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전기에너지개론 강의요약: 전자회로, 전력계통, 마이크로그리드2025.11.141. 전자회로 기초 전자회로는 선형소자(저항, 커패시터, 인덕터)와 비선형소자(다이오드, BJT, MOSFET)로 구성된 회로입니다. 전자회로 내에서 신호 증폭, 노이즈 제거, 주파수 분석 등의 동작이 이루어집니다. 반도체는 도체와 부도체 사이의 물질로, 실리콘이 대표적입니다. 에너지 밴드 다이어그램으로 도체, 부도체, 반도체의 특성을 설명할 수 있으며, 반도체에 도핑하여 N-type과 P-type 반도체를 만들 수 있습니다. pn 접합을 통해 다이오드를 제작하며, 이상적인 다이오드는 Forward-bias에서 전류를 흐르게 하고 ...2025.11.14
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BJT IV 특성 실험 레포트2025.05.081. BJT(Bipolar Junction Transistor) BJT(Bipolar Junction Transistor)는 2개의 PN 접합 구조로 되어있으며, n-p-n형, 혹은 p-n-p형이 있다. 총 3개의 전극으로 이루어져 있으며, 각각 Emitter, Base, Collector이다. Emitter는 전류가 흐르게 하도록 전자를 주입하게 되고, Base는 전류의 흐름을 제어하며, Collector는 Transistor에서 증폭된 전류를 받게 된다. 2. BJT의 동작 모드 BJT는 Emitter-Base와 Base-Col...2025.05.08
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다이오드 기본특성 실험 결과보고서2025.11.161. 실리콘 다이오드의 순방향 바이어스 특성 P형과 N형 반도체를 접합한 PN 다이오드에서 순방향 바이어스는 Anode에 양극, Cathode에 음극을 연결하는 상태입니다. 실리콘 다이오드의 장벽전위는 0.7V에서 형성되며, 이 전압을 넘으면 Anode에서 Cathode 방향으로 전류가 흐릅니다. 실험 결과 0.6V~0.7V 부근에서 전류가 선형적으로 증가하기 시작하였으며, 이는 이론적 내용 및 모의실험과 일치합니다. 2. 실리콘 다이오드의 역방향 바이어스와 누설전류 역방향 바이어스는 Anode에 음극, Cathode에 양극을 연결...2025.11.16
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JFET 특성 및 바이어스 회로 실험2025.11.161. JFET(접합 전계효과 트랜지스터)의 구조 및 동작원리 JFET는 P형 반도체 중간에 N형 반도체로 둘러싼 단극 소자로, Channel, Gate, Drain, Source로 구성된다. N채널의 경우 Drain에 높은 양의 전압을, Gate에 낮은 전압을 공급하면 Depletion 영역이 형성되어 Gate-Source 전압에 의해 채널 크기가 조절되고, 이를 통해 Drain에서 Source로 흐르는 전류량을 제어할 수 있다. BJT와 달리 매우 높은 입력저항을 가지며 게이트-소스 간 전압으로 전류 흐름을 제어한다. 2. Sho...2025.11.16
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반도체와고분자화학기초설계및실험) DSSC의 광전효율 및 고분자물질의 열적특성에 대한 레포트2025.01.201. DSSC 1991년 스위스 로잔공대의 미카엘 그라첼 연구팀이 발표한 연료 감응형 태양전지(Dye- Sensitized Solar Cells, DSSC)는 나노 다공질 TiO2 전극막, 광응형 염료, 전해질, 상대전극으로 구성되어진 전기화학적 원리를 응용한 신형 태양전지이다. 이 전지는 기존의 p-n 접합 태양전지들이 빛의 흡수에 의해 형성된 전자-정공 쌍의 분리에 의해 발전을 일으키는 것과 달리, 전기화학적인 원리에 의해 발전을 일으키는 화학적 습식 태양전지이다. 1. DSSC DSSC (Dye-Sensitized Solar ...2025.01.20
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전기전자공학실험-A급 및 B급 전력 증폭기 (2)2025.04.301. pnp형 트랜지스터 pnp형 트랜지스터는 npn형 트랜지스터와 방향이 반대이므로 회로를 구성할 때 주의해야 한다. 2. B급 증폭기 설계 B급 증폭기를 설계할 때 피크전압이 앞의 것과 똑같이 나타나 회로의 효율이 완벽하게 실험이 가능했다. 3. 출력 전력 계산 책에 나온 출력 전력을 사용할 때는 rms값인지, peak값인지, p-p값인지 주의하여 값을 계산해야 한다. 4. A급 증폭기 효율 A급 증폭기의 최대 효율 25%는 초과할 수 없다는 것을 확인했다. 5. B급 증폭기 다이오드 B급 증폭기의 다이오드 2개는 파형이 0.7...2025.04.30
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전자공학실험 4장 BJT 기본 특성 A+ 예비보고서2025.01.131. npn형 BJT의 기본 동작 원리 npn형 BJT는 'n형 반도체(Emitter)-p형 반도체(Base)-n형 반도체(Collector)'의 결합으로 이루어진 트랜지스터로, V_E와 V_B, V_C의 크기 관계에 따라 EBJ(이미터와 베이스 간 결합), CBJ(컬렉터와 베이스 간 결합)영역에서 다이오드가 순방향, 역방향으로 나뉘게 되어 총 4가지의 동작 영역이 존재한다. 즉 V_BE, V_CB의 크기를 조절함으로써 전류의 방향과 크기를 제어한다. 2. npn형 BJT의 4가지 동작 영역 npn형 BJT는 V_E와 V_B, V_...2025.01.13
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[부산대 이학전자실험] 6. Op amp-32025.01.021. 비교기 회로 비교기 회로는 전압을 비교하는 데 적합하다. 입력전압이 다른 입력단자의 기준전압을 초과하면 출력 측이 자신의 상태를 정해진 한계 값으로 변경하도록 되어 있다. 똑같은 크기의 전압일 경우 출력은 0이다. 비교기에서 전압증폭도는 낮지만 반응시간이 빠르다. 2. 다이오드 다이오드는 전류를 한쪽으로만 흐르게 하는 정류작용을 하는 전자 부품이다. 순방향 바이어스 시 전류가 잘 흐르지만 역방향 바이어스 시 전류가 흐르지 않는다. 이러한 정류 특성으로 교류를 직류로 변환하는 데 사용된다. 3. 발광 다이오드 발광 다이오드는 P...2025.01.02
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물리화학실험 basic electronics 실험보고서2025.05.051. 다이오드 다이오드는 2개의 단자를 갖는 전자 부품으로 한쪽에는 낮은 저항을, 다른쪽에는 높은 저항을 둬 전류가 한쪽으로만 흐를 수 있게하는 물질이다. 오늘날 가장 많이 쓰는 다이오드는 반도체 다이오드로 P-N접합을 포함한 소재에 연결되어있다. 실험에서 사용한 다이오드도 pn접합 다이오드로 실리콘 다이오드가 가장많이 만들어진다고 한다. 실험 결과 게르마늄 다이오드는 0.3~0.4V에서, 실리콘 다이오드는 0.5~0.7V정도에서 전류값이 갑자기 증가하는 것을 보였는데, 이는 각자의 문턱저항을 의미한다. 문턱저항 이상에서는 전류가 ...2025.05.05
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실험 04_BJT 기본 특성 예비 보고서2025.04.271. BJT의 기본 동작 원리 BJT는 N형과 P형 반도체를 샌드위치 모양으로 접합한 구조로, 이미터, 베이스, 컬렉터라는 3개의 단자로 구성된다. 베이스 단자의 전류가 컬렉터 단자의 전류나 이미터 단자의 전류에서 증폭되는 특성을 가지므로, 증폭기로 사용될 수 있다. 이 실험에서는 BJT의 기본적인 동작 원리를 살펴보고, 전류-전압 특성 및 동작 영역을 실험을 통하여 확인한다. 2. BJT의 동작 영역 BJT는 모형과 n형 반도체 3개를 결합하여 만든 소자로서, 그 구성에 따라서 npn형과 pnp형으로 나뉜다. npn형 BJT의 동...2025.04.27
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