전자회로실험9 MOSFET I-V 특성 결과보고서

소개

엄청난 시간을 투자하여 작성한 보고서입니다.
당연히 A+ 받았고 보고서점수 최고점을 받았습니다.
예비실험 시뮬레이션은 물론이고 실험순서 까지도
시뮬레이션 작성하였습니다. 실험사진도 다 있고
각각의 시뮬레이션 마다 설명을 자세히 적었음은 물론
비고 및 고찰도 아주 상세하게 작성한 만큼
믿고 받으셔도 됩니다.

목차

1. 실험 목적
2. 실험 결과 및 분석
3. 보고서 작성

본문내용

1. 실험 목적
- 본 실험의 목적은 MOSFET의 여러 동작 범위에서의 특성을 측정하고자 한다.
- 본 실험을 수행함으로써 실험자는 다음을 습득하게 된다.

● N-채널 MOSFET의 Id-VDS 특성을 이해한다.
● 트라이오드 영역과 포화영역을 이해한다.
● 드레인-소오스 사이의 채널 저항을 이용하려면 작은 드레인 전압이 필요하고 그 크기는 어느 정도인가에 대한 개념을 가진다,
● 이론적으로 얻는 드레인-소오스 채널저항과 실험치를 비교한다.
● 포화영역에서 드레인-소오스 채널이 전류 소오스처럼 보이게 하려면 작은 VDS와 comliance 전압이 필요함을 인식하게 된다.
● 포화영역에서 출력 저항이 드레인-소오스 채널을 비이상적인 전류 소오스로 인식하게 만든다.
● 실제 드레인-소오스의 트라이오드 영역에서의 ON저항 Ron은 포화영역에서의 소신호 출력저항 r0와 구별된다는 것을 인식한다.
● 전류 소오스를 구성하는 전류 미러 회로 형성을 습득하고 전류미러가 동작하는 전압 범위를 이해한다.

2. 실험 결과 및 분석
실험 Ⅰ : 오실로스코프를 이용한 I-V 특성 측정
1)~10) 실험에 대한 방법
(이 방법으로 실험 하지 마라고 하셨는데 혹시나 시뮬레이션으로 대체 했습니다)


- 그림 9.7과 같이 회로를 구성한 후 에 100Hz의 주파수, 오프셋과 함수 크기를 0~5V의 삼각파로 조정 한 뒤, 시뮬레이션 한 결과 위와 같은 삼각파형의 그래프를 얻을 수 있었습니다. 주파수는 주기의 역수 이므로 주파수 값을 높일수록 주기는 작아지므로 파형이 좀 더 조밀한 삼각파형의 모습을 나타 낼 것입니다.



- 게이트 전압 를 Floating 시켜 dc전압을 공급 한 후(약 2V 이상), 시뮬레이션 한 결과 위와 같은 파형을 얻을 수 있었고, 이 결과를 토대로 직구간의 트라이오드 영역에서 전류와 전압의 기울기인 을 구해보면, 이 나옴을 알 수 있고, △V = 1.5089 - 0.748 = 0.7609V, △A = 362.565 - 211.283 = 151.282A이므로 그래프 기울기의 역수값인 소신호 출력 저항 = 5029.68Ω이 나옴을 확인할 수 있었습니다.

참고자료

· 없음