원자층 증착을 이용한 고 유전율 Al2O3 절연 박막 기반 Indium Zinc 산화물 트랜지스터의 저전압 구동 (Low-Voltage Driving of Indium Zinc Oxide Transistors with Atomic Layer Deposited High-k Al2O3 as Gate Dielectric)

서지정보

· 발행기관 : 한국전기전자재료학회
· 수록지 정보 : 전기전자재료학회논문지 / 30권 / 7호 / 432 ~ 436페이지
· 저자명 : 엄주송, 김성진

초록

산화물 반도체를 저전압에서 구동시키기 위해서 고 유전율인 Al2O3를 ALD롤 증착한 용액 공정 기반의 IZO 산화물 트랜지스터를 제작하여 전기적인 특성을 평가하였다. Al2O3를 증착한 소자가 기존의 SiO2 절연막 소자보다 gate bias에 의한 전기적 신뢰성 평가 시 문턱전압이 0 V에 가깝고, 낮은 전압에서도 기존과 같은 반도체 특성을 보이며, on/off ratio도 높게 나타나는 것을 확인할 수 있었다.

영어초록

The indium zinc oxide transistors with Al2O3 as gate dielectric have been investigated. To improve a permittivity in ambient a dielectric layer, Al2O3 is grown by atomic layer deposition directly onto the substrates. Then, we prepared indium zinc oxide (IZO) semiconductor solutions with 0.1 M indium nitrate hydrate [In(NO3) 3·xH2O] and 0.1 M zinc acetate dehydrate [Zn(CH3COO)2·2H2O] as precursor solutions, and the IZO solution made with a molar ratio of 7:3 was then prepared. It has been found that these oxide transistors exhibit low operating voltage, good turn-on voltage, and an average field-effect mobility of 0.90 cm2/Vs in ambient conditions. Studies of low-voltage driving of IZO transistors with atomic layer deposited high-k Al2O3 as gate dielectric provide data of relevance for the potential use of these materials and this technology in transparent display devices and displays.

참고자료

· 없음