열처리한 ZnSe 박막의 defect 연구

서지정보

· 발행기관 : 한국물리학회
· 수록지 정보 : 새물리 / 44권 / 1호 / 36 ~ 41페이지
· 저자명 : 정태수, 유평렬, 최용대, 이기선, 오병성, 윤만영, 윤창주

초록

HWE 방법으로 성장된 ZnSe/GaAs 박막은 진공과 Zn, Se 분위기 등에서 열처리되었고
이들의 10 K에서의 광발광 측정을 통하여 막 성장된 ZnSe 박막에 대한 결함이
논의되었다. 막 성장된 ZnSe 박막의 광발광 측정으로부터 얻어진 2.7988 eV과
2.7937 eV에서 우세한 봉우리들은 각각 upper polariton I$_2^U$와 lower polariton
I$_2^L$로 중성 주개 bound exciton I$_2$ (D$^\circ$,X)이며 그 기원은 V$_{Se}$로
연상된다. 또한 2.7812 eV에서 I$_1^d$의 exciton 봉우리는 V$_{Zn}$에 대응하는
중성 받개 bound exciton 발광으로 확인되었다. 중성 받개 bound exciton으로부터
얻어진 받개 불순물의 결합 에너지는 268 meV이였다. I$_1^d$ 봉우리는 Se 분위기
열처리를 한 ZnSe/GaAs:Se 박막에서 우세하게 관측되었는데 이것은 Se 분위기
열처리가 ZnSe/GaAs:Se 박막에서 p-형 반전이 일어나도록 한 것으로 여겨진다.
또한 SA 발광은 (V$_{Se}$-V$_{Zn}$)-V$_{Zn}$과 같은 복합적인 결함과 관련이
있음을 알았다.

참고자료

· 없음