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성인간호학 24시간 심전도(홀터검사) 정리2025.01.031. 부정맥 부정맥은 어떤 원인에서든지 맥박이 정상적으로 뛰고 있지 않는 상태를 말합니다. 부정맥에는 서맥성 부정맥과 빈맥성 부정맥, 그리고 조기 박동이 있습니다. 서맥성 부정맥에는 동기능부전과 방실전도차단이 있고, 빈맥성 부정맥에는 심방성 빈맥, 방실접합부 의존성 빈맥, 심실성 빈맥이 있습니다. 조기 박동은 심장 박동이 정상적으로 나와야 할 때보다 더 빨리 나오는 것을 말합니다. 1. 부정맥 부정맥은 심장의 정상적인 리듬이 깨지는 상태를 말합니다. 이는 심장이 규칙적으로 뛰지 않고 빨리 뛰거나 느리게 뛰는 것을 의미합니다. 부정맥...2025.01.03
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[일반생물학실험]효모 관찰2025.05.111. 효모의 특성과 구조 효모는 단세포로 주로 출아법에 의해 증식하는 진균류를 총칭하며, 진핵세포로 구형, 난형 또는 타원형이다. 세포분열은 주로 출아법에 의해 일어나지만 분열법 혹은 출아분열법에 의한 것도 있다. 효모는 같은 진균류에 속하는 곰팡이와는 달리 균사와 격막이 없고 단세포로 존재하며, 토양, 공기, 물속, 과실의 표면 등 자연계에 광법위하게 분포한다. 2. 효모의 생식 방법 효모는 유성생식과 무성생식을 통해 번식한다. 유성생식은 암컷과 수컷의 결합으로 새로운 개체를 만드는 방법이며, 무성생식에는 2분법, 출아법, 포자법...2025.05.11
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전자공학실험 6장 공통 이미터 증폭기 A+ 예비보고서2025.01.131. BJT 소신호 등가회로 BJT 소신호 등가회로는 트랜지스터의 선형적인 증폭을 얻기 위해 소신호 AC 전압을 입력 전압으로 하는 등가 회로 모델이다. 컬렉터 전류 i_c는 g_m에 비례하며, 소신호 출력 전압 v_o의 크기는 r_o에 비례한다. 따라서 r_o는 컬렉터 전류에 반비례한다. 2. 공통 이미터 증폭기의 동작 원리 공통 이미터 증폭기에서 입력 v_I는 베이스-이미터 전압 v_BE이고, 출력 v_0는 컬렉터-이미터 전압 v_CE이다. 베이스-이미터 사이의 소신호 입력 전압에 비례하는 전류가 컬렉터에 흐르고, 이 전류가 출...2025.01.13
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용접법 특징 및 종류2025.05.101. 용접법 분류 용접법은 열원에 따라 가스 용접, 아크 용접, 고에너지빔 용접 등으로 분류할 수 있다. 가스 용접은 산소-아세틸렌 가스를 사용하고, 아크 용접은 전기 아크를 이용하며, 고에너지빔 용접은 전자빔이나 레이저 빔을 사용한다. 각 용접법은 장단점이 있어 용도와 재료에 따라 적절한 방법을 선택해야 한다. 2. 아크 용접 아크 용접은 전기 아크를 이용하여 모재와 용접봉을 용융시켜 접합하는 방법이다. 아크 용접에는 피복 아크 용접, 가스 텅스텐 아크 용접, 가스 금속 아크 용접 등 다양한 방식이 있다. 아크 용접은 용접 속도가...2025.05.10
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외과적 응급상황 정리 [연조직 손상, 화상, 전기화상, 번개손상, 신체손상, 복부손상, 다발성 외상, 흉부외상, 중추신경계 외상, 근골격계 외상]2025.05.101. 연조직 손상 연조직 손상에는 기계적 손상, 화상, 화학물질에 의한 화상, 전기에 의한 화상 등이 있다. 기계적 손상의 경우 개방성 손상은 감염의 위험이 크므로 이물질을 제거하지 않고 상처를 깨끗이 세척하는 것이 중요하다. 화상의 경우 1도, 2도, 3도로 구분되며 3도 화상은 반드시 피부이식이 필요하다. 화상 환자의 후송 기준은 호흡기계 손상, 강산이나 전기에 의한 화상, 체표면적 30% 초과, 기저질환 있는 경우, 3도 화상 10% 초과, 얼굴/손/발/성기 화상 등이다. 화학물질이나 전기, 번개에 의한 화상도 각각 특징적인 ...2025.05.10
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Diffusion (반도체)2025.05.081. Diffusion (반도체) Diffusion(원자의 무작위 점프에 의한 이동)은 반도체에 도펀트와 불순물을 주입하는 데 사용됩니다. 이는 원자적 접근과 현상론적 접근의 두 가지 측면이 있습니다. 원자적 접근은 확산되는 물질의 원자적 특성과 호스트 격자를 다루며, 현상론적 접근은 연속체로 고체를 대체하고 결합 확산으로 원자 플럭스를 설명합니다. 불순물 도핑의 이유는 저항률 제어, 낮은 접촉 저항, 게이트 불순물 농도 제어, 스위칭 속도, 얕은 접합 깊이 등입니다. 도핑 방법에는 결정 성장 중 도핑, 고상 확산, 기상 확산 등이...2025.05.08
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교류및전자회로실험 실험9-2 트랜지스터 기본회로 실험 예비보고서2025.01.171. 트랜지스터의 운전상태 트랜지스터의 운전상태는 cutoff, saturation, active 상태로 나뉜다. cutoff 상태에서는 IB가 0이고 트랜지스터가 open되어 있다. saturation 상태에서는 IB가 충분히 커서 저항이 0에 가까운 short 상태이다. active 상태는 두 상태의 중간이며 IC와 IB에 비례한다. 2. 트랜지스터 스위치 트랜지스터를 스위치로 사용할 때는 cutoff 상태와 saturation 상태로 동작한다. 작은 신호로 큰 전류를 스위칭할 수 있다. LED 점멸 회로를 통해 트랜지스터 스위...2025.01.17
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건축계획에서 고려할 구조계획2025.05.131. 단면가정 건축계획에서 고려할 구조계획에서는 단면가정이 중요한 요소입니다. 하중을 고려한 단면 가정, 처짐을 고려한 단면 가정 등이 필요합니다. 슬래브와 보의 최소 두께, 고강도 철근 사용 시 주의사항 등이 포함됩니다. 2. 보 설계 보 설계에서는 처짐 만족 여부 확인, 발생하는 휨모멘트와 전단력을 고려한 단면 계획, 고강도 철근 사용 시 주의사항, 정착길이를 고려한 단면 계획 등이 중요합니다. 3. 기둥 설계 기둥 설계에서는 계수하중에 의한 축하중 산정, 콘크리트와 철근의 강도 결정, 단면 내 철근비 결정, 축력과 휨모멘트에 ...2025.05.13
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중앙대학교 3학년 1학기 전자회로설계실습 결과보고서6: Common Emitter Amplifier 설계2025.05.141. Common Emitter Amplifier 설계 Common Emitter Amplifier를 설계하였다. 직류 전압에서의 회로에서 Vb, Vc, Ve를 측정한 후 Ic, Ie, Av를 구한 후 simulation 값과 비교하였다. 최대 오차율은 2.27%로 성공적인 실험이었다. 100kHz, 20 mVpp의 주파수를 넣은 실험에서도 같은 과정을 반복하였다. 오차율은 최대 3.21%로 만족스런 실험이었다. 2. BJT 동작 원리 EBJ는 forward bias, CBJ는 reverse bias에 두어 BJT를 active m...2025.05.14
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[신소재공학과]반도체특성평가_신소재공학실험III_A+2025.05.101. 태양전지 구조 태양전지는 빛 에너지를 전기 에너지로 변환하는 광전(photo-voltaic)소자로 일반적으로 하나의 접합 실리콘 태양전지는 최대 약 0.5~0.6V의 개로전압(open-circuit voltage)를 생산할 수 있다. 태양전지에 사용되는 물질은 1.5eV에 가까운 밴드갭(Eg)을 가져야하며 대표적으로 실리콘, GaAs, CdTe, CulnSe2 등이 사용된다. 태양전지 소자의 구조는 N-Type Layer와 P-Type Layer가 위아래로 있으며 그 접합부에는 P-N Junction이 생겨 전류가 발생할 수 ...2025.05.10
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