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탄소나노튜브의 구조와 성질2025.01.181. 탄소나노튜브의 구조 탄소나노튜브(Carbon Nanotube; CNT)는 탄소로 이루어진 물질로, 하나의 탄소가 다른 탄소원자와 육각형 벌집무늬로 결합되어 튜브 형태를 이루고 있다. 튜브의 직경이 나노미터 수준으로 극히 작은 영역의 물질이다. 탄소나노튜브는 단중벽, 이중벽, 다중벽, 다발형 등 구조에 따라 다양한 형태로 존재한다. 2. 탄소나노튜브의 전기적 성질 탄소나노튜브는 양자거동을 보이며 획기적인 전도성(ballistic conductance)을 가진다. 금속성 탄소나노튜브의 저항은 매우 낮으며, 안정된 전류밀도를 보인다...2025.01.18
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RTA 온도변화에 따른 CZTSSe 태양전지의 성능 평가2025.01.031. CZTSSe 태양전지 CZTSSe 태양전지는 구리(Cu), 아연(Zn), 주석(Sn), 황(S), 셀레늄(Se)으로 구성된 직접 천이형 밴드갭 에너지를 가지며 높은 광 흡수계수를 가지고 있다. CZTSSe 태양전지는 두 가지 결정 구조인 Kesterite와 Stannite 구조를 가지며, Kesterite 구조가 열역학적으로 더 안정하다. CZTSSe 태양전지의 성능은 효율, 충진율, 단락전류, 개방전압, 직렬저항, 병렬저항 등으로 평가할 수 있다. 2. Sputtering Sputtering은 물리기상증착(PVD) 방법 중 ...2025.01.03
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재료공학기초실험_SEM 전자현미경 원리 및 시편준비(2)_세라믹분말관찰2025.05.081. 주사전자현미경(SEM) 원리 및 시편 준비 본 실험에서는 주사전자현미경(SEM)을 이용하여 재료의 미세구조를 관찰하는 방법을 학습한다. 세라믹재료의 파단면 형상, 기공의 존재, 분말의 입자 크기, 표면형상 및 평균 결정립 크기를 조사하기 위한 시료의 준비방법을 실습하고, 주사전자현미경 관찰 및 사진 분석을 통하여 세라믹스의 미세구조에 대한 일반적인 이해를 얻는다. 2. 시편 준비 과정 시험편의 준비 과정은 다음과 같다: (1) 시험편의 절단 - 카본 테잎 위에 분말을 떨어뜨려 준비. 소결체의 경우에는 단면 분석을 위해 시험편을...2025.05.08
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트랜지스터 소신호 공통 컬렉터 교류증폭기 실험2025.11.121. 공통 컬렉터 증폭기 공통 컬렉터 증폭기는 트랜지스터의 컬렉터를 공통으로 접지하고 베이스에 입력신호를 인가하며 이미터에서 출력을 얻는 증폭회로입니다. 이 구성은 높은 입력임피던스와 낮은 출력임피던스를 특징으로 하며, 전압이득은 1에 가까우나 전류이득이 크고 임피던스 정합에 유리합니다. 주로 버퍼 증폭기나 임피던스 변환기로 사용됩니다. 2. 소신호 교류증폭 소신호 교류증폭은 트랜지스터가 선형영역에서 동작할 때 작은 신호의 변화를 증폭하는 과정입니다. 직류 바이어스점 주변에서 교류신호의 작은 변화를 다루며, 이때 트랜지스터의 동적 ...2025.11.12
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[A+자료] 반도체 물성과 소자 9~10장 정리2025.05.111. 반도체 물성 반도체 물질의 기본적인 특성과 구조에 대해 설명합니다. 반도체 내부의 전자와 정공의 움직임, 에너지 밴드 구조, 도핑 등 반도체의 기본적인 물리적 특성을 다룹니다. 2. 반도체 소자 반도체 소자의 동작 원리와 특성에 대해 설명합니다. 다이오드, 트랜지스터, MOS 소자 등 다양한 반도체 소자의 구조와 동작 메커니즘을 다룹니다. 각 소자의 전압-전류 특성, 동작 영역, 응용 분야 등을 설명합니다. 3. MOS 트랜지스터 MOS 트랜지스터의 구조와 동작 원리를 자세히 설명합니다. 문턱전압, 선형 영역, 포화 영역, 항...2025.05.11
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MOSFET 실험 3-Single Stage Amplifier 2_예비레포트2025.01.121. Common Drain 회로 Common Drain 회로는 입력 신호가 Gate에 인가되고 Source에서 출력 신호가 나오도록 구성된다. Drain이 접지되어 입력과 출력에 공통 단자의 역할을 하므로 Common Drain 증폭기라 한다. DC Analysis를 통해 Gain을 얻을 수 있고 이를 T-Model 해석에 이용하면 Gain은 약 1이 된다. 따라서 Common Drian 회로는 Gain이 1인 비반전 회로가 되며 Source follower라 부르기로 한다. Common Drain 회로는 Gain이 1이므로 입력...2025.01.12
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아주대)현대물리학실험 Photoelectric Effect Apparatus 예비2025.01.291. 광전효과(Photoelectric Effect) 광전효과는 금속에서 실험이 진행되는데 금속의 전자는 퍼텐셜 에너지 우물에 갇혀있다. 이때 금속에 광자를 쐬어주면 광자의 에너지가 전자에 흡수되어 전자의 운동 에너지와 퍼텐셜 에너지로 변환된다. 이때 전자는 광자의 에너지와 퍼텐셜 에너지 우물(금속의 일함수)의 차이만큼의 운동 에너지를 갖게 된다. 2. 플랑크의 양자가설(Plank's Hypothesis) 플랑크는 전기진동자가 독립된 양자 각각으로 전자기파에 에너지를 주기는 하지만 전자기파 자체는 고전적 파동 이론을 따른다고 주장했...2025.01.29
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MOSFET CS Amplifier 실험 보고서2025.11.181. MOSFET CS Amplifier 회로 MOSFET을 이용한 Common Source 증폭기는 Saturation mode에서 동작하며, 드레인 전류가 게이트 전압에 의해 제어된다. CS Amplifier의 AC 등가회로에서 출력 전압은 v_o = -g_m v_gs(r_o||R_D)로 표현되며, 전압이득은 A_V = -g_m(r_o||R_D)(R_i/(R_i+R_Si))이다. 주파수가 증가할수록 커패시터의 임피던스가 감소하여 전압이득이 이론값에 가까워진다. 2. MOSFET 바이어스 및 동작 원리 MOSFET은 드레인 전류가...2025.11.18
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전류원 및 전류 미러 회로 실험2025.11.171. 전류 미러 회로 집적회로에서 공통의 정전류원으로 생성된 기준 전류를 복사하여 각 회로에 일정 전류를 공급하는 회로. NPN 또는 PNP 트랜지스터 사용 여부와 부하저항 위치에 따라 전류 싱크형과 전류 소스형으로 구분된다. 두 트랜지스터의 베이스-에미터 전압(VBE)이 동등하면 에미터 전류와 콜렉터 전류도 같아져 전류가 복사되는 원리로 동작한다. 2. JFET 전류원 JFET를 이용한 전류원 회로로, 부하저항(RL) 값을 변경하며 드레인-소스 간 전압(VDS)과 부하전류(IRL)를 측정하는 실험. 51Ω에서 20Ω, 82Ω, 1...2025.11.17
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전자회로 실험 12. JFET의 특성 실험2025.05.111. JFET의 동작 원리 JFET 소자는 게이트와 소스 사이의 역방향 바이어스 전압의 크기에 의해 드레인 전류를 제어함으로써 드레인단에 증폭된 전압을 얻는 전압제어형 소자이다. 이 게이트 전압을 변화시킴으로써 채널의 폭이 변화하고 그에 따라 전류가 변화하게 된다. 2. JFET의 드레인 특성곡선 실험 결과 V_DS가 3.0V~6.0V사이에서는 I_D가 거의 변하지 않는 것으로 보아, 일정 전류원을 가지는 영역이라고 볼 수 있고, 이러한 점의 전압을 핀치오프 전압이라고 한다. 따라서 핀치오프 전압은 약 3.0V라고 할 수 있다. 3...2025.05.11
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