인하대 VLSI 설계 2주차 inverter

소개

인하대 VLSI 설계 및 프로젝트 실습 2주차 Inverter 결과보고서입니다! 2022년 1학기에 수강하여 작성했고 보고서 쓰는데 유용하게 이용해주셨으면 좋겠네요

목차

1. 실습 이론
2. 실습 내용
3. 실습 결과 및 분석

본문내용

• inverter는 [N well, Poly-Si, P+ diffusion, N+ diffusion, contact, Metal]로 총 6개의 Mask를 사용하여 그릴 수 있다.
1) N well: PMOS 트랜지스터를 p – type body위에 올리기 위한 층이며 Diffusion 또는 ion-implanting을 통해 만들 수 있다.
2) PMOS, NMOS의 Gate: 얇은 산화막 위에 Poly-Si(다결정 실리콘) 층이 얹어져 Gate를 구성하는데 Chemical vapor deposition이라는 공정을 거쳐 층이 형성된다.
3) P+ diffusion: P+ diffusion을 통해 PMOS의 Source와 Drain부분을 만든다. 이는 Gate를 장벽으로 하여 Diffusion부분이 Gate의 양쪽으로 자동 정렬되는 Self-aligned 방식을 따른다.
4) N+ diffusion: N+ diffusion을 통해 NMOS의 Source와 Drain부분을 만든다. N+ diffusion 또한 Self-aligned 방식을 따른다.
5) contact: 각각의 Device들을 연결시켜 준다.

참고자료

· 없음