MOSFET_최종

소개

반도체 프로젝트로서 MOSFET을 직접 클린룸에서 제작하고 그 특성을 측정한 결과를 정리한 것입니다. 보고서 형식에 맞춰 현재 경향 및 이론적인 내용을 포함하여 풍부한 내용을 담고 있습니다. 만점 자료입니다.

목차

Ⅰ. Introduction 1
1. 현재경향 및 응용분야 1
2. 문제점 및 해결책 3
(1). 문제점 (Short Channel Effects) 3
(2). 해결책 7
(3). 새로운 구조 9
3. Cleanroom & Safety 14

Ⅱ. Design and Theoretical Calculations 15
1. MOSFET Dimension 15
2. Work Function 15
3. Threshold Voltage 16
4. I-V Curve 17
5. C-V Curve 20

Ⅲ. Fabrication Machines 21
1. Aligner 21
2. Doping Furnace 21
3. Evaporator 22
4. Sputter 22

Ⅳ. Fabrication Processes 24
1. Total Processes & Photos 24
2. Detailed Processes 30
(1). PR Coating & Lithography 30
(2). Soft & Hard Bake 31
(3). Doping 32
(4). Etching 33
(5). Gate Oxidation 34

Ⅴ. Measurement & Analysis 37

Ⅵ. Consideration 39

본문내용

Ⅰ. Introduction
1. 현재경향 및 응용분야

반도체 시장은 무어의 법칙을 중심으로 계속해서 발전해 왔다. 무어의 법칙은 마이크로칩에 저장할 수 있는 데이터양이 18~24개월마다 두 배씩 증가한다는 법칙이다. 이는 컴퓨터 성능이 거의 5년마다 10배, 10년마다 100배씩 개선된다는 것을 의미한다. 고든 무어(Gordon Moore)는 인텔의 전신이라 할 수 있는 페어차일드의 창업자이자, 인텔의 공동 창업자이다. 무어의 법칙은 1965년 Electronics지에 실린 논문에서 비롯된 것으로, 그는 1975년까지 10년 동안 집적회로(integrated circuit)의 집적도가 12개월마다 2배씩 증가할 것이라고 예상했다. 하지만 변화의 속도가 지난 수년간 다소 느려져 18개월마다 두 배씩 증가하자 `고든 무어의 법칙`의 정의를 수정하고 그의 이름을 빌려 `무어의 법칙`이라고 명명하였다. 무어의 법칙은 컴퓨터의 처리속도와 메모리의 양이 두 배로 증가하고 비용은 상대적으로 떨어지는 효과를 가져왔다. 이러한 디지털 혁명은 1990년대 말 미국이 정보기술에 막대한 비용을 투자하는 계기가 되기도 했다. 그의 예측은 거의 정확히 맞아 떨어졌으며, 1975년에서 멈춘 것이 아니라 현재까지 이어져오고 있다. 물론, 기술이 점점 발전하면서 지수적 발전 속도가 2배/12개월에서 2배/18개월, 2배/24개월로 점점 늦춰지기는 했지만, 아직 멈추지 않았다. CPU는 눈 깜짝할 사이에 386, 486, 펜티엄I, 펜티엄II 지금은 쿼드코어를 넘어 i5, i7까지 등장, 소비자들은 어제 산 PC가 내일이면 구 모델이 되어버리는 현실에 살게 되었다.
무어의 법칙은 반도체나 컴퓨터처럼 발전 속도가 빠른 산업계에서는 정설로 받아들여지고 있으며 집적도가 향상되면서 컴퓨터의 동작 속도, 메모리의 크기, 전자 제품의 기능 등이 함께 개선되어 왔다. 현재는 약 26억개의 트랜지스터가 한 개의 소자에 집적되어 있다.

참고자료

· 없음