800MHz~5.8GHz 광대역 CMOS 저잡음 증폭기 설계 (A 800MHz~5.8GHz Wideband CMOS Low-Noise Amplifier)

서지정보

· 발행기관 : 대한전자공학회
· 수록지 정보 : 전자공학회논문지 - SD / 48권 / 12호 / 45 ~ 51페이지
· 저자명 : 김혜원, 탁지영, 이진주, 신지혜, 박성민

초록

본 논문에서는 0.13㎛ CMOS 공정을 사용하여 800MHz~5.8GHz 대역 내 다양한 무선통신 표준을 포함하는 광대역 저잡음증폭기(wideband-LNA)를 구현하였다. 저잡음 특성을 개선하기 위하여 제작한 LNA는 두 단으로 구성되었으며, 입력캐스코드단 및 잡음신호만을 상쇄시키는 출력 버퍼단으로 구성하였다. 또한, 피드백 저항을 이용함으로써, 광대역 임피던스 매칭 효과및 넓은 대역폭을 구현하였다. 측정결과, 811MHz~5.8GHz의 주파수 응답과 대역폭 내에서 최대 11.7dB의 전력이득 및 2.58~5.11dB의 잡음지수(NF)를 얻었다. 제작한 칩은 0.7×0.9mm2의 면적을 가지며 1.2V의 전원전압에서 12mW의 낮은 전력을 소모한다.

영어초록

This paper presents a wideband low-noise amplifier (LNA) covering 800MHz~5.8GHz for various wireless communication standards by utilizing in a 0.13um CMOS technology. Particularly, the LNA consists of two stages to improve the low-noise characteristics, that is, a cascode input stage and an output buffer with noise cancellation technique.
Also, a feedback resistor is exploited to help achieve wideband impedance matching and wide bandwidth. Measure results demonstrate the bandwidth of 811MHz~5.8GHz, the maximum gain of 11.7dB within the bandwidth, the noise figure of 2.58~5.11dB. The chip occupies the area of 0.7×0.9mm2, including pads. DC measurements reveal the power consumption of 12mW from a single 1.2V supply.

참고자료

· 없음