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현미경의 원리와 종류2025.11.141. 현미경의 정의 및 기본 구조 현미경은 광학 렌즈와 빛을 이용하여 미세한 물질을 확대시켜 관찰하는 장치이다. 대물렌즈에서 만들어진 확대된 실상을 접안렌즈로 다시 확대하여 관찰한다. 관찰 대상은 세포, 조직, 조류, 원생동물, 곰팡이, 효모, 세균, 바이러스 등 10⁻⁹~10⁻³m 크기의 물질이다. 총 배율은 대물렌즈 배율과 접안렌즈 배율의 곱으로 계산된다. 2. 광학 현미경과 전자 현미경 현미경은 크게 광학 현미경과 전자 현미경으로 분류된다. 광학 현미경은 가시광선을 이용하여 물체를 관찰하는 방식이고, 전자 현미경은 전자빔을 이...2025.11.14
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전자공학실험 9장 MOSFET 회로 A+ 결과보고서2025.01.151. MOSFET 동작 원리 MOSFET은 전계 효과(field effect)를 이용하여 전류가 흐르는 소자이며, 전하를 공급하는 소스 단자, 전하를 받아들이는 드레인 단자, 전류의 양을 조절하는 게이트 단자, 기판의 역할을 하는 바디 단자로 구성되어 있다. 게이트 전압을 바꾸면 드레인에서 소스로 흐르는 전류가 바뀌면서 증폭기로 동작할 수 있다. 2. NMOS 전류-전압 특성 NMOS의 경우 VGS-Vth>0일 때부터 차단 영역을 벗어나 전류 ID가 흐르기 시작한다. VDS가 증가함에 따라 전류 ID는 linear하게 증가하다가 포...2025.01.15
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JFET와 증폭기 특성 실험 결과 보고서2025.11.181. JFET (Junction Field Effect Transistor) JFET는 접합형 전계효과 트랜지스터로, 본 실험에서 K117 소자를 사용하여 Common Source Amplifier로의 동작을 확인했다. 게이트에 소신호를 인가하고 드레인에 DC 바이어스를 적용하여 증폭 특성을 측정했으며, 입력 소신호의 위상이 반대가 되어 출력 소신호로 나타나는 위상 반전 특성을 관찰했다. 2. Common Source 증폭기 JFET의 Common Source 구성은 기본적인 증폭 회로로, 입력 소신호 38.4mV에 대해 출력 소신...2025.11.18
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사회복지정책의 선별주의와 보편주의 가치갈등2025.11.141. 선별주의 복지정책 선별주의는 사회복지서비스 제공 시 사회적·교육적·신체적 기준에 따라 대상자를 구별하는 방식입니다. 특수한 집단에 한정하여 수급 자격을 부여하며, 부양의무자 부재, 소득·재산 기준 충족, 근로능력 부재 등의 조건을 충족해야 합니다. 급여 수준은 최저 수준을 유지하며, 저소득층에 집중된 지원을 통해 재정 효율성을 추구합니다. 2. 보편주의 복지정책 보편주의는 전국민을 사회복지의 대상자로 삼으며, 모든 시민이 권리로서 복지서비스를 제공받습니다. 무상급식, 무상보육 등이 해당되며, 강제성이 있거나 모두에게 균등한 혜...2025.11.14
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발광 다이오드 및 제너 다이오드 실험2025.11.161. 발광 다이오드(LED) 발광 다이오드는 순방향 바이어스 시 전류가 흘러 빛이 발생하며, 역방향 바이어스 시 꺼진 상태가 된다. 빛의 밝기는 다이오드를 통과하는 전류량에 따라 결정되며, 과도한 전류는 다이오드를 파괴한다. GaAsP나 GaP 같은 LED 재료는 순방향 바이어스 시 가시광원을 생성하는 광자를 방출하는 전계발광 과정을 거친다. 빛의 종류는 다이오드 제조 물질에 따라 다르며, 임계전압도 물질에 따라 5V, 7V 등 다양하다. 2. 제너 다이오드(Zener Diode) 제너 다이오드는 제너 항복영역을 이용하도록 설계된 ...2025.11.16
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힘,변형,촉각 센서 개요(Force, Strain, and Tactile Sensors)2025.05.111. Force Sensors 힘 센서는 힘을 측정하고 전기 신호로 변환하는 장치입니다. 표준 질량의 중력과 미지의 힘 사이의 균형을 맞추거나, 질량을 알고 가속도를 측정하거나, 전자기적으로 생성된 힘에 대한 힘의 균형을 맞추거나, 힘을 유체에 대한 압력으로 변환하고 그 압력을 측정하거나, 미지의 힘으로 탄성체에서 생성된 변형률을 측정하는 등의 방법으로 힘을 측정할 수 있습니다. 대부분의 현대 센서에서는 힘이 전기 신호로 직접 변환되지 않으며, 힘-변위 변환기와 위치 센서 등의 센서 결합을 통해 제조됩니다. 2. Strain Gau...2025.05.11
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전자회로실험_A+레포트_증가형 MOSFET의 바이어스 회로2025.01.131. MOSFET MOSFET는 게이트(Gate), 소오스(Source), 드레인(Drain)의 3개 단자를 갖는다. 게이트 단자에 인가되는 전압의 극성과 크기에 따라 소오스와 드레인 사이의 전류흐름이 제어된다. 소오스는 전류를 운반하는 캐리어를 공급하고, 드레인은 소오스에서 공급된 캐리어가 채널 영역을 지나 소자 밖으로 방출되는 단자이다. 2. MOSFET 전압분배 바이어스 회로 저항 R1, R2로 전원전압 VDD를 분배하여 게이트 바이어스 전압 VGQ=VGSQ를 생성한다. MOSFET가 포화영역에서 동작하도록 바이어스된다면, 드...2025.01.13
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MOSFET 특성 실험 및 분석2025.11.161. MOSFET 동작 원리 MOSFET은 게이트 전압에 따라 채널이 형성되어 전류가 흐르는 반도체 소자입니다. NMOS와 PMOS는 반대의 극성을 가지며, 각각 Turn-OFF, Triode Region, Saturation Region의 세 가지 동작 영역을 가집니다. 포화 영역에서는 핀치-오프 현상이 발생하고 채널의 유효 길이가 감소합니다. 채널 길이 변조 계수 λ를 고려하면 포화 영역에서도 드레인 전류가 계속 증가하며, 이는 출력 저항 r0로 모델링됩니다. 2. 문턱 전압 및 소자 특성 2N7000 NMOS의 문턱 전압은 2...2025.11.16
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전기전자기초실험2 5주차 트랜지스터1(예비+결과레포트)2025.01.241. 트랜지스터의 종류 트랜지스터에는 BJT(Bipolar Junction Transistor)와 FET(Field Effect Transistor)가 있습니다. BJT는 전류 제어 방식으로 작동하며 NPN과 PNP 두 가지 유형이 있습니다. FET는 전압으로 제어되며 JFET(Junction FET)와 MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor FET) 등이 있습니다. MOSFET은 전력 제어에 유리하고 빠른 스위칭 속도로 다양한 전자기기에 활용됩니다. 2. NPN 트랜지스터와 PNP 트랜지스터의 차이 NPN 트랜...2025.01.24
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전자공학실험 1장 PN 접합 다이오드 및 제너 다이오드 A+ 예비보고서2025.01.131. PN 접합 다이오드의 기본 구조와 동작 원리 PN 접합 다이오드는 p형 반도체와 n형 반도체의 접합으로 만들어지는 비선형 소자이다. 다이오드는 극성 소자로서 양단에 걸리는 전압에 따라 전류 특성이 변한다. 다이오드의 양극이 음극보다 전압이 높으면 순방향 바이어스 전압이 인가되었다고 하고, 양극에서 음극으로 전류를 흘리게 된다. 반대로 음극이 양극보다 전압이 높게 된다면 역방향 바이어스 전압이 인가되었다고 하고 양단 사이에 전류가 흐르지 않게 된다. 2. PN 접합 다이오드의 동작 영역과 전류-전압 특성 PN접합 다이오드는 양단...2025.01.13
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