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전류원 및 전류 미러 회로 예비결과보고서2025.01.021. 전류원 전류원(current source)는 상황에 관계없이 항상 일정한 전류를 보내려고 하는 회로를 의미한다. 이상적인 전류원의 경우 상황에 영향을 받지 않겠지만 현실에서는 상황에 따라 전류에 영향을 주기도 한다. 대표적인 전류원으로 BJT, FET가 있다. 전류원의 내부 임피던스(Zin)가 작을수록 좋으며, 내부 임피던스는 최대한 크게 해줄수록 좋다. JFET 전류원은 드레인-소스 포화전류에서 동작하도록 바이어스된 JFET를 사용하며, BJT 전류원은 트랜지스터의 특성을 이용하여 구현한다. 2. 전류 미러 전류 미러는 한쪽...2025.01.02
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기초전자실험 - 24장 전류원 및 전류 미러 회로2025.04.301. 전계효과 트랜지스터 (JFET) JFET는 전압을 증폭시키는 트랜지스터로, 유니폴라 소자이며 한 종류의 캐리어에 의해 전류가 형성된다. JFET는 BJT보다 온도적으로 더 안정되어 있어 트랜지스터의 손상 위험이 큰 직접회로에 많이 사용된다. JFET의 특성으로는 V_GS=0V, V_DS>0일 경우 n채널의 내부 전자들이 양의 전위인 드레인쪽으로 이동하여 소스방향으로 전류가 흐르며, V_GS<0V일 경우 소스쪽의 공핍영역이 커져 n채널의 전자흐름을 방해하여 전류량이 0A가 된다. 2. 전류원 전류원은 부하의 조건에 상관없이 항상...2025.04.30
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전기전자공학실험-전류원 및 전류 미러 회로2025.04.301. 전계효과 트랜지스터 (JFET) JFET는 전압을 증폭시키는 트랜지스터이며, 유니폴라 소자로 한 종류의 캐리어에 의해 전류가 형성된다. JFET는 BJT보다 온도적으로 더 안정되어 있어 트랜지스터의 손상 위험이 큰 직접회로에 많이 사용된다. JFET의 특성으로는 V_GS=0V, V_DS>0일 경우 n채널의 내부 전자들이 양의 전위인 드레인쪽으로 이동하여 소스방향으로 전류가 흐르며, V_GS<0V일 경우 소스쪽의 공핍영역이 커져 n채널의 전자흐름을 방해하게 된다. 2. 전류원 전류원은 부하의 조건에 상관없이 항상 일정한 전류를 ...2025.04.30
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울산대학교 전기전자실험 13. 전류원 및 전류 미러 회로2025.01.121. JFET 전류원 JFET을 이용한 회로에서 부하저항을 20Ω, 100Ω, 150Ω으로 변경해가며 전류를 측정했을 때 10.1mA, 10.3mA, 10.2mA으로 저항값의 변화에도 관계없이 약 10mA의 전류를 공급해줄 수 있다는 것을 확인할 수 있었다. 이는 JFET 전류원 회로가 부하저항 변화에 영향을 받지 않고 일정한 전류를 공급할 수 있음을 보여준다. 2. BJT 전류원 BJT를 이용한 회로에서 부하저항을 3.6kΩ과 5.1kΩ으로 변경하면서 전류를 측정했는데 두 회로 모두 1.04mA의 전류가 측정되었다. 이를 통해 B...2025.01.12
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서강대학교 22년도 전자회로실험 11주차 결과레포트2025.01.131. 전류원 및 전류미러 전자회로실험 예비/결과 보고서실험 11주차. 전류원 및 전류미러/MOSFET 차동 증폭기분반조학번이름시작15:00종료17:30실험시작/종료시간 기재(통계목적임)예비보고서는 아래 각 문항 중 (예비)라고 되어 있는 부분을 수행하여 작성한다.결과보고서는 측정결과 및 분석을 추가하고, 설계과제를 수행하여 결과를 작성한다.회로 구성 사진 및 측정화면 사진은 실험 조원의 학생증 등 ID 가 보이도록 촬영함 2. MOSFET 차동 증폭기 전자회로실험 예비/결과 보고서실험 11주차. 전류원 및 전류미러/MOSFET 차동...2025.01.13
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울산대학교 전기전자실험 14. 전류원 및 전류 미러 회로2025.01.121. 공통 source 회로의 바이어스 공통 source 회로의 바이어스에 대해 설명하고 있습니다. Shockley 방정식을 통해 구한 해 중 하나는 V_P와 I_DSS 범위 내에 있지만 다른 하나는 이 범위 밖에 있어 타당하지 않은 값이라고 설명하고 있습니다. 2. 이론값과 측정값의 오차 이론값과 측정값 사이에 가장 큰 오차가 발생한 이유는 이전 실험에서 사용한 JFET의 I_DSS가 8mA로 측정되어 이번 실험에서 이론값을 8mA로 두고 구했기 때문이라고 설명하고 있습니다. 3. 트랜지스터의 동작 V_DS와 V_DG의 차이를 통...2025.01.12
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[A+] 전자회로설계실습 8차 결과보고서2025.05.101. 단일 Current Mirror 구현 및 측정 NMOS를 이용하여 단일 Current Mirror를 직접 설계한 뒤에 DMM을 사용하여 설계한 회로의 전압, 전류, 저항 등을 측정 및 기록하였다. 단일 Current Mirror의 전류 오차는 0.6%였고, 10mA에 근접하여 저항 값을 조절하지 않아도 되었다. 측정한 결과를 통해 단일 Current Mirror의 출력 저항을 계산할 수 있었다. 2. Cascode Current Mirror 구현 및 측정 NMOS를 이용하여 Cascode Current Mirror를 직접 설계...2025.05.10
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전자공학응용실험 ch17 능동부하가 있는 공통 소오스 증폭기 예비레포트2025.05.031. 능동 부하가 있는 공통 소오스 증폭기 이 실험에서는 정전류원과 전류 거울을 이용한 능동 부하가 있는 공통 소오스 증폭기 회로를 구성하고, 이를 바탕으로 공통 소오스 증폭기의 전압 이득을 구하고자 한다. 능동 부하는 아날로그 증폭기에서 널리 사용되고 있으며, 간단한 공통 소오스 증폭기에 적용함으로써 특성을 정확하게 파악할 수 있다. 2. 전류 전원 및 전류 미러 집적 회로 설계의 바이어싱은 일정한 전류 전원을 이용한다. 전류 미러는 바이어싱에 사용될 뿐만 아니라, 때때로 전류 증폭기로도 쓰인다. 전류 전원과 전류 미러는 유한한 ...2025.05.03
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전자회로실험 A+ 14주차 결과보고서(Current Mirror)2025.05.101. NMOS Current Mirror NMOS Current Mirror 회로를 구성하고 입력 전류와 출력 전류를 측정하여 전류 전달 비율을 계산했습니다. 또한 저항을 단락시키면서 노드 D의 전압과 전류를 측정하여 출력 저항을 계산했습니다. 2. Cascode Current Mirror Cascode Current Mirror 회로를 구성하고 입력 전류와 출력 전류를 측정하여 전류 전달 비율을 계산했습니다. 또한 저항을 단락시키면서 노드 D의 전압과 전류 변화를 측정하여 출력 저항을 계산했습니다. 3. Wilson Current...2025.05.10
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(22년) 중앙대학교 전자전기공학부 전자회로설계실습 결과보고서 8. MOSFET Current Mirror 설계2025.04.301. 단일 Current Mirror 구현 및 측정 10V의 Power Supply 전압을 인가하고 단일 MOS Current Mirror 회로를 구현해 transistor M1, M2의 VGS1, VGS2, VDS1, VDS2를 측정하고 IO와 IREF를 계산하였다. 측정 결과 VGS1, VGS2, VDS1, VDS2의 오차율은 각각 5.53%, 5.96%, 5.96%, 13.76%로 매우 낮아 PSPICE 시뮬레이션 결과와 거의 일치했고 IO, IREF 또한 오차율 9.75%, -2.24%로 PSPICE 시뮬레이션 결과와 거의 ...2025.04.30
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