신소재공학실험_ Scratch 방향과 Epoxy Molding Compound 강화제 종류에 따른 Si chip 휨 강도 분석

소개

- Scratch 방향과 Epoxy Molding Compound 강화제 종류에 따른 Si chip 휨 강도 분석에 대한 실험 논문
- Epoxy Molding Compound 강화제 종류에 따른 강도 변화 파악 가능함.
- 논문 형식으로 기술함.

목차

1. 서론

2. 실험 절차
2.1 Wafer cutting & Making chips
2.2 1차 Epoxy coating
2.3 1차 Mechanical test
2.4 2차 Epoxy coating

3. 실험 결과
3.1 Flexural strength by scratch direction
3.2 Flexural strength by reinforcement

4. 결론 및 고찰
4.1 Analysis of scratch direction
4.2 Analysis of reinforcement

5. 후기

본문내용

반도체는 항상 새로운 발전과 시장을 개척해왔다. 처음에는 개인용 컴퓨터, 노트북, 그리고 가전제품 등을 통해서 급속하게 발전하였고, 그 이후 스마트폰에 등장으로 인해서 한 번 더 반도체의 시장은 더욱 커지고 수요가 증가하였다. 이제 새로운 4차 산업혁명으로 인한 사람과 사물을 연결해주는 사물인터넷과 빅데이터를 이용한 인공지능 개발, 인공지능과 센서를 이용한 자율 주행 자동차에 대한 얘기가 나오면서 점차 도입을 확대하고 있다.
여기서 반도체는 4차 산업혁명에서 핵심 부품이고 수요가 급증하고 있다. 이러한 상황 속에서 수많은 반도체 업체들은 반도체 chip 미세화를 통해서 반도체 chip의 수율 향상을 통한 생산 단가 및 성능 향상에 대해서 엄청난 노력을 하고 있다. 하지만 이를 완벽하게 패키징 할 수 있는 기술력이 부족한 상황에서 반도체의 기술적 성능은 설계된 반도체 기술 고유의 성능보다 반도체의 패키징 기술에 의해 결정되는 것이 현실이다.[1]
패키징 기술은 자연적, 화학적 열적 환경 변화에 따른 전력 공급, 신호 연결, 열 방출, 외부로부터의 디바이스 보호에 초점이 있다. 이러한 패키징 기술은 미세화하는 반도체 소자의 기술에 발맞춰 보다 좁은 공간에 여러 기능을 갖는 소자가 집적된 하나의 module로서 설계할 수 있게 패키징 되어야 한다. 문제는 반도체 집적 용량 증가가 IC chip 면적의 확대를 필요로 하기 때문에, 반도체 조립기술이 패키징의 면적보다는 두께를 줄여 다층으로 형성하는 방향으로 발전되어 왔다는 것이다.[2]
그로 인한 반도체 chip의 지나친 슬림화로 인해서 결함이 발생하여 치명적인 reliability issue 현상을 초래할 수 있으며 이는 소자의 성능과 수명의 영향을 미칠 수 있다. 따라서 이러한 문제를 극복하고 외부환경에 영향에 따른 디바이스 보호를 하기 위해서는 반도체 chip 자체의 기계적 강도를 높여야 한다.

참고자료

· 김병욱, “반도체 패키징 공정기술의 이해와 전망”, (재)전북테크노파크, pp4
· 백경욱, “전자패키지 기술” 전기전자재료 제 16권 제 7호, 3-13, 2003년 7월
· 이동기, 이성민, “3점 굴곡 실험에서 하중 속도 변화에 따른 단결정 실리콘 칩의 파괴강도 측정”, 대한금속 재료학회지, Vol. 50, No.2, pp146~151, 2011
· 김배연, “세라믹스”, 마고북스, 2014, pp181
· Page 206, Thompson, D. N., Shaw, P. G., &Lacey, J. A. (2003). Post-harvest processing methods for reduction of silica and alkali metals in wheat straw. Applied Biochemistry and Biotechnology, 105(1), 205–218.
· https://doi.org/10.1385/ABAB:105:1-3:205
· Page 063107-3, Sharp, I. D., Yi, D. O., Xu, Q., Liao, C. Y., Beeman, J. W., Liliental-Weber, Z., … Haller, E. E. (2005). Mechanism of stress relaxation in Ge nanocrystals embedded in SiO2. Applied Physics Letters, 86(6), 63107.
· https://doi.org/10.1063/1.1856132