[전자회로실험] 중첩의 원리와 Diode의 특성 결과레포트

소개

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전자회로실험 과목의 경우 Multisim 또는 PSpice로 예비 실험을 진행한 뒤 레포트를 작성하여 더욱 퀄리티가 높습니다.
또한 이론과 실험, 고찰을 수식과 함께 구체적으로 작성하여 참고하시길 바랍니다!

목차

1. 실험 목적
2. 실험 내용
3. 실험 결과
4. 고찰-simulation과 실제 실험 비교

본문내용

1. 실험 목적
Superposition의 원리를 활용하여 전원에 대한 소자들의 Voltage와 Current를 구하고, diode를 forward, reverse bias를 연결하여 비선형적 특성을 이해한다.

2. 실험 내용
1) 중첩의 원리 실험은 하나의 전원만 남기고 다른 모든 독립 전원을 제거하여 각 저항에 흐르는 전압과 전류를 측정한다. 다른 독립 전원 모두 위와 같은 과정을 반복하여 나온 측정값의 대수합을 취하여 전체 응답을 구한다.
2) 먼저 두 개의 전원을 동시에 연결하였을 때의 각 저항에 걸리는 전압과 전류를 측정한다.
3) 이후 15V전원을 단락하고 각 저항에 걸리는 전압과 전류를 측정한다. 이번엔 15V의 전원을 연결하고 10V의 전원을 단락시켜 마찬가지로 각 저항에 걸리는 전압과 전류를 측정한다.
4) 각각의 독립 전원을 연결한 측정값을 더하여 두 개의 전원을 동시에 연결하였을 때의 측정값과 동일한지 확인하고 오차를 구한다.

실험2 - Diode의 특성
1) 다이오드의 전류 증폭으로부터 안전을 위해 사진과 같이 power supply의 CC 값을 100mA로 제한하여 실험한다.
2) power supply로 Vx에 DC전압을 0V부터 3V까지 0.2V단위로 공급하며 전류와 다이오드에 걸리는 전압을 기록한다.
3) 2)의 실험 후 다이오드를 reverse bias로 구성하고 Vx에 DC전압을 0V부터 12V까지 1V 단위로 공급하며 전류와 다이오드에 걸리는 전압을 기록한다.
4) 저항을 100Ω으로 교체한 후 실험을 다시 진행하여 기록한다.

실험3 - Diode의 비선형성
1) 다이오드가 있는 회로에서 중첩의 원리가 성립되는지 확인하는 실험이다.

참고자료

· 없음