박막증착 개론

소개

박막증착에 대해 간략히 조사한 리포트

목차

1. 여러가지 박막 증착법
1) CVD (화학기상증착법)
2) ALD (원자층증착법)
3) Evaporation
4) UBM
5) HCM
6) ECR 플라즈마 deposition
7) ICP etching

2. 주변에서 볼 수 있는 플라즈마를 이용한 제품들
3. 스푸터링 타겟의 배치
4. 박막의 특성평가 방법들

본문내용

1. 여러 가지 박막 증착법

1) CVD (화학기상증착법, Chemical Vapor Deporsition)

화학기상증착법은 여러 가지 물질의 박막제조에 있어 가장 널리 쓰이고 있는 방법이다. 간단히 말하면 반응기체의 유입 하에서 가열된 substrate 표면에 화학반응에 의해 고체 박막이 형성되는 것을 일컫는데, 이 공정은 어떤 박막을 형성하느냐에 따라서 매우 다양한 기체, 액체, 심지어는 고체의 원료가 사용된다. 보통의 CVD 공정에서는, 상온의 반응기체가 reaction chamber안으로 유입되는데, 이 기체 혼합물은 증착표면에 이르기까지 가열되고, 대류 또는 증착표면의 가열에 의해 계속 열을 공급받는다. 증착표면 근처에서는 기체흐름이 가열되고, 점성에 의해 속도가 떨어지며, 조성의 변화가 생기기 때문에 열, 운동량, 화학조성의 boundary layer가 형성된다. 도입기체 또는 반응중간체(기상 열분해에서 생긴)는 증착표면에서 heterogeneous한 반응을 일으키고 이로 인해 박막이 형성되게 된다. 이어서 기상의 부산물들은 reaction chamber를 빠져나간다. CVD는 첫째, 여러 가지 화학반응에 응용될 수 있기 때문에 다양한 종류의 박막을 얻을 수 있다. 둘째, 박막의 제조가 용이하고 기체선택성이 큰 박막을 제조할 수 있다. 셋째, 미량의 시료로 많은 부분을 증착시킬 수 있다는 장점이 있고, 단점으로는 첫째, 증착속도와 박막두께의 조절이 어려우며, 박막형성과정에서 나타나는 스트레스나 박막과 지지체 사이의 열팽창 계수 차이 등으로 인해 박막에 변형이 일어날 수 있다. 둘째, 다공성 지지체의 기공내에 박막이 형성되는 경우 기공이 완전히 막히지 않고 작은 구멍(pin-hole)이 생길 수도 있다.

2) ALD (원자층 증착법, Atomic Layer Deposition)

ALD공정은 purge에 의해 기판 표면에 한 층만 남아서 반응에 참여하게 되므로 다른 공정변수의 의존도가 적으며, 박막의 두께는 cycle수에만 의존하게 된다. 또한 원자수준에서 박막의 조성조절이 가능하며 넓은 면적에 균일한 박막을 증착 할 수 있고 계단 도포성이 우수하다.

참고자료

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· www.semiconductorglossary.com/default.asp?searchterm=ECR+plasma
· www.engadgethd.com/category/plasma/
· http://m2m.icm.re.kr/data/review/1008.pdf
· 계면구조와 박막의 접착력. 이호영
· http://www.metalkorea.biz/Vickers.html
· http://kisti.re.kr/yesKISTI/Briefing/Analysis/TrendView.jsp
· http://wonwoosystem.co.kr/tech/data_room_tech_thermo1.html
· http://www.shin-han.com/product
· http://i-neoplus.co.kr/mpw110.html