MOSFET(결과) - 실험물리학II A+ 레포트

목차

1. 실험 결과
(1) E-MOSFET의 전기전달특성
(2) E-MOSFET의 전압분배 바이어스

2. 분석
(1) E-MOSFET의 전기전달특성
① 그래프 1 분석
(2) E-MOSFET의 전압분배 바이어스
① 그래프 1 분석

3. 토의
(1) MOSFET 활용
① 디스플레이 강제 종료

4. 참고 문헌

본문내용

분석
J E-MOSFET의 전기전달특성
그래프 1 분석
그래프 1은 사진 1의 회로에서 VG 값을 0V부터 10V까지 1V씩 증가시켰을 때의 VGS – ID 그래프다. 이론상 그래프는 초반에 ID가 0mA에 거의 붙어있다시피 잘 증가하지 않다가 어느 순간 증가하는 꼴로 그려지는데, 그래프 1에서는 VG=0V부터 ID가 음수이며 증가가 일어나지 않는 부분이 생략된 채 0V부터 10V까지 순조롭게 증가하는 모양을 보인다. NMOS에 손상이 있어 전류가 누설되거나 문턱 전압이 정상적인 값과 다르기 때문에 실험에 오차가 발생하였을 가능성이 있다.

E-MOSFET의 전압분배 바이어스
사진 3 분석

<그림 1> 실험 2 회로도
사진 2는 그림 1의 회로도를 바탕으로 구성한 회로이며 회로상 동작점은 (ID, VGS)=(0.725mA, 2.883V)이다. 이때, V_G=V_DD (R_2/(R_1+R_2 ))=12(50/(100+50))=4V이다.
사진 3은 커플링 커패시터와 교류 전원을 연결하고 입력 전압과 출력 전압에 오실로스코프를 연결하여 파형을 관찰하였다. 예비레포트에 작성한바 입력 파형과 출력 파형 각각의 Vrms값의 비는 이론상 417% 정도였다. 그러나 실험할 때 회로가 바뀌었으므로 최신화된 실험 2 회로를 다시 LTspice로 구성하여 입력 파형과 출력 파형을 이론적으로 구해본다.

참고자료

· 서강대학교 실험물리학 ΙI 매뉴얼, Exp#07. MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)
· Ben G. Streetman & Sanjay Kumar Banerjee, Solid State Electronic Devices, 7th edition, Pearson, 2015, 353~358.
· Wikipedia, MOSFET: https://en.wikipedia.org/wiki/MOSFET