삼성반도체와 하이닉스반도체 성공사례에 관한 비교

소개

경영학 프로젝트를 준비하면서

삼성과 하이닉스반도체의 성공사례에대해

신화창조 프로그램을 참고로 하여 조사하였습니다.

목차

Opening

기술전쟁 30년, 삼성반도체

기적의 부활 신화, 하이닉스반도체

반도체의 개요

두 사례의 공통점 및 차이점

반도체 현재 시장동향과 미래 추정

Conclusion

본문내용

삼성 전자 사장
(반도체 총괄 겸 메모리 사업부장)
현 한국반도체산업협회
경영철학과 비전
신반도체 비전.문화 선포
“Creating the Future with Nomad Spirit”
끊임없는 위기의식과 새로운 것에 도전하는 개척정신
연혁
’74년 반도체 사업 시작(한국반도체 인수)
’83년 64K DRAM 개발 성공
’88년 최초 수출, 최초 흑자 실현
’90년 16M DRAM 개발
’92년 DRAM , 세계 시장점유율 1위 달성
’93년 Memory 반도체, 세계 시장점유율 1위 달성
’94년 세계 최초 256M DRAM 개발
’96년 세계최초 1G DRAM 개발
’01년 300mm 웨이퍼 시대 개막
’02년 종합 반도체 업체 2위 달성
’03년 Flash memory, 세계 시장점유율 1위 달성
’04년 8G Nand Flash / 80nm 2G DDR2 개발
’05년 DDR3 DRAM / 50nm 16G Nand Flash
우의제
현 하이닉스반도체 대표이사사장
현 하이닉스반도체 이사회 의장
경영철학과 비전
기업목적- 이윤추구, 고객만족, 투명경영,
인재육성, 성과보상, 사회적 책임
4대 가치- 정직.성실, 가치창조, 도전정신, 개인존중
연혁
’86년 반도체 연구소 설립
’88년 1M DRAM 개발
’89년 4M DRAM 개발
’91년 16M DRAM 개발
’92년 64M DRAM 개발
’95년 미국 오레곤주 반도체공장 설립
세계최초 256M SDRAM 개발
’97년 세계최초 1G 싱크로너스 DRAM 개발
’98년 64M DDR 싱크로너스 DRAM 개발
’01년 하이닉스반도체로 사명변경
’03년 1G DDR2 세계최초 개발
’04년 Nand Flash Memory 개발 성공
’05년 중국 장쑤성 우시시 현지 합작공장착공
’06년 업계최초 80나노 DDR DRAM 인텔 인증 획득
Semiconductor
반도체의 정의
전기를 전달하는 성질이 도체와 부도체의 중간정도 되는 물질
집적회로 (IC; Integrated circuit)
한 개의 반도체칩위에 여러 부품과 연결선을 모아서 축소한 것
Main Product
D RAM
컴퓨터의 주기억장치
전원이 공급되지 않으면 정보가 지워짐
노트북, 데스크탑 등
Nand Flash Memory
컴퓨터의 보조기억장치
전원이 공급되지 않아도 정보가 보존됨
Mp3, 휴대폰, 디지털 카메라, PSP 등
SAMSUNG vs HYNIX
공통점
기술개발을 향한 끊임없는 도전
반드시 해내겠다는 굳은 의지
Risk taking
미래에 대한 정확한 예측
끊임없는 도전
SAMSUNG
Technology Excellent Project
70명 팀을 구성하여 256M DRAM 개발 성공
- 이후 ’00년 512M, ’01년 1G, ’02년 2G, ’03년 4G,
’04년 8G를 개발함

참고자료

· 없음