[전자회로실험2]보고서2주차-MOSFET의 특성

목차

1. 실험목적
2. 실험이론
3. 실험방법
4. 실험결과
5. 결과에 대한 고찰
6. PSpice 시뮬레이션
7. 시뮬레이션-결과에 대한 고찰
8. 출처

본문내용

[실험목적]
-MOSFET의 세 단자인 소스, 게이트, 드레인의 특성을 모의실험을 통해 알아본다.
[실험이론]
1) FET vs BJT
BJT는 면적이 크고 저항이 작아서 전류가 많이 흐른다. 그리고 수직적으로 전류가 흐른다. 또한, minority carrier에 의해 동작하므로, on-off 전환이 느리다.
반면에. MOSFET은 면적이 작고 저항이 커서 전류가 적게 흐른다. 수평적으로 전류가 흐른다. 또한, majority carrier에 의해 동작하므로, on-off 전환이 빠르다. MOSFET는 BJT에 비해서 아주 작게 만들 수 있고 제조공정이 간단하다.

2) MOSFET의 구조

MOSFET은 위 그림처럼 Source, Gate, Drain으로 구성되어 있다. Gate와 Source 사이에 걸리는 전압을 라고 하고 Drain과 Source 사이에 걸리는 전압을 라고 한다.
노란색으로 칠해져 있는 부분이 inversion layer인데 이는 <일 때 생성되고 도 흐른다. =-이고 >0일 때 전류가 흐른다. 이고 에 의해 Troide 영역 Saturation 영역 나뉠 수 있게 된다.

참고자료

· 없음