임베디드 NAND-형 플래시 메모리를 위한 Built-In Self Repair (Built-In Self Repair for Embedded NAND-Type Flash Memory)

서지정보

· 발행기관 : 한국정보처리학회
· 수록지 정보 : 정보처리학회논문지. 컴퓨터 및 통신시스템 / 3권 / 5호 / 129 ~ 140페이지
· 저자명 : 김태환, 장훈

초록

기존의 메모리에서 발생하는 다양한 고장들을 검출하기 위한 기법으로 BIST(Built-in self test)가 있고 고장이 검출되면 Spare를 할당하여수리하는 BIRA(Built-in redundancy analysis)가 있다. 그리고 BIST와 BIRA를 통합한 형태인 BISR(Built-in self repair)를 통해 전체 메모리의 수율을 증가시킬 수 있다. 그러나 이전에 제안된 기법들은 RAM을 위해 제안된 기법으로 RAM의 메모리 구조와 특성이 다른 NAND-형 플래시 메모리에 사용하기에는 NAND-형 플래시 메모리의 고유 고장인 Disturbance를 진단하기 어렵다. 따라서 본 논문에서는 NAND-형 플래시 메모리에서 발생하는 Disturbance 고장을 검출하고 고장의 위치도 진단할 있는 BISD(Built-in self diagnosis)와 고장 블록을 수리할 수 있는 BISR을 제안한다.

영어초록

BIST(Built-in self test) is to detect various faults of the existing memory and BIRA(Built-in redundancy analysis) is to repair detectedfaults by allotting spare. Also, BISR(Built-in self repair) which integrates BIST with BIRA, can enhance the whole memory’s yield.
However, the previous methods were suggested for RAM and are difficult to diagnose disturbance that is NAND-type flash memory’sintrinsic fault when used for the NAND-type flash memory with different characteristics from RAM’s memory structure. Therefore, thispaper suggests a BISD(Built-in self diagnosis) to detect disturbance occurring in the NAND-type flash memory and to diagnose thelocation of fault, and BISR to repair faulty blocks.

참고자료

· 없음