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중앙대 전자회로설계실습 결과보고서62025.01.121. Common Emitter Amplifier 설계 전자회로설계실습 결과보고서설계실습 6에서는 Common Emitter Amplifier 회로를 구현하고 측정하였습니다. 실험 과정에서 이론값과 측정값의 오차가 발생하였는데, 그 원인으로는 가변저항의 값이 이론값과 달랐고, 측정 단위가 작아 측정값의 영향을 많이 받았으며, 측정 장비의 오차가 수식을 통한 계산에 증폭되었기 때문으로 분석되었습니다. 전반적으로는 만족스러운 실험이었지만, 일부 측정값에서 큰 오차가 발생하였기 때문에 개선이 필요한 것으로 보입니다. 다음 실험에서는 가변...2025.01.12
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(22년) 중앙대학교 전자전기공학부 전자회로설계실습 예비보고서 8. MOSFET Current Mirror 설계2025.04.301. 단일 Current Mirror 설계 설계실습 8. MOSFET Current Mirror 설계 목적: N-Type MOSFET을 이용하여 특정 Reference 전류가 흐를 수 있는 단일 Current Mirror와 Cascode Current Mirror를 설계 및 측정하여, Current Mirror를 이용한 전류원의 전기적 특성을 이해한다. 단일 Current Mirror 설계에서는 2N7000 MOSFET을 이용하여 Vcc=VDD=10V, IREF=10mA인 전류원을 설계하고, PSPICE 시뮬레이션을 통해 전압, 전...2025.04.30
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[A+]전자회로설계실습 실습 3 결과보고서2025.01.101. 브릿지 전파정류회로 4개의 다이오드를 사용하는 브릿지 전파정류회로를 설계하고 제작하였다. 정류회로 양단의 전압차를 측정하는 실험을 제외하고 실험의 측정값들이 수식으로 구한 이론값들과 큰 오차를 보이지 않고 설계와 일관된 결과를 얻었지만 5KΩ의 저항을 사용했을 때보다 20KΩ의 저항의 사용했을 때 오차가 소폭 상승하였다. 2. 전압 파형 측정 Function Generator를 10Vpp, 40kHz로 설정하고 회로를 연결하여 A와 B점 사이의 전압 파형을 측정해 보았지만 원하던 결과를 얻을 수 없었다. 이는 회로의 GND와 ...2025.01.10
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중앙대학교 전자회로설계실습 예비보고서42025.01.111. MOSFET 소자 특성 측정 이 보고서의 목적은 MOS Field-Effect Transistor(MOSFET) 소자의 특성(VT, kn, gm)을 Data Sheet를 이용하여 구하고, 설계, 구현하여 전압의 변화에 따른 전류를 측정하고, 이를 이용하여 소자의 특성을 구하는 것입니다. 준비물로는 DC Power Supply, Digital Multimeter, 연결선, Breadboard, MOSFET 소자, 저항 등이 필요합니다. 보고서에서는 MOSFET의 특성 parameter 계산, MOSFET 회로도 구성 및 시뮬레이...2025.01.11
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중앙대 전자회로설계실습 결과보고서32025.01.121. 전자회로설계실습 이 보고서는 전자회로설계실습 3번째 실습인 Voltage Regulator 설계에 대한 내용을 다루고 있습니다. 실습에서는 브리지 방식의 정류회로를 구성하여 교류전원으로부터 직류전압을 얻는 기본적인 직류전압공급기를 설계하였습니다. 실험 결과를 오실로스코프로 확인하고 이론값과 비교하여 오차 원인을 분석하였습니다. 또한 부하저항 변화에 따른 출력 파형의 변화를 관찰하여 부하저항과 출력전압의 관계를 도출하였습니다. 2. 브리지 정류회로 이 실습에서는 브리지 방식의 정류회로를 구성하여 교류전원으로부터 직류전압을 얻는 ...2025.01.12
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홍익대학교 전자회로2 Term project OPAMP 설계2025.05.151. 전자회로 설계 이 프로젝트에서는 주어진 샘플 값을 바탕으로 기본적인 특성을 도출하고, 이를 토대로 OPAMP 회로를 단계적으로 설계하고 최적화하는 과정을 다루고 있습니다. 주요 내용으로는 트랜지스터 사이즈 조정, 바이어스 전류 및 저항/커패시터 값 변경을 통한 이득, 대역폭, 전력 소비, 입력 오프셋 전압, 위상 여유 등의 조건 만족을 위한 회로 설계 과정이 포함되어 있습니다. 1. 전자회로 설계 전자회로 설계는 전자 기기와 시스템을 구현하는 데 있어 매우 중요한 역할을 합니다. 회로 설계 과정에서는 회로의 기능, 성능, 효율...2025.05.15
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[예비보고서]중앙대학교 전자회로설계실습 Oscillator 설계2025.05.101. Oscillator 설계 전자회로 설계 및 실습 예비보고서에서 Oscillator 회로를 OrCAD PSPICE를 사용하여 설계하고 분석하였습니다. 주어진 조건에 맞게 Oscillator 회로를 설계하고, 피드백 계수(β)와 피드백 저항(R)의 영향을 분석하였습니다. 설계한 Oscillator의 동작 원리와 시뮬레이션 결과를 제시하였습니다. 1. Oscillator 설계 오실레이터 설계는 전자 회로 설계에서 매우 중요한 부분입니다. 오실레이터는 주기적인 신호를 생성하여 다양한 전자 장치에서 사용되며, 그 성능은 전체 시스템의 ...2025.05.10
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중앙대 전전 전자회로설계실습 예비보고서- BJT MOSFET Switch 구동회로2025.05.021. BJT와 MOSFET을 이용한 RTL switch 회로 설계 및 구현 이 보고서의 목적은 BJT와 MOSFET을 사용하여 TTL 레벨의 전압(5V)으로 동작하는 RTL switch 회로를 설계하고 구현하는 것입니다. 이를 통해 relay 또는 LED를 구동하고 그 동작을 측정 및 평가하는 것입니다. 준비물로는 Function Generator, Oscilloscope, DC Power Supply, BJT, LED, MOSFET, 저항 등이 필요합니다. 구동회로 측정 시 함수발생기의 전압(Vpp)과 OFFSET을 어떻게 조정해...2025.05.02
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(22년) 중앙대학교 전자전기공학부 전자회로설계실습 예비보고서 3. Voltage Regulator 설계2025.04.301. 전파정류회로 전파정류회로를 사용하여 교류전원으로부터 직류전압을 얻는 기본적인 직류전압 공급기(DC Power Supply)를 설계, 구현, 측정, 평가한다. 전파정류회로에서는 양의 주기와 음의 주기 모두에서 2개의 다이오드가 동작하여 전압 분배가 발생한다. 따라서 입력 전압에서 다이오드 2개의 전압만큼 빼준 값이 부하에 출력되는 전압이 된다. 2. 리플 전압 전파정류회로에서 발생하는 리플 전압은 입력 주파수와 평활 커패시터 값에 따라 결정된다. 설계에서는 리플 전압이 0.9V 이하가 되도록 커패시터 값을 10uF로 설계하였다....2025.04.30
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[A+]전자회로설계실습 예비보고서 42025.01.041. MOSFET 소자 특성 이 보고서의 목적은 MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) 소자의 특성인 문턱전압(VT), 전도도 계수(kn)를 데이터시트를 이용하여 구하고, 설계 및 구현을 통해 전압 변화에 따른 전류를 측정하여 소자의 특성을 분석하는 것입니다. 준비물로는 DC 전원 공급장치, 디지털 멀티미터, 연결선, 브레드보드, 점퍼 와이어 키트, MOSFET 소자(2N7000) 및 1kΩ 저항이 필요합니다. 실습 계획은 데이터시트를 활용하여 VT와 kn을 구하고, ...2025.01.04
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