RF 스위치용 HR PD-SOI MOSFET의 SPICE 모델링 (SPICE Modeling of HR PD-SOI MOSFET for RF Switch Applications)

서지정보

· 발행기관 : 대한전자공학회
· 수록지 정보 : 전자공학회논문지 / 59권 / 2호 / 29 ~ 35페이지
· 저자명 : 국진욱, 이성현

초록

RF switch IC 설계에서 주로 사용되는 기존 bulk CMOS PSP 모델에 substrate와 buried oxide 성분들을 macro 형태로 추가함으로써 switch용 PD-SOI MOSFET의 개선된 RF SPICE Macro 모델을 개발하였다. 모델 parameter들은 common source-body 구조의 소신호 등가회로에서 유도된 간단한 Y-parameter 방정식을 통해 측정 S-parameter로부터 직접 추출하였고, 이는 기존의 S-parameter optimization 방법에 비해 훨씬 물리적인 parameter 추출 방법이다. 최종적으로 추출된 모델 parameter들의 geometry 종속 특성을 scalable 방정식 형태로 표현하여 switch용 SOI MOSFET의 개선된 SPICE macro 모델을 구축하고 측정 S-parameter와의 비교를 통해 모델 정확성을 검증하였다.

영어초록

The improved RF macro model of PD-SOI MOSFET for switch applications is developed by adding substrate and buried oxide components in a macro form to the conventional bulk CMOS PSP model mainly used for RF switch IC design. The model parameters are directly extracted from the measured S-parameters using simple Y-parameter equations derived from a common source-body small-signal equivalent circuit, and this is much more physical extraction method compared to the conventional S-parameter optimization one. Finally, the improved SPICE macro model of PD-SOI MOSFETs for switch is constructed by expressing the geometry-dependent characteristics of the extracted model parameters in a form of scalable equation, and the model accuracy is verified through the comparison with the measured S-parameters.

참고자료

· 없음