메모리 반도체 소자의 분류와 특성, 경향

소개

특성에 따라 메모리를 분류하고 각 메모리가 갖는 특성과
구조를 여러 사진을 통해 제시하였습니다.

또한 삼성반도체와 하이닉스의 특허출원에 대한 부분도 자세히
정리하였습니다.

글자크기 11에 19페이지 분량의 한글파일입니다.

목차

1. 메모리 반도체
2. 낸드 플래시 시장
3. 소자 구조 및 작동 원리
4. 회사별 제작 방법
5. 비휘발성 메모리 기술 개요
6. 차세대 메모리와 종류
7. Program/Erasing 방식에 따른 분류

본문내용

1. 메모리 반도체
메모리는 기억장치로서 컴퓨터 시스템에서 프로그램 및 데이터를 저장시켜서 필요할 때 이용할 수 있도록 만든 장치이다. 메모리 반도체는 초기에는 대형 컴퓨터의 마그네틱 코어 메모리의 대체용으로 개발되었으며, 1970년대 초 대형 컴퓨터의 주기억장치로 자리 잡았다. 반도체를 메모리로 쓰는 이유는 우선 반도체의 주성분인 가격이 저렴한 규소이고 저전력으로 쉽게 전기를 통하고 차단할 수 있는 동작이 가능하므로 회로를 구성하는데 매우 유용한 것이기 때문이다. 메모리는 크게 휘발성 메모리와 비휘발성 메모리로 구분할 수 있다.

1.1. 휘발성 메모리
휘발성 메모리는 전원이 끊기면 정보가 사라지는 메모리를 말한다.

1.1.1. DRAM (Dynamic Random Access Memory)
DRAM은 동적 램으로 한 개의 capacitor와 한 개의 트랜지스터로 구성되는 메모리 셀 한 개에 한 비트를 저장한다. capacitor는 자신의 전하를 보다 빨리 상실하는 경향이 있어서 재생이 필요하다. 그 결과 수 ms 마다 한 번씩 새로운 전하를 가함으로써 메모리 셀을 재생시켜 주어야하는 단점이 있다.

1.1.2. SRAM (Static Random Access Memory)
가장 먼저 개발이 된 메모리로서 속도와 소모 전력에 따라서 Low Power SRAM과 High Speed SRAM으로 구분이 된다. Low Power SRAM은 동적 속도는 좀 느리지만 기기가 동작을 하지 않는 대기모드(Standby mode)에서 소모 전류를 극소화해서 주로 mobile 기기의 주기억장치로 쓰이고 있다.

참고자료

· - “실리콘 나노 결정 Floating gate 1.5μm NMOS 비휘발성 메모리 소자의 제작 및 특성 연구” 한규일(경희대학교 대학원 석사학위 논문)
· - “낸드 플래시 메모리 소자의 제조방법에 대한 특허 조사”
· 성균관대학교 정보통신 소자 연구실
· - www.wips.co.kr 특허검색
· - 삼성전자 반도체 홈페이지