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전자회로설계실습 4번 예비보고서2025.01.201. MOSFET 소자 특성 측정 이 보고서는 MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) 소자의 특성을 측정하고 분석하는 내용을 다루고 있습니다. 주요 내용은 MOSFET의 문턱전압(VT), 전류계수(kn), 전압이득(gm) 등의 파라미터를 데이터시트와 시뮬레이션을 통해 구하고 비교하는 것입니다. 또한 MOSFET 회로를 구성하고 시뮬레이션을 수행하여 입출력 특성을 분석하는 내용도 포함되어 있습니다. 1. MOSFET 소자 특성 측정 MOSFET(Metal-Oxide-Se...2025.01.20
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연산증폭기(OP-AMP) 응용 실험 결과보고서2025.11.181. 반전증폭기(Inverting Amplifier) 반전증폭기는 입력 신호를 증폭하면서 출력 신호의 위상을 180도 반전시키는 회로입니다. 실험 결과 입력 저항에 따른 출력 전압과 전압 이득의 변화를 측정했으며, 오차율은 약 4~5% 수준으로 매우 낮게 나타났습니다. 입력 저항이 높아질수록 전압 이득이 낮아지는 특성을 확인했고, 프로테우스 8 시뮬레이션과의 비교에서도 큰 차이가 없음을 검증했습니다. 2. 비반전증폭기(Non-Inverting Amplifier) 비반전증폭기는 입력 신호를 증폭하면서 출력 신호의 위상을 유지하는 회로...2025.11.18
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아주대학교 A+전자회로실험 실험3 결과보고서2025.05.091. 미분기 회로 실험 1에서는 미분기 회로의 특성을 알아보고, 회로를 구성한 후 측정한 출력 값을 이론, 시뮬레이션 값과 비교하여 입/출력 전압 관계식을 검증하였다. 실험 결과 이론, 시뮬레이션 값과 비교했을 때 오차가 3%~7%정도로 크지 않았으며, 미분기의 입출력 관계식이 V_o = -R_F C dV_i/dt와 같음을 확인할 수 있었다. 또한 미분기가 차단주파수 이상의 고주파에서 반전증폭기로 동작하는 것도 관찰할 수 있었다. 2. 반전증폭기 실험 결과에서 미분기 회로가 차단주파수 이상의 고주파에서 반전증폭기로 동작하는 것을 확...2025.05.09
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Common Emitter Amplifier 설계 및 구현2025.11.181. Common Emitter Amplifier 설계 Rsig=50Ω, RL=5kΩ, VCC=12V, β=100인 NPN BJT 2N3904를 사용하여 입력저항이 kΩ단위이고 증폭이득이 -100V/V인 Common Emitter Amplifier를 설계한다. Early effect를 무시하고 부하저항에 최대전력이 전달되도록 RC를 결정하며, emitter 저항을 삽입하여 회로의 안정성을 향상시킨다. 설계 과정에서 gm, IC, IB, IE, VC, VE, RE, R1, R2 등의 값을 계산하고 입력저항 Rin을 구한다. 2. PS...2025.11.18
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BaTiO3 구조 분석 및 상전이 온도 측정2025.11.181. X선 회절법(XRD) X선 회절법은 결정면 사이의 경로차를 이용하여 물질의 결정구조를 분석하는 기법입니다. Bragg의 법칙을 만족할 때 보강간섭이 발생하여 회절 피크가 나타나며, 피크의 위치와 강도는 물질의 고유한 특징입니다. 본 실험에서 BaTiO3는 1100°C에서 24시간 가열하여 입방정 구조를 확인했으며, 격자상수 a값은 약 4.0Å로 JCPDS 표준값과 일치했습니다. 피크의 예리함으로부터 시료의 결정성과 순도를 평가할 수 있습니다. 2. 시차 주사 열량계(DSC) DSC는 온도 변화에 따른 시료의 에너지 변화를 측정...2025.11.18
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공통 소오스 증폭기 실험 결과 보고서2025.01.021. 공통 소오스 증폭기 이번 실험에서는 공통 소오스 증폭기 회로를 구현하고 실험을 진행했습니다. 실험 과정에서 이상과 현실의 차이, 장비의 한계 등으로 인해 교재의 실험 절차와 다른 방식으로 실험을 진행했습니다. 입력 전압을 변화시키면서 출력 전압을 측정하여 전압 이득을 계산했고, 입출력 임피던스도 구했습니다. 실험 결과, 약 10.6배의 전압 이득이 발생했으며, 입출력 임피던스 계산 시 약 20%의 오차가 발생했습니다. 이는 AC 전압 인가 시 전류 측정의 어려움 때문인 것으로 보입니다. 또한 바이어스 회로를 포함한 공통 소오스...2025.01.02
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스마트 생산과 자동화: 센서와 엑추에이터2025.11.141. 센서의 특성 및 분류 센서는 공정에서 나오는 물리량을 전기신호로 변환하는 트랜스듀서입니다. 센서의 8가지 특성은 정확도(실제값과 출력값의 평균), 정밀도(반복측정 시 흩어짐 정도), 선형성(입출력 관계의 선형성), 사용범위(사용가능 범위), 드리프트(출력값의 경향성), 응답속도(원하는 지점까지의 도달시간), 민감도(입출력의 기울기), 히스테리시스(이전 상태에 따른 의존성)입니다. 정확도는 시스템 에러로 인해 발생하며 보정을 통해 개선 가능하고, 정밀도는 랜덤 에러로 인해 발생합니다. 2. 위치 및 거리 측정 센서 위치 측정 센...2025.11.14
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CMOS 인버터 설계 및 특성 분석 실험2025.11.181. CMOS 인버터 설계 공정 CMOS 인버터 설계는 웨이퍼 준비, n-well 형성, 활성 영역 정의, 게이트 형성, S/D 도핑, 어닐링, 컨택 형성, 금속화, 전극 형성 등 10단계의 공정으로 구성된다. 총 7개의 마스크(well, active region, poly, n-select, p-select, contact, metal mask)를 사용하여 미세한 패턴을 형성하고, 각 단계에서 산화막 증착, 식각, 이온 주입, 확산 등의 반도체 공정 기술이 적용된다. 2. 도핑 농도 및 접합 깊이 최적화 NMOS와 PMOS의 도핑...2025.11.18
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MOSFET Source Follower 증폭기 설계 및 특성 분석2025.11.181. Source Follower (Common Drain) 회로 Source follower는 MOSFET의 드레인을 공통으로 하는 회로 구성으로, AC 회로 변환을 통해 전압이득 A_V를 계산한다. 입력 임피던스 R_i는 R1과 R2의 병렬값이고, 출력 임피던스 R_o는 1/g_m과 R_S, r_o의 병렬값으로 표현된다. 이 회로는 버퍼로서의 역할을 하며 입력 임피던스는 크고 출력 임피던스는 작은 특성을 가진다. 2. MOSFET 전압이득 및 임피던스 특성 실험에서 측정된 전압이득 A_V는 0.942로, 이론값 0.99와 유사한...2025.11.18
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2023_아주대_기계공학기초실험_랩뷰실습2_만점 결과보고서2025.01.221. Labview와 DAQ를 이용한 아날로그 입출력 실습 이번 실험에서는 Labview와 DAQ를 사용하여 아날로그 입출력 실습과 디지털 입출력 실습을 진행하고, 데이터를 수집하여 분석해보았습니다. 또한 오실로스코프를 이용하여 프로그래밍의 결과를 비교해보았습니다. 실습 1-1에서는 난수 생성 프로그래밍을, 실습 1-2에서는 Sine 함수와 난수 생성 프로그래밍을, 실습 1-3에서는 Sine 함수와 노이즈가 있는 Sine 함수를 비교해보았습니다. 실습 1-4에서는 DAQ AO를 사용하여 아날로그 입출력 실습을 진행하고, 오실로스코프...2025.01.22
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