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중앙대 전자회로 설계 실습 예비보고서 8_MOSFET Current Mirror 설계2025.01.111. MOSFET Current Mirror 설계 이 보고서는 MOSFET Current Mirror 설계에 대한 내용을 다루고 있습니다. 단일 Current Mirror 설계와 Cascode Current Mirror 설계에 대해 설명하고 있으며, 각 회로의 설계 과정과 시뮬레이션 결과를 제시하고 있습니다. 단일 Current Mirror 설계에서는 2N7000 MOSFET을 이용하여 10mA의 전류원을 설계하는 과정을 보여주며, Cascode Current Mirror 설계에서는 10mA의 Cascode 전류원을 설계하는 과정을...2025.01.11
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[A+]전자회로설계실습 예비보고서 82025.01.041. N-Type MOSFET을 이용한 Current Mirror 설계 이 보고서의 목적은 N-Type MOSFET을 사용하여 단일 Current Mirror와 Cascode Current Mirror를 설계하고 측정하여 current mirror를 이용한 전류원의 전기적 특성을 이해하는 것입니다. 보고서에는 Current Source 회로 설계를 위한 2N7000 MOSFET의 특성 분석, IREF = 10 mA인 전류원 설계를 위한 VGS 및 R1 값 계산 등의 내용이 포함되어 있습니다. 1. N-Type MOSFET을 이용한 ...2025.01.04
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중앙대 전자회로 설계 실습 결과보고서3_Voltage Regulator 설계2025.01.111. DC Power Supply DC Power Supply는 직류전압을 공급하는 회로를 만들 때 중요한 계측기이다. 따라서 DC Power supply를 이해하는 것이 중요하다. 변압기, 다이오드, 커패시터를 이용하여 브리지 방식의 정류회로를 구성하였고 오실로스코프로 교류 성분의 파형을 알아보았다. 2. 정류회로 설계 다이오드를 이용해 브리지 방식의 정류회로 형태의 DC Power supply를 구성하였다. Function generator의 Amplitude를 5 V, Frequency를 10 ㎑의 입력신호를 회로에 공급하였고...2025.01.11
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중앙대 전자회로설계실습 결과5.BJT와 MOSFET을 사용한 구동(Switch)회로 A+2025.01.271. BJT와 MOSFET을 사용한 구동(Switch)회로 이 프레젠테이션은 중앙대학교 전자회로설계실습 수업의 결과물로, BJT(바이폴라 접합 트랜지스터)와 MOSFET(금속-산화물-반도체 전계 효과 트랜지스터)을 사용한 구동(스위치) 회로를 설계하고 구현한 내용을 다루고 있습니다. 실험 과정에서 LED 구동 회로를 구현하고 측정하였으며, 회로의 동작 특성과 소비 전력 등을 분석하였습니다. 실험 결과에서 약 20%를 넘는 오차율이 발생했는데, 이는 설계 과정에서 사용한 저항값과 실제 실험에서 사용한 저항값의 차이, 다이오드 불량 등...2025.01.27
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[A+] 중앙대학교 전기회로 설계실습 예비보고서 4. Thevenin등가회로 설계2025.04.291. 브리지 회로 브리지 회로에서 R1에 걸리는 전압과 R2에 흐르는 전류를 nodal analysis를 통해 구하였다. R1에 걸리는 전압은 약 5V이고, R2에 흐르는 전류는 약 1A이다. 2. Thevenin 등가회로 설계 부하를 제거하고 전압원을 단락시켜 Thevenin 등가저항 Rth를 구하였다. 그리고 부하를 제거한 상태에서 양단의 전압을 측정하여 Thevenin 등가전압 Vth를 구하였다. 이를 통해 Thevenin 등가회로를 설계하였다. 3. Thevenin 등가회로 실험 Thevenin 등가저항 Rth를 측정하기 위...2025.04.29
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[A+] 중앙대학교 전기회로 설계실습 결과보고서 9. LPF와 HPF 설계2025.04.291. RC 직렬 회로 이번 실험에서는 RC 직렬 회로에 대한 실험을 진행했습니다. 입력 전압에 대하여 커패시터 전압의 위상은 9.6 [㎲]만큼 lagging 하였고, 이론값과의 오차율은 7.50%였습니다. 커패시터 전압의 크기 측정값과 이론값의 오차율은 3.90%였습니다. 리사쥬 패턴 파형을 통해 구한 위상의 오차율은 3.30%였습니다. 2. RL 직렬 회로 이번 실험에서는 RL 직렬 회로에 대한 실험도 진행했습니다. 입력 전압에 대하여 인덕터 전압의 위상은 15.2 [㎲]만큼 leading 하였고, 이론값과의 오차율은 5.41%였...2025.04.29
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아날로그및디지털회로설계실습 (예비)설계실습 5. 전압제어발진기 A+2025.01.291. 슈미츠 회로의 특성 실험에 사용될 IC(UA741)의 데이터시트를 참조하여 중요한 전기적 특성을 확인하였습니다. 주요 특성으로는 공급전압 범위, 입력전압 범위, 입력 오프셋 전압, 이득대역폭 곱, 출력전압 스윙 범위, 입력 저항 등이 있습니다. 이러한 특성을 고려하여 실험 설계를 해야 합니다. 2. 슈미츠 트리거 회로 설계 PSPICE 시뮬레이션을 통해 Vdd=+5V, Vth=2.5V인 슈미츠 트리거 회로를 설계하였습니다. 저항 R1과 R2의 값을 계산하여 회로를 구현하였고, DC sweep 시뮬레이션 결과 Vth가 2.5V인...2025.01.29
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[전기회로설계실습] 설계 실습 12.수동소자의 고주파특성 측정방법의 설계2025.05.131. RC 회로 RC 회로에서는 낮은 주파수 100 Hz에서는 저항 전압의 크기가 입력 전압 크기보다 작고, 위상도 lagging 하지만, 주파수가 증가함에 따라 위상차가 점점 줄어들고 전압의 크기가 비슷해진다. 1kHz에서는 저항 전압 파형이 입력 전압 파형과 위상 차도 없는 동일한 파형이 관측된다. 1MHz에서는 저항 전압 파형의 위상이 leading하고 전압의 크기가 작아지다가, 더 주파수를 높이면 전압크기의 차이가 커졌다. 주파(1MHz 이상) 영역에서 주파수 응답 양상은 전달함수와 다르며, 고주파 영역에서 커패시터가 인덕터...2025.05.13
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전자회로설계 및 실습5_BJT와 MOSFET을 사용한 구동(switch)회로_예비보고서2025.01.221. BJT와 MOSFET을 이용한 RTL switch 회로 설계 및 구현 이 보고서에서는 BJT와 MOSFET을 이용하여 TTL 레벨의 전압(5V)으로 동작하는 RTL switch 회로를 설계하고 구현하여 relay 또는 LED를 구동하고 그 동작을 측정 및 평가하는 것을 목적으로 합니다. 보고서에는 BJT 기반 LED 구동 회로 설계, MOSFET 기반 LED 구동 회로 설계, 구동 회로 측정 방법 등이 자세히 설명되어 있습니다. 2. BJT 기반 LED 구동 회로 설계 보고서에서는 BJT 2N3904를 사용하여 BL-B4531...2025.01.22
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아날로그 및 디지털 회로 설계 실습 (예비) 설계 실습 2. Switching Mode Power Supply (SMPS) A+2025.01.291. PWM 제어 회로 설계 PWM 칩(UC3845)을 이용하여 출력전압 0 V ~ 10 V (peak to peak), 스위칭 주파수 12.5 kHz의 PWM 제어 회로를 설계하였습니다. PWM 제어 회로와 Buck Converter 회로를 이용하여 스위칭 주파수 12.5 kHz, 입력 전압 5 V, 출력 전압 2.5 V의 SMPS를 설계하였습니다. 또한 PWM 제어 회로와 Boost Converter 회로를 이용하여 스위칭 주파수 12.5 kHz, 입력 전압 5 V, 출력 전압 10 V의 SMPS를 설계하였습니다. 2. Buck...2025.01.29
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