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전자공학실험 6장 공통 이미터 증폭기 A+ 예비보고서2025.01.131. BJT 소신호 등가회로 BJT 소신호 등가회로는 트랜지스터의 선형적인 증폭을 얻기 위해 소신호 AC 전압을 입력 전압으로 하는 등가 회로 모델이다. 컬렉터 전류 i_c는 g_m에 비례하며, 소신호 출력 전압 v_o의 크기는 r_o에 비례한다. 따라서 r_o는 컬렉터 전류에 반비례한다. 2. 공통 이미터 증폭기의 동작 원리 공통 이미터 증폭기에서 입력 v_I는 베이스-이미터 전압 v_BE이고, 출력 v_0는 컬렉터-이미터 전압 v_CE이다. 베이스-이미터 사이의 소신호 입력 전압에 비례하는 전류가 컬렉터에 흐르고, 이 전류가 출...2025.01.13
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Emitter Follower와 Class A Amplifier 실험 보고서2025.11.161. Emitter Follower (CC 증폭기) Emitter Follower는 CC 증폭기로 불리며 이득이 1에 가깝고 출력 저항이 매우 작은 회로다. 높은 입력 임피던스와 낮은 출력 임피던스를 특징으로 하여 부하에 충분한 전압을 전달할 수 있다. 실험에서 입력 임피던스는 매우 높지만 출력 임피던스는 27.78Ω으로 매우 작음을 확인했다. 2N3904 트랜지스터를 사용하여 DC 및 AC 특성을 측정하고 부하 저항 연결 시 출력 임피던스 변화를 관찰했다. 2. Class A Amplifier (공통 이미터 회로) Class A ...2025.11.16
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전류원 및 전류 미러 회로 실험2025.11.161. 전류원 회로 회로이론에서 부하에 무관하게 일정한 전류를 공급하는 전류원을 사용한다. JFET 전류원에서는 충분한 전압 VDD가 공급될 때 VGS=0V이므로 부하저항 RL의 값에 관계없이 일정한 전류 IDSS가 흐른다. BJT 전류원 회로에서는 에미터 저항 RE가 베이스 저항들에 비해 B배 크므로 RE의 영향을 무시할 수 있어 VB가 일정한 전압이 된다. 에미터 전압과 전류는 VE=VB-0.7V, IE=(VE-(-10))/RE≈IL로 표현된다. 2. 전류 미러 회로 전류 미러 회로는 저항 Rx를 흐르는 전류가 부하 RL에 똑같이...2025.11.16
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JFET 특성 및 바이어스 회로 실험2025.11.161. JFET(접합 전계효과 트랜지스터)의 구조 및 동작원리 JFET는 P형 반도체 중간에 N형 반도체로 둘러싼 단극 소자로, Channel, Gate, Drain, Source로 구성된다. N채널의 경우 Drain에 높은 양의 전압을, Gate에 낮은 전압을 공급하면 Depletion 영역이 형성되어 Gate-Source 전압에 의해 채널 크기가 조절되고, 이를 통해 Drain에서 Source로 흐르는 전류량을 제어할 수 있다. BJT와 달리 매우 높은 입력저항을 가지며 게이트-소스 간 전압으로 전류 흐름을 제어한다. 2. Sho...2025.11.16
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BJT 1-Large Signal Analysis 1_예비레포트2025.01.121. BJT 소자의 구조 및 동작 원리 BJT 소자는 3개의 불순물 영역으로 구성되어 있으며, Emitter, Base, Collector로 명명된다. NPN 트랜지스터와 PNP 트랜지스터로 구분된다. Emitter-Base 접합은 순방향으로, Base-Collector 접합은 역방향으로 바이어스된다. BJT의 동작 영역은 Cut-Off, Active, Saturation 영역으로 나뉘며, 이에 따라 다른 특성을 보인다. 2. BJT의 특성 실험 실험을 통해 BJT의 IC-VCE 특성과 Beta 특성을 확인하였다. 실험 회로 1-a...2025.01.12
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A+ 전자회로설계실습_Common Emitter Amplifier 설계2025.01.211. Common Emitter Amplifier 설계 이 프레젠테이션에서는 Rsig = 50 Ω, RL = 5 kΩ, VCC = 12 V인 경우, β=100인 NPN BJT를 사용하여 Rin이 kΩ단위이고 amplifier gain(υo/υin)이 –100 V/V인 emitter 저항을 사용한 Common Emitter Amplifier를 설계, 구현, 측정, 평가하는 내용을 다루고 있습니다. 설계 과정에서 Early effect를 무시하고 이론부의 overall voltage gain(υo/υsig) Gv에 대한 식을 사용하여 ...2025.01.21
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트랜지스터 실습22025.01.041. 트랜지스터의 동작 영역 이번 실습에서는 양극성 접합 트랜지스터의 세 가지 동작 영역(컷오프 영역, 활성 영역, 포화 영역)에 대해 실습하였습니다. 컷오프 영역에서는 베이스-에미터 전압이 낮아 콜렉터 전류가 흐르지 않으며, 활성 영역에서는 베이스 전류에 비례하여 콜렉터 전류가 흐르는 것을 확인하였습니다. 포화 영역에서는 베이스-에미터 전압이 높아져 콜렉터 전류가 더 이상 증가하지 않는 것을 관찰하였습니다. 2. 트랜지스터의 정전류원 회로 활성 영역에서 트랜지스터의 콜렉터 전류는 베이스 전류에만 비례하므로, 베이스-에미터 전압을 ...2025.01.04
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트랜지스터 소신호 공통 컬렉터 교류증폭기 실험2025.11.121. 공통 컬렉터 증폭기 공통 컬렉터 증폭기는 트랜지스터의 컬렉터를 공통으로 접지하고 베이스에 입력신호를 인가하며 이미터에서 출력을 얻는 증폭회로입니다. 이 구성은 높은 입력임피던스와 낮은 출력임피던스를 특징으로 하며, 전압이득은 1에 가까우나 전류이득이 크고 임피던스 정합에 유리합니다. 주로 버퍼 증폭기나 임피던스 변환기로 사용됩니다. 2. 소신호 교류증폭 소신호 교류증폭은 트랜지스터가 선형영역에서 동작할 때 작은 신호의 변화를 증폭하는 과정입니다. 직류 바이어스점 주변에서 교류신호의 작은 변화를 다루며, 이때 트랜지스터의 동적 ...2025.11.12
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트랜지스터의 기본 동작 원리와 특성 분석2025.05.041. 트랜지스터의 기본 동작 원리 트랜지스터는 기본적으로 두 가지 형태인 2극 접합 트랜지스터(BJT)와 필드효과 트랜지스터(FET)가 있다. 이번 실험에서는 BJT 중 npn 트랜지스터를 사용했다. npn 트랜지스터는 n형 반도체와 p형 반도체가 접합된 구조로, 이미터-베이스-컬렉터 단자로 구성된다. 트랜지스터는 차단동작영역, 선형동작영역, 포화동작영역의 3가지 동작 모드를 가진다. 실험을 통해 각 동작 모드의 특성을 확인할 수 있었다. 2. 트랜지스터의 증폭 특성 실험 2에서 베이스 전류 I_B와 컬렉터 전류 I_C의 관계를 확...2025.05.04
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전자회로(개정4판) - 생능출판, 김동식 지음 / 4장 연습문제 풀이2025.01.021. 바이폴라 접합 트랜지스터의 포화 및 차단 특성 1. 트랜지스터가 포화되기 위해서는 베이스-에미터 전압이 일정 값 이상이 되어야 한다. 포화가 되기 위한 베이스-에미터 전압의 최소값은 약 0.7V이다. 2. 트랜지스터가 차단되기 위해서는 베이스-에미터 전압이 0.7V 미만이 되어야 한다. 3. 트랜지스터의 포화 및 차단 특성을 분석하기 위해 KVL(Kirchhoff's Voltage Law)을 적용하여 관련 수식을 도출할 수 있다. 2. 트랜지스터의 등가 회로 및 파라미터 계산 4. 트랜지스터의 등가 회로를 이용하여 컬렉터-에미...2025.01.02
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