에 +를, P형 반도체에 -를 가하게 되면, 아까 접합하던 부분과 비교해 본다면. N형 반도체에는 탈출하기 쉬운 전자가, P형 반도체에는 탈출하기 쉬운 정공이 있었는데 역방향 전원은 N형 반도체에 전자를 제공하고 P형 반도체에 정공을 제공하고 있다. 이 현상은 접합 할 때의 상태와 비슷하며, 이로 인하여 공핍영역이 더 넓어지고, 그 전위차 역시 커지게 된다. 즉, 문턱전압이 높아지게 되는데 결국 전류 이동이 불가능해진다.2) 순방향 P형반도체에 +를, N형 반도체에 -를 가하게 되면, 생성되어 있는 문턱전압을 소거시키는 역할을 한다. 따라서, N형에 가해진 전자가 공핍영역의 양단에 형성되어 있는 문턱전압보가 높은 전위차로 쉽게 미끄러져 통과할 수가 있다. 그렇기 때문에 전류가 흐를수가 있다.
 

참고자료

· 없음