[전자재료실험]열증발증착(Thermal evaporator)에 대하여

소개

Thermal evaporator에 대한 이론을 다룬 레포트 입니다.
A+받았습니다

목차

진공증착의 기본 개념

박막두께

Thermal evaporator 의 용도

Thermal evaporator 의 작동원리

본문내용

진공증착의 기본 개념
Langmuir-Knudsen에 의하면, 증착률은 증기압에 비례하므로 실제 VLSI 공정에 사용하기 위해서는 충분히 큰 증기압을 갖는 상태에서 증착시켜야
한다.
[그림1] 진공 증착 장치의 기본 구조
[그림2] 온도에 따른 증기압
보통 증기압은 10mTorr 이상 되어야하기 때문에 그림2에서 알 수 있는 바와 같이, Al은 1000℃이상, Mo는 2500℃이상 가열하여야 하며 W 경우엔 3200℃이상 가열되어야 한다. 가열되어 증기 상태로 기체화된 물질 분자가 이동하여 기판에 도달하는 동안 용기내의 기체 평균 자유 행정λ가 장치 크기 d보다 훨씬 크게 하여 분자 흐름이 되게 하여야 한다. 기체의 운동 이론에 의하면 λ는 다음과 같이 계산된다.
σ: 분자의 지름 , P : 압력 , T : 절대온도
상온에서 직경 3Å의 전형적인 기체 경우
의 평균 자유 행정을 갖게 된다.
일반 증착에서는 잔류 기체압을 이하로 낮추어 평균 자유 행정이 m 이상 되게 함으로써 증착될 분자와 잔류 기체 분자 사이의 충돌이 일어나지 않게 하고 있다. VLSI 공정에서는 정도에서 많이 상용한다.
진공 증착이 Al이나 다른 금속 물질들의 박막 형성에 많이 사용되는 이유는 다음과 같은 장점들이 있기 때문이다.

참고자료

· 없음