직․병렬스위치와 직․병렬비대칭 적층형 스위치 성능비교에 관한 연구 (A Study on the Performance Comparison of Series․Parallel Switches and Series․Parallel Asymmetric Stacked Switches)

서지정보

· 발행기관 : 대한전자공학회
· 수록지 정보 : 전자공학회논문지 / 60권 / 10호 / 78 ~ 83페이지
· 저자명 : 노희정, 최학윤

초록

본 논문에서는 1GHz ~ 6GHz 대역내에서 동작하는 두 가지 종류의 스위치를 설계하여 성능을 분석․연구하였다. 직․병렬비대칭 적층형 스위치는 직․병렬 스위치의 입력 송신단에만 2개의 FET를 스택 구조로 추가 연결하여 비대칭 구조가 되도록 스위치를 설계하여 특성을 비교하였다. 직․병렬비대칭 적층형 스위치의 경우 송신 경로의 특성은 1GHz∼6GHz 대역에서 1.5dB 이하의 삽입손실과 25dB이상의 격리도를 얻었고, 송신단 전력측에서도 1~3dB 정도 감소가 있었으며 직․병렬SPDT스위치는 송신경로에서는 1dB 이하의 삽입손실과 30dB 이상의 격리도, 0.24dB의 전력이 감소되어 전체적인 성능면에서 직․병렬스위치가 우수한 것으로 연구되었다.

영어초록

In this paper, two types of switches operating in the 1GHz ~ 6GHz band were designed and their performance was analyzed and studied. The characteristics of the series․parallel asymmetric stacked switch were designed to have an asymmetric structure by additionally connecting two FETs in a stack structure only to the input-transmit terminal of the series․parallel switch. In the case of the series․parallel asymmetric stacked switch, the characteristics of the transmission path obtained an insertion loss of less than 1.5dB and an isolation degree of more than 25dB in the 1GHz∼6GHz band, and there was a decrease of about 1 to 3dB in the power side of the transmitting end, and the series-parallel switch had a 1dB reduction in the transmission path It has been studied that the series․parallel switch is excellent in terms of overall performance with less than 30dB of insertion loss, 30dB or more of isolation, and 0.24dB of power reduction.

참고자료

· 없음