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부산대 기초전기전자실험 결과보고서 5,6주차 A+보고서 1등보고서2025.05.161. RC 회로 RC 회로의 임피던스와 위상각을 실험을 통해 측정하고 이론값과 비교하였습니다. R=1k옴, C=47nF일 때 입력전압 1Vp-p, 1kHz 정현파에 대한 실험값과 이론값이 유사하게 나타났습니다. 2. RL 회로 RL 회로에서 주파수에 따른 전압-전류의 위상차를 실험하고 이론값과 비교하였습니다. L=22mH, R=1k옴일 때 1kHz에서는 실험값 6.02도, 이론값 7.87도, 10kHz에서는 실험값 51.32도, 이론값 54.11도로 유사한 결과를 보였습니다. 3. RLC 직렬 공진회로 RLC 직렬 공진회로에서 주파...2025.05.16
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아주대학교 기초전기실험 A+ 결과보고서 Ch. 15 (DC)2025.05.031. IEEE 윤리헌장 IEEE 윤리헌장의 정신에 입각하여 보고서를 작성하였음을 서약하고 있습니다. 이 헌장은 IEEE 회원들이 기술이 삶의 질에 미치는 중요성을 인식하고, 전문직으로서의 의무와 책임을 받아들이는 것을 담고 있습니다. 2. RC 회로 특성 분석 RC 회로에서 저항과 커패시터의 특성을 분석하였습니다. 회로 구성, 전압 측정, 시간 상수 계산 등을 통해 RC 회로의 동작을 이해하고 실험 결과와 이론값을 비교하였습니다. 일부 오차가 발생한 것은 저항에서의 열 손실과 전압 측정 시 사람의 반응 시간 등이 원인으로 분석되었습...2025.05.03
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반전비반전증폭기 결과보고서2025.11.161. 반전비반전증폭기 반전비반전증폭기는 연산증폭기(Op-Amp)를 이용한 기본적인 증폭 회로로, 반전 입력과 비반전 입력을 모두 활용하여 신호를 증폭하는 장치입니다. 이 회로는 입력 신호의 극성을 유지하면서 증폭하는 특성을 가지며, 게인 조절이 용이하고 입력 임피던스가 높아 다양한 신호 처리 응용에 사용됩니다. 2. 연산증폭기 응용회로 연산증폭기(Op-Amp)는 전자회로에서 신호 증폭, 필터링, 적분, 미분 등 다양한 연산 기능을 수행하는 핵심 소자입니다. 반전비반전증폭기는 이러한 연산증폭기의 기본 응용회로 중 하나로, 피드백 저항...2025.11.16
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MOSFET 소자 특성 측정 및 설계실습2025.11.181. MOSFET 기본 특성 및 파라미터 MOS Field-Effect Transistor(MOSFET)는 전압 제어형 반도체 소자로, 게이트 전압에 따라 드레인-소스 간 채널이 형성되어 전류가 흐르는 원리로 동작한다. 임계전압(Vth)은 채널이 형성되기 위한 최소 게이트 전압이며, 2N7000 소자의 경우 데이터시트에서 약 2.1V로 측정된다. 드레인 전류(Id)는 게이트 전압 변화에 따라 선형 영역과 포화 영역에서 다르게 나타나며, 이를 통해 소자의 동작 특성을 파악할 수 있다. 2. MOSFET 동작 영역 분석 MOSFET은 ...2025.11.18
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테브냉 정리 기초실험 결과보고서2025.11.121. 테브냉 정리(Thevenin's Theorem) 테브냉 정리는 전기회로 이론의 핵심 정리로, 복잡한 선형 회로를 간단한 등가회로로 변환하는 방법입니다. 임의의 선형 회로는 테브냉 등가전압원과 테브냉 등가저항으로 구성된 간단한 회로로 표현될 수 있으며, 이를 통해 회로 분석을 단순화하고 부하 저항에 따른 전류와 전압 변화를 쉽게 계산할 수 있습니다. 2. 등가회로 변환 복잡한 전기회로를 테브냉 등가회로로 변환하는 과정은 개방회로 전압(Vth)과 테브냉 등가저항(Rth)을 구하는 것입니다. 개방회로 전압은 부하가 없을 때 측정되며...2025.11.12
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전기회로설계실습 결과보고서82025.05.151. 인덕터의 특성 이번 실습을 통해 인덕터의 특성을 이해하고 RL회로의 과도응답을 이해할 수 있었습니다. 사각파 형태로 전압이 입력될 때 인덕터를 포함한 회로의 전압이 exponential 형태로 증가하고 감소한다는 것을 확인했습니다. 또한 시정수의 5배 이상의 주기를 가져야 인덕터가 완전히 충전, 방전된다는 것을 알게 되었습니다. 2. RL 회로의 과도응답 이번 실습에서는 RL 회로의 과도응답을 실험적으로 확인할 수 있었습니다. 사각파 입력에 대한 저항과 인덕터의 전압 파형을 측정하여 이론적인 예상과 비교할 수 있었습니다. 주기...2025.05.15
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[A+보고서]전자회로실험-연산증폭기(op amp)2025.01.171. 연산 증폭기 연산 증폭기(operation amplifier)는 처음에는 이름대로 증폭과 가산, 감산, 미분, 적분 등의 연산을 수행하기 위해 만들어져 아날로그 컴퓨터에 이용되던 소자이다. 연산 증폭기가 하는 일은 두 입력 V_in1, V_in2의 '차이'를 '증폭'시켜 출력으로 내보내는 것이다. 이를 식으로 나타내면 V_out=A_o(V_in1-V_in2)이다. 여기서 A_0는 전압이득, 즉 전압 증폭도이며 이 연산 증폭기가 몇 배로 증폭을 하는지 나타낸 값이다. 기본적인 연산증폭기에 출력 신호의 일부를 다시 입력으로 넣어주...2025.01.17
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[전자공학응용실험]3주차_1차실험_실험11 공통 소오스 증폭기_예비레포트_A+2025.01.291. 공통 소오스 증폭기 공통 소오스 증폭기의 동작 원리와 특성을 설명하고 있습니다. 입력 전압에 따른 MOSFET의 동작 영역(차단, 포화, 트라이오드)과 각 영역에서의 드레인 전류 및 출력 전압 특성을 수식으로 표현하고 있습니다. 또한 MOSFET의 소신호 등가회로를 이용하여 트랜스컨덕턴스와 출력 저항을 구하는 방법을 설명하고 있습니다. 2. MOSFET 소신호 등가회로 MOSFET을 선형적인 증폭기로 동작시키기 위해 DC 바이어스 전압과 소신호 전압을 동시에 인가하는 방법을 설명하고 있습니다. 이를 통해 MOSFET의 소신호 ...2025.01.29
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한양대 에리카 일반물리학실험2 RLC회로 PBL 보고서2025.04.251. RLC 회로 실험 팀 활동을 통해 멀티미터를 사용하지 않고 미지 저항과 용량을 알아내는 탐구 활동을 진행하였다. RC 회로를 설계하고 각 미지 부품을 연결하여 전압과 전류의 위상관계를 분석하여 저항과 축전기를 구분해냈다. 이후 RC 회로의 시간상수 관계식을 이용하여 저항값을 계산하고 실제 측정값과 비교하였다. 또한 사각파 그래프를 이용하여 시간상수를 구하고 이를 통해 축전 용량을 계산하였다. 마지막으로 RLC 회로의 임피던스 관계식을 이용하여 축전 용량을 구하는 방법에 대해 논의하였다. 1. RLC 회로 실험 RLC 회로 실험...2025.04.25
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중앙대 전자회로 설계 실습 결과보고서2_Op Amp의 특성측정 방법 및 Integrator 설계2025.01.111. Op Amp의 특성 측정 이 실험에서는 Op Amp의 특성을 측정하고 분석하였습니다. Offset Voltage, Offset Current와 같은 Op Amp의 한계를 이해하고, Integrator 회로에서 발생하는 Slew-rate 현상을 실험적으로 측정하였습니다. 실험 결과를 이론값과 비교 분석하여 Op Amp의 내부 구조와 작동 원리에 대해 이해할 수 있었습니다. 2. Integrator 회로 설계 Integrator 회로를 설계하고 실험하였습니다. RF 값에 따른 출력 파형의 변화를 관찰하고, PSPICE 시뮬레이션 ...2025.01.11
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