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중앙대 전전 전자회로설계실습 예비보고서 Common Emitter Amp2025.05.021. Common Emitter Amplifier 설계 이 보고서는 Emitter 저항을 삽입한 Common Emitter Amplifier 설계에 대한 내용을 다루고 있습니다. 주요 내용으로는 증폭기의 입력전압 감소를 위한 저항 설계, PSPICE를 이용한 회로 시뮬레이션, 출력파형 분석 등이 포함되어 있습니다. 1. Common Emitter Amplifier 설계 Common Emitter Amplifier는 가장 기본적인 트랜지스터 증폭기 회로 중 하나입니다. 이 증폭기는 입력 신호를 증폭하여 출력 신호를 생성하는 역할을 합...2025.05.02
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Common Emitter Amplifier 설계 예비보고서2025.04.271. Common Emitter Amplifier 설계 이 보고서는 R_{sig} =50 ohm, R_{L} =5k ohm, V_{CC} =12V 인 경우, B=100인 NPN BJT를 사용하여 R_{in}이 k ohm 단위이고 amplifier gain(v_{o} /v_{in})이 -100V/V이며 emitter 저항 사용한 Common Emitter Amplifier를 설계, 구현, 측정, 평가하는 내용을 다루고 있습니다. 보고서에는 회로 설계, 시뮬레이션, 측정 및 특성 분석 등의 내용이 포함되어 있습니다. 1. Common ...2025.04.27
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BJT의 에미터 바이어스 및 콜렉터 궤환 바이어스 회로2025.01.121. 에미터 바이어스 회로 에미터 바이어스 회로는 고정 바이어스 회로에 저항을 하나 추가한 형태로 만들 수 있으며, 고정 바이어스 회로보다 안정된 동작을 보여준다. 에미터 바이어스 회로에서는 β값이 안정적이라는 것을 관찰할 수 있었다. 2. 콜렉터 궤환 바이어스 회로 콜렉터 궤환 바이어스 회로는 고정 바이어스 회로에서 베이스 저항을 콜렉터로 궤환시킨 구조로, 적은 부품을 사용할 수 있으며 안정된 동작을 보여준다. 콜렉터 궤환 바이어스에서는 I_C값이 안정적이라는 것을 관찰할 수 있었다. 3. 바이어스 회로 비교 7장과 8장에서 실험...2025.01.12
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교류및전자회로실험 실험9-1 트랜지스터 기초실험 예비보고서2025.01.171. 트랜지스터 트랜지스터는 N형 반도체와 P형 반도체를 NPN 혹은 PNP의 격층구조로 조합한 소자이고, Collector, Emitter, Base라고 하는 세개의 단자가 있다. 트랜지스터의 주단자는 Collector와 Emitter이며, 트랜지스터의 전류는 Collector에서 Emitter로 소자를 관통하여 흐르는 전류 IC를 말한다. 트랜지스터의 특성은 이들 두 변수 사이의 전압-전류 간 관계를 의미하며, base 단의 전류를 변화시킴으로써 특성곡선을 변화시켜 줄 수 있다. 따라서 base는 트랜지스터의 동작을 사용자가 제...2025.01.17
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반도체소자공학 이론(BJT, FET)2025.05.111. 반도체 소자 반도체 소자의 기본 원리와 구조에 대해 설명합니다. 주요 내용으로는 pn 접합, 전하 캐리어, 전계 효과 트랜지스터(FET) 등이 포함됩니다. 2. 바이폴라 접합 트랜지스터(BJT) 바이폴라 접합 트랜지스터(BJT)의 동작 원리와 특성에 대해 설명합니다. 주요 내용으로는 에미터-베이스 접합, 베이스-콜렉터 접합, 전하 캐리어 흐름 등이 포함됩니다. 3. 전계 효과 트랜지스터(FET) 전계 효과 트랜지스터(FET)의 동작 원리와 특성에 대해 설명합니다. 주요 내용으로는 채널, 게이트, 소스, 드레인 등의 구조와 전하...2025.05.11
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A+맞은_전기전자기초실험2_일반실험8_결과보고서_BJT전압-전류특성,(degenerated)common emitter2025.05.101. BJT 전류-전압 특성 실험을 통해 BJT의 전류-전압 특성을 분석하였다. 이론적 계산과 모의실험 결과를 실험 결과와 비교하여 BJT의 동작 특성을 확인하였다. 베이스 전류가 증가함에 따라 콜렉터 전류가 선형적으로 증가하는 것을 확인하였고, 이론적 계산 값과 실험 결과가 유사함을 확인하였다. 2. Common Emitter 증폭회로 Common Emitter 증폭회로의 동작을 이론적으로 계산하고 모의실험을 통해 검증하였다. 베이스 저항 값에 따라 최대 전압 이득을 얻을 수 있는 콜렉터 저항 값을 찾았으며, 실험 결과와 비교하여...2025.05.10
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[전자공학응용실험]12주차_8차실험_실험 20 차동 증폭기 기초 실험_예비레포트_A+2025.01.291. MOSFET 차동 증폭기 이 실험에서는 MOSFET을 사용한 차동 쌍의 동작을 위한 기본 조건을 살펴보고 기본적인 측정을 통해 검증하고자 합니다. 또한 부하 저항을 연결한 MOSFET 차동 증폭 회로를 구성하여 특성을 분석합니다. 차동 증폭기는 집적회로 설계에서 중요한 기본 회로 중 하나로, 능동 부하와 전류 거울 회로를 이용하여 설계할 수 있습니다. 1. MOSFET 차동 증폭기 MOSFET 차동 증폭기는 전자 회로 설계에서 매우 중요한 역할을 합니다. 이 회로는 두 개의 MOSFET 트랜지스터를 사용하여 입력 신호를 증폭하...2025.01.29
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실험 07_이미터 팔로워 결과보고서2025.04.281. 이미터 팔로워 증폭기 이미터 팔로워는 출력 임피던스가 작기 때문에 작은 부하 저항을 구동하는 데 많이 사용된다. 이 실험에서는 이미터 팔로워의 동작 원리를 살펴보고, 증폭기의 전압 이득 및 특성을 실험을 통하여 확인하고자 한다. 2. BJT 증폭기 구조 BJT를 이용한 기본적인 세 가지 증폭기 중에서 공통 이미터 증폭기를 [실험 06]에서 실험하였다. 이번 실험은 나머지 두 가지 증폭기 구조 중 이미터 팔로워에 대한 실험이다. 3. 이미터 팔로워 회로 분석 실험을 통해 이미터 팔로워 회로의 DC 조건, 입력-출력 전달 특성, ...2025.04.28
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전류원 및 전류거울 실험2025.01.021. 전류원 및 전류거울 이 실험에서는 트랜지스터의 특성을 이용하여 전류원과 전류거울 회로를 구현하고 그 특성을 분석합니다. 전류원 회로에서는 트랜지스터의 베이스-이미터 전압을 조정하여 원하는 DC 전류를 생성하고, 전류거울 회로에서는 두 개의 트랜지스터를 이용하여 기준 전류를 복사하는 방식으로 동일한 전류를 생성합니다. 이를 통해 전류원과 전류거울의 동작 원리와 특성을 이해할 수 있습니다. 1. 전류원 및 전류거울 전류원과 전류거울은 전자회로 설계에서 매우 중요한 역할을 합니다. 전류원은 일정한 전류를 공급하는 회로 소자로, 전압...2025.01.02
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[A+인증] 회로실험 레포트 모음2025.01.231. 트랜지스터 특성 곡선 측정 이번 실험에서는 NPN형 트랜지스터에서 베이스의 전류에 따라 컬렉터의 전류가 달라짐을 관찰했습니다. 또한, 베이스에 걸리는 전류에 따른 컬렉터와 에미터 사이에 걸린 전류를 나타내는 특성 곡선을 도출했습니다. 실험 결과를 통해 트랜지스터의 증폭 작용은 베이스 전류에 의해 결정된다는 것을 알 수 있었습니다. 다만 일부 오차가 발생한 원인으로는 가변 저항 조정의 어려움, 도선 저항, 발열 현상 등을 들 수 있습니다. 1. 트랜지스터 특성 곡선 측정 트랜지스터 특성 곡선 측정은 전자공학 분야에서 매우 중요한...2025.01.23
