Common Emitter Amplifier 설계 및 구현
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중앙대 전자회로설계실습 예비보고서6
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2023.12.23
문서 내 토픽
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1. Common Emitter Amplifier 설계Rsig=50Ω, RL=5kΩ, VCC=12V, β=100인 NPN BJT 2N3904를 사용하여 입력저항이 kΩ단위이고 증폭이득이 -100V/V인 Common Emitter Amplifier를 설계한다. Early effect를 무시하고 부하저항에 최대전력이 전달되도록 RC를 결정하며, emitter 저항을 삽입하여 회로의 안정성을 향상시킨다. 설계 과정에서 gm, IC, IB, IE, VC, VE, RE, R1, R2 등의 값을 계산하고 입력저항 Rin을 구한다.
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2. PSPICE Simulation 및 특성 분석설계된 회로에 100kHz, 20mVpp 사인파를 입력하여 PSPICE로 시뮬레이션을 수행한다. 출력전압의 최대값과 최소값을 측정하고 Vmax/Vmin 비율을 백분율로 계산한다. 선형증폭기의 경우 100%가 되어야 하나 73.6%가 나온 것은 입력신호가 크기 때문이며, 선형성을 개선하기 위해 입력저항 Ri를 추가하여 2차 설계를 수행한다.
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3. 증폭기 측정 및 오실로스코프 설정100kHz 신호에 대해 오실로스코프의 수평축을 2.5μs/DIV, CH1 수직축을 5mV/DIV, CH2 수직축을 0.5V/DIV로 설정하여 입출력 신호를 동시에 관측한다. Function Generator의 내부저항 50Ω을 고려하여 20mVpp 출력을 위해 10mVpp로 설정해야 한다. 입력신호의 크기를 줄이기 위해 50Ω보다 작은 저항을 추가하여 Vmax/Vmin이 95% 이상이 되도록 조정한다.
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4. 회로 파라미터 변화에 따른 특성 분석Emitter 저항 RE를 ±10% 변경할 때 전체 전압이득의 변화를 분석한다. 전체 전압이득은 RE의 값에 반비례하는 특성을 보이며, RE 증가 시 이득이 감소하고 RE 감소 시 이득이 증가한다. 이는 emitter 저항이 회로의 안정성과 이득을 동시에 제어하는 중요한 요소임을 보여준다.
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1. Common Emitter Amplifier 설계Common Emitter Amplifier는 기본적이면서도 매우 중요한 증폭 회로입니다. 이 회로의 설계에서는 바이어싱, 임피던스 매칭, 주파수 응답 특성을 고려해야 합니다. 특히 베이스 저항, 컬렉터 저항, 이미터 저항의 선택이 증폭기의 이득, 입출력 임피던스, 안정성에 직접적인 영향을 미칩니다. 실무에서는 온도 변화와 소자 편차에 대한 안정성을 확보하기 위해 이미터 저항을 통한 음의 피드백을 활용하는 것이 중요합니다. 또한 커플링 커패시터와 바이패스 커패시터의 값 결정은 저주파 특성에 영향을 주므로 신중한 계산이 필요합니다.
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2. PSPICE Simulation 및 특성 분석PSPICE 시뮬레이션은 실제 회로 제작 전에 설계를 검증하는 효율적인 방법입니다. AC 분석을 통해 주파수 응답, 이득, 위상 특성을 파악할 수 있으며, DC 분석으로 정상 상태 동작점을 확인할 수 있습니다. 트랜지언트 분석은 시간 영역에서의 회로 동작을 관찰하는 데 유용합니다. 시뮬레이션 결과와 이론값의 비교를 통해 설계의 타당성을 검증할 수 있으나, 실제 소자의 비이상적 특성(누설 전류, 온도 계수 등)을 완벽히 반영하지 못할 수 있으므로 실험 결과와의 비교가 필수적입니다.
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3. 증폭기 측정 및 오실로스코프 설정오실로스코프를 이용한 증폭기 측정은 회로의 실제 동작을 확인하는 중요한 과정입니다. 적절한 프로브 선택, 임피던스 매칭, 접지 처리가 측정 정확도에 영향을 미칩니다. 신호 발생기의 주파수와 진폭을 체계적으로 변화시키면서 입출력 신호를 관찰하여 이득, 위상 차이, 비선형 왜곡을 평가할 수 있습니다. 특히 저주파와 고주파 특성을 파악하기 위해 주파수를 광범위하게 변화시켜야 하며, 신호의 안정성과 노이즈 레벨도 함께 고려해야 합니다.
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4. 회로 파라미터 변화에 따른 특성 분석회로 파라미터의 변화가 증폭기 특성에 미치는 영향을 분석하는 것은 설계 최적화와 안정성 평가에 필수적입니다. 베이스 저항 변화는 입력 임피던스와 바이어싱에 영향을 주고, 컬렉터 저항 변화는 이득과 출력 임피던스를 변경시킵니다. 이미터 저항은 피드백을 통해 이득 안정성을 개선하지만 이득을 감소시킵니다. 커패시터 값 변화는 주파수 응답의 대역폭을 결정합니다. 이러한 파라미터들의 상호작용을 체계적으로 분석하면 원하는 성능을 달성하는 최적의 설계점을 찾을 수 있습니다.
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전자회로설계실습 6번 예비보고서1. Common Emitter Amplifier 설계 이 문서는 NPN BJT를 사용하여 emitter 저항이 있는 Common Emitter Amplifier를 설계, 구현, 측정, 평가하는 내용을 다루고 있습니다. 주요 내용으로는 부하저항 결정, 바이어스 전압 계산, 입력저항 산출, PSPICE 시뮬레이션 결과 분석, 측정 및 특성 분석 등이 포함되어...2025.01.20 · 공학/기술
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중앙대 전자회로 설계 실습 예비보고서 6_Common Emitter Amplifier 설계1. Emitter 저항을 삽입한 Common Emitter Amplifier 설계 설계실습 6. Common Emitter Amplifier 설계에서 Emitter 저항을 사용한 Common Emitter Amplifier 회로를 설계하고자 합니다. Early effect를 무시하고 이론부의 overall voltage gain 식을 이용하여 부하저항에 ...2025.01.11 · 공학/기술
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전자회로설계실습 6차 예비보고서1. Common Emitter Amplifier 설계 Rsig = 50 Ω, RL = 5 kΩ, VCC = 12 V인 경우, β = 100인 NPN BJT를 사용하여 Rin이 kΩ단위이고 amplifier gain(vo/vin)이 –100 V/V이며 emitter 저항 사용한 Commom Emitter Amplifier를 설계, 구현, 측정, 평가한다. ...2025.05.10 · 공학/기술
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(22년) 중앙대학교 전자전기공학부 전자회로설계실습 예비보고서 6. Common Emitter Amplifer 설계1. Common Emitter Amplifier 설계 이 문서는 중앙대학교 전자전기공학부의 전자회로설계실습 예비보고서 6번 과제인 Common Emitter Amplifier 설계에 대한 내용을 다루고 있습니다. 이 과제의 목적은 NPN BJT를 사용하여 입력저항 50Ω, 부하저항 5kΩ, 전원전압 12V인 경우에 증폭기 이득이 -100V/V인 Commo...2025.04.30 · 공학/기술
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중앙대학교 전자회로설계실습 Common Emitter Amplifier 설계1. Common Emitter Amplifier 설계 전자회로 설계 및 실습 예비보고서에서 Common Emitter Amplifier 회로를 설계하는 과정이 설명되어 있습니다. 주요 내용으로는 Emitter 저항을 사용한 Common Emitter Amplifier 회로 설계, 이론부의 overall voltage gain 식을 이용한 부하저항 결정, ...2025.05.10 · 공학/기술
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A+ 전자회로설계실습_Common Emitter Amplifier 설계1. Common Emitter Amplifier 설계 이 프레젠테이션에서는 Rsig = 50 Ω, RL = 5 kΩ, VCC = 12 V인 경우, β=100인 NPN BJT를 사용하여 Rin이 kΩ단위이고 amplifier gain(υo/υin)이 –100 V/V인 emitter 저항을 사용한 Common Emitter Amplifier를 설계, 구현, ...2025.01.21 · 공학/기술
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[Common Emitter Amplifier 설계_6주차_결과보고서] 7페이지
[더블클릭 ? 20****** 김 * *]전자회로설계실습(결과보고서 - 6주차)4. Common Emitter Amplifier 설계4.1 Common Emitter Amplifier(1차 설계)의 구현 및 측정(A) Function generator를 제외한 1차 설계 회로를 가능한 한 그림 1과 거의 같은 배치로 breadboard에 구현한다. 커패시터는 10㎌을 사용하며 극성에 주의한다. 사용한 소자들의 실제 값을 측정, 기록한다.C _{C``1}의 입력단자를 접지한 상태에서 12V를V _{CC}에 인가하고 base, coll...2022.06.06· 7페이지 -
설계실습 6. Common Emitter Amplifier 설계 8페이지
전자회로 설계 및 실습6. Common Emitter Amplifier 설계 결과보고서1. 목적Rsig =50 Ω, RL =5kΩ, VCC =12 V인 경우, β=100인 NPN BJT를 사용하여Rin이 kΩ단위이고 amplifier gain(υo/υin)이 100 V/V이며 emitter 저항 사용한Common Emitter Amplifier를 설계, 구현, 측정, 평가한다.3. 설계실습 계획서3.1 Emitter 저항을 삽입한 Common Emitter Amplifier 설계4. 설계실습 내용 및 분석※ 다른 지시가 없다면 측정...2021.09.14· 8페이지 -
중앙대 전자회로설계실습 결과보고서7 5페이지
4.1 Common Emitter Amplifier(2차 설계)의 구현 및 측정(A) Function Generator를 제외한 3.1 (A) 회로를 가능한 한 그림 1과 거의 같은 배치로 breadboard에 구현한다. 커패시터는 10 ㎌을 사용하며 극성에 주의 한다. 사용한 소자들의 실제 값을 측정, 기록한다. 의 입력단자를 접지한 상태에서 12 V를 에 가하고 base, collector, emitter의 직류 전압을 측정, 기록한다. 또 측정된 전압을 이용하여 collector, emitter의 전류를 계산,...2024.03.26· 5페이지 -
Common Emitter Amplifier 설계 결과보고서 4페이지
설계실습6.Common Emitter Amplifier 설계4. 설계실습 내용 및 분석4.1 Common Emitter Amplifier(1차 설계)의 구현 및 측정(A) Function generator를 제외한 1차 설계 회로를 가능한 한 그림 1과 거의 같은 배치로 breadboard에 구현한다. 커패시터는 10 uF을 사용하며 극성에 주의 한다. 사용한 소자들의 실제 값을 측정, 기록한다. CC1의 입력단자를 접지한 상태에서 12 V를 VCC에 인가하고 base, collector, emitter의 직류 전압을 측정, 기록한...2021.06.18· 4페이지 -
중앙대학교 전자회로설계실습 6 Common Emitter Amplifier 설계 결과보고서 (A+) 4페이지
4.1 Common Emitter Amplifier(1차 설계)의 구현 및 측정(A) Function generator를 제외한 1차 설계 회로를 가능한 한 그림 1과 거의 같은 배치로 breadboard에 구현한다. 커패시터는 10 ㎌을 사용하며 극성에 주의 한다. 사용한 소자들의 실제 값을 측정, 기록한다. 의 입력단자를 접지한 상태에서 12 V를 인가하고 base, collector, emitter의 직류 전압을 측정, 기록한다. 또 측정된 전압을 이용하여 collector, emitter의 전류를 계산, 기록한다. 전압, ...2021.12.06· 4페이지
