자성나노의 이용분야

소개

세미나 자료로 좋습니다.

목차

1. GMR( Giant Magnetoresistance) 및 TMR(Tunneling Magneto-resistance)소자
2. 자기메모리(MRAM, Magnetic Random Access Memory)
3. 스핀 트랜지스터(Spin Transistor), 반도체의 이용
4. 정보 전달소자-광소자(Spin LED)
5. 자성체를 이용한 약물 전달
6. 나노 센서(Nano Sensor)
7. 온열치료
8. 조영제
9. 자장을 이용한 세포 분리

본문내용

1. GMR( Giant Magnetoresistance) 및 TMR(Tunneling Magneto-resistance)소자

현재 이미 제작되어 사용되는 자성 나노 소자로서 하드디스크의 읽기 헤드로 사용되
는 GMR( Giant Magnetoresistance) 및 TMR(Tunneling Magneto-resistance)소자를
들 수 있다. 현재 사용하는 모든 컴퓨터의 하드 디스크에는 GMR 헤드가 장착되어 있
다. TMR 을 이용한 읽기 헤
드의 경우 200 Gibit/in2의
용량을 소화할 수 있는 스
핀 헤드가 이미 개발되었다.
이는 Tbit 급 하드디스크가
곧 출시될 것을 예언하고
있다.

2. 자기메모리(MRAM, Magnetic Random Access Memory)

자기 메모리(MRAM) 는 자기 터널 접합에서의 터널링 자기저항(TMR : Tunneling
Magnetoresistance) 현상을 이용한 단위소자로 강자성층/절연층/강자성층으로 구성
된 자기 터널 접합에서의 터널링 자기저항(TMR)현상을 보여주는 것으로 두 자성층의
자화방향이 평행할 경우의 낮은 터널링 저항과 반 평행 할 경우의 높은 저항이 ‘0’과
‘1’로써 각각 메모리에 저장된다. 자기메모리(MRAM) 는 DRAM 을 대신하고 SRAM 만큼
빠르고 비 휘발성 이어서 정보가 유실되지 않으며 전력 소모가 거의 없고 제조 원가
도 저렴하여 정보처리와 저장을 동시에 처리할 수 있는 차세대 메모리이다.

참고자료

· 없음