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아주대학교 A+전자회로실험 실험7 예비보고서2025.05.091. Class Amplifier Class A 증폭기는 입력 신호의 전체 위상(0~360DEG)을 모두 증폭할 수 있으며, 왜곡 없이 증폭되므로 선형성이 매우 잘 유지된다. 하지만 DC 전력소모가 커서 전력 효율이 낮다. Class B 증폭기는 각 트랜지스터가 입력의 50% 위상(180DEG)만 증폭하며, DC current path가 없으므로 전력 효율이 좋다. 하지만 출력 파형의 왜곡이 심하다. Class AB 증폭기는 Class B 증폭기의 crossover distortion을 막기 위해 무신호 시에도 약간의 bias를 걸...2025.05.09
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페로브스카이트 LED 제작 및 성능 측정 pre-report2025.05.161. PEDOT:PSS PEDOT:PSS는 전도성 고분자의 하나로, 비정질 ITO와 비슷한 전기적 특성을 가지고 있으며 가시광 영역에서 투과도가 우수하고 용액공정이 가능한 장점이 있다. 일반적으로 낮은 전기전도도를 가지고 있지만 가볍고 견고하며 화학적 내구성 등의 장점으로 다양한 투명전극으로 응용되고 있다. 2. 페로브스카이트 소자 페로브스카이트 소자는 페로브스카이트의 광흡수층의 양 쪽으로 electron transport layer과 hole transport layer이 접합된 구조를 가진다. 빛에 의해 생성된 전자와 정공을 각...2025.05.16
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트랜지스터의 직류 특성2025.05.151. 트랜지스터의 구조 트랜지스터는 이미터, 베이스, 콜렉터라고 불리는 3개의 서로 다른 단자로 구성되어 있으며 2개의 접합면을 형성하고 있다. 이들 두 접합면의 상호작용으로 트랜지스터 작용이 이루어진다. 트랜지스터는 npn 또는 pnp 구조로 구분된다. 2. 트랜지스터의 동작 모드 트랜지스터는 선형(활성) 모드, 차단 모드, 포화 모드, 불활성 모드 등 4개의 서로 다른 모드로 동작한다. 트랜지스터의 선형 모드는 베이스-이미터 접합은 순방향으로, 콜렉터-베이스 접합은 역방향으로 바이어스 된 상태에서 동작된다. 3. 트랜지스터의 전...2025.05.15
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[세종대학교] [전자정보통신공학과] [기초반도체] 2022 HW032025.05.031. 반도체 도핑 문제에서는 p형 반도체 판에 빛을 조사하여 과잉 캐리어가 생성되는 상황을 다루고 있습니다. 도핑된 반도체의 특성과 과잉 캐리어의 농도 분포 및 시간에 따른 변화를 계산하고 그래프로 나타내는 것이 주요 내용입니다. 2. 전자 확산 전류 문제 3에서는 실리콘 내 전자 농도가 선형적으로 변하는 경우의 전자 확산 전류를 계산하는 문제를 다루고 있습니다. 3. 홀 및 전자 확산 전류 문제 4에서는 홀 농도와 전자 농도가 지수 함수적으로 변하는 경우의 홀 및 전자 확산 전류를 계산하는 문제를 다루고 있습니다. 4. 반도체 내...2025.05.03
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전자회로 실험 12. JFET의 특성 실험2025.05.111. JFET의 동작 원리 JFET 소자는 게이트와 소스 사이의 역방향 바이어스 전압의 크기에 의해 드레인 전류를 제어함으로써 드레인단에 증폭된 전압을 얻는 전압제어형 소자이다. 이 게이트 전압을 변화시킴으로써 채널의 폭이 변화하고 그에 따라 전류가 변화하게 된다. 2. JFET의 드레인 특성곡선 실험 결과 V_DS가 3.0V~6.0V사이에서는 I_D가 거의 변하지 않는 것으로 보아, 일정 전류원을 가지는 영역이라고 볼 수 있고, 이러한 점의 전압을 핀치오프 전압이라고 한다. 따라서 핀치오프 전압은 약 3.0V라고 할 수 있다. 3...2025.05.11
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트랜지스터를 이용한 회로 실험 결과 보고서2025.01.031. 트랜지스터의 동작 원리 이 실험에서는 트랜지스터의 기본적인 동작 원리와 3가지 동작 모드(선형 동작 영역, 포화 동작 영역, 차단 동작 영역)를 이해하고자 하였다. 트랜지스터의 증폭 특성을 확인하기 위해 이미터 공통 회로를 구성하고 전압, 전류 등을 측정하여 트랜지스터의 동작을 분석하였다. 또한 실제적인 이미터 공통 증폭기 회로를 구성하여 교류 신호에 대한 증폭 특성과 내부 저항을 계산하였다. 2. 트랜지스터 회로의 특성 곡선 및 부하선 실험 결과를 통해 트랜지스터 회로의 V_CE-I_C 특성 곡선과 부하선을 확인할 수 있었다...2025.01.03
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전자회로 다이오드 응용회로 실험보고서2025.05.091. 다이오드 다이오드란, p형 반도체와 n형 반도체를 접합시켜 각 반도체 영역에 금속성 접촉과 리드선이 연결된 소자로 한쪽 방향으로만 전류를 흘릴 수 있고 다른 방향으로는 전류를 차단하는 기능을 한다. 이러한 성질을 이용하여 input으로 들어간 교류를 직류로 변환하는 등의 정류회로를 구성하는 데 사용한다. 2. 반파정류회로 반파정류회로란, 양과 음 중 한 쪽 Vin만 출력시키는 회로이다. 그림1의 회로에서 Vout은 Vin이 VD,ON 을 초과할 때까지 0을 유지하는데, 이 점에서 D1은 켜지고 VOUT = Vin – VD,ON...2025.05.09
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일반물리학실험 반도체정류회로 결과레포트2025.05.151. 다이오드 다이오드는 반도체의 PN 접합에 바탕을 두고 있다. PN 다이오드에서 전류는 P형 반도체(anode) 면에서 N형 반도체(cathode) 면으로만 흐를 수 있다. 접합 후 공핍층이 형성되며, 다이오드의 전류-전압 특성은 순방향 바이어스와 역방향 바이어스 두 동작영역으로 나눠 설명할 수 있다. 다이오드의 가장 중요한 기능은 한쪽 방향으로만 전류를 흐르게 하는 정류작용이다. 2. 전파 정류 회로 전파 정류 회로는 중간 탭이 있는 변압기와 정류 소자를 조합하여 정류하는 회로 방식이다. 2개의 반도체를 사용하는 방식과 4개의...2025.05.15
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다이오드 직렬 및 병렬연결 예비리포트2025.11.161. 다이오드 동작 원리 DC 전압이 공급될 경우 다이오드 회로 해석은 다이오드의 켜짐/꺼짐 상태 판정이 중요하다. 다이오드 양단 전압이 임계 전압 이상일 경우 이상적 스위치 소자로 간주하며, 이하일 경우 꺼진 상태로 판정한다. 켜진 상태에서는 임계전압으로 대체하여 해석하고, 역방향 바이어스 인가 시 개방회로로 해석한다. 실제 회로에서는 비선형으로 동작하며 임계전압이 정확히 0.7V가 아니다. 2. 직렬 다이오드 연결 특성이 다른 다이오드를 직렬로 연결한 경우의 동작을 분석한다. 순방향 바이어스 시 측정 데이터에서 VD는 약 4.9...2025.11.16
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화학실험 예비레포트 6. 이온과 전기전도도2025.05.141. LED LED는 p-형 반도체와 n-형 반도체를 접합하여 p-n 접합을 만들고, 여기에 순방향의 전압을 걸어주어 전자나 정공이 p-n 접합 부분에서 재결합하며 빛을 방출하도록 한 장치이다. LED에서 방출하는 여러 가지의 다양한 색을 얻기 위해서 여러 가지 종류의 많은 반도체가 사용되고, 각각의 반도체에 따라서 LED에서 빛을 방출하기위해서 필요한 최소한의 전압은 서로 다르다. 보통은 붉은색 또는 오렌지색의 LED는 ~2V의 forward voltage를 가지는데, 초록색 또는 푸른색 LED는 ~3.5V의 forward vol...2025.05.14
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