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전자회로실험_A+레포트_Diode Limter2025.01.131. 전자회로 실험 전자 회로 실험 <Diode Limiter>실험부품오실로스코프함수발생기DC전원공급장치저항(1.890kΩ)다이오드(1N 4004')브레드보드BNC케이블을 사용하여 병렬형 리미터 회로와 직렬형 리미터 회로를 구성하고 실험을 진행하였다. 실험 결과를 통해 다이오드의 방향에 따라 리미터 회로의 동작이 달라지는 것을 확인하였다. 병렬형 리미터 회로에서는 다이오드가 정현파의 윗부분에서 리미터로 동작하며, 직렬형 리미터 회로에서는 다이오드가 차단되어 출력의 최대값이 제한되는 것을 확인하였다. 2. 리미터 회로 전자회로에서 교...2025.01.13
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전자공학실험 11장 공통 소오스 증폭기 A+ 예비보고서2025.01.131. 공통 소오스 증폭기 이 실험에서는 MOSFET을 이용한 공통 소오스 증폭기의 동작 원리를 공부하고, 실험을 통하여 특성을 측정하고자 한다. 공통 소오스 증폭기는 게이트가 입력 단자, 드레인이 출력 단자, 소오스가 공통 단자인 증폭기로서 높은 전압 이득을 얻을 수 있는 장점이 있어 널리 사용되고 있다. 이 실험에서는 공통 소오스 증폭기의 입력-출력 특성 곡선을 구하고, 소신호 등가회로의 개념을 적용하여 전압 이득을 구해본 다음, 실험을 통하여 동작을 확인하고자 한다. 2. MOSFET 소신호 등가회로 MOSFET이 포화 영역에서...2025.01.13
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[A+결과보고서] 설계실습 1. 저항, 전압, 전류의 측정방법 설계2025.05.031. DMM 사용법 DMM은 저항, 전압, 전류를 측정하는 장치로써 "HI" 단자와 "LO"단자에 리드선을 연결하여 측정을 진행한다. 저항, 전압, 전류 마다 측정하는 방법과 측정하는 회로가 각각 다르며 일반적으로 전압과 저항을 측정할 때는 병렬, 전류를 측정할 때는 직렬로 연결하여 측정한다. 2. DC Power Supply 사용법 DC power supply는 두 단자 사이에 전압을 발생시키는 장치로 직류전원 전압의 크기를 일정범위 내에서 가변 공급하고자 할 때 사용한다. 3. 고정저항 측정 DMM을 이용해 고정저항의 실제 값을...2025.05.03
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[A+]전자회로설계실습 실습 3 결과보고서2025.01.101. 브릿지 전파정류회로 4개의 다이오드를 사용하는 브릿지 전파정류회로를 설계하고 제작하였다. 정류회로 양단의 전압차를 측정하는 실험을 제외하고 실험의 측정값들이 수식으로 구한 이론값들과 큰 오차를 보이지 않고 설계와 일관된 결과를 얻었지만 5KΩ의 저항을 사용했을 때보다 20KΩ의 저항의 사용했을 때 오차가 소폭 상승하였다. 2. 전압 파형 측정 Function Generator를 10Vpp, 40kHz로 설정하고 회로를 연결하여 A와 B점 사이의 전압 파형을 측정해 보았지만 원하던 결과를 얻을 수 없었다. 이는 회로의 GND와 ...2025.01.10
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중앙대 전기회로설계실습 결과보고서2_전원의 출력저항, DMM의 입력저항 측정회로 설계(보고서 1등)2025.05.101. 건전지 내부 저항 측정 설계실습 2. 전원의 출력저항, DMM의 입력저항 측정회로 설계요약 건전지의 내부 저항을 측정하기 위해 회로를 구성하고 직접 측정해 보았다. 실습 계획서에 0~1Ω으로 작은 저항 값이 나올 것이라고 예측했고, 실제 측정값은 약 1.05Ω으로, 실제 결과 값과 유사하게 예상했다고 할 수 있다. 2. DC Power Supply 사용법 익히기 DC Power Supply의 사용법을 익히고 각 단자 간의 관계를 알아보기 위해 크게 두 가지 실험을 진행했다. 첫째는 DC Power Supply의 최대 공급전류를...2025.05.10
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중앙대 전기회로설계실습 결과보고서22025.01.171. DMM(Digital Multimeter)의 내부저항 측정 DMM은 전압, 저항, 전류를 측정할 수 있는 중요한 계측기로서 전기회로설계실습에서 가장 필수적인 장비라고 할 수 있다. 건전지나 DMM 등은 앞으로의 실험에서 많이 쓰일 것이기 때문에 이 안에 존재하는 내부저항이 회로에 어떤 영향을 미칠지 알아보는 것이 중요하다. 특히 이것의 내부저항을 측정할 줄 알고 회로를 설계하는 능력 또한 필요하다. 2. 건전지의 내부저항 측정 건전지의 내부저항을 측정하는 것은 중요하다. 좋은 건전지이거나 사용하지 않은 건전지일수록 내부저항은 ...2025.01.17
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중앙대학교 전기회로설계실습 2. 전원의 출력저항, DMM의 입려저항 측정회로 설계(예비) A+2025.01.271. 건전지의 내부저항 측정 건전지의 내부저항은 수Ω 정도로 작으며 새 건전지의 경우 0.05Ω의 출력저항을 가진다. 따라서 내부저항은 0에 가까운 아주 작은 값일 것이라 예상한다. 건전지(6 V)의 내부저항을 측정하는 회로와 절차를 설계하여 제출하였다. 10Ω 저항과 Pushbutton을 사용하여 측정에 의한 전력소비가 최소가 되도록 하였다. 10Ω 저항에 0.6A 전류가 흐르고 6V 전압이 걸리므로 10Ω 저항에 소비되는 전력은 3.6W이다. 2. 옴의 법칙과 전류 계산 10Ω의 저항에 1V를 인가하면 전류는 100mA이다. D...2025.01.27
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중앙대학교 전기회로설계실습 결과보고서 - 전원의 출력저항, DMM의 입력저항 측정회로 설계2025.05.151. 6 V 건전지의 출력저항 측정 6 V 건전지의 출력저항을 측정하기 위해 6 V 건전지와 10 Ω 저항을 이용하여 회로를 구성하고 측정한 결과, 건전지의 내부저항은 1.41 Ω으로 나타났다. 작은 저항값을 가진 회로에서는 건전지의 내부저항을 고려해야 한다는 것을 알 수 있었다. 2. Pushbutton switch 사용 이유 Pushbutton switch를 사용하는 이유는 작은 저항값을 가진 회로에서 많은 전류가 흘러 열이 발생하여 소자가 탈 수 있기 때문이다. Pushbutton switch를 사용하면 회로를 간헐적으로 연결...2025.05.15
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핵심이 보이는 전자회로실험 BJT의 전류-전압 특성2025.05.161. NPN형 BJT의 I_C-V_CE 특성 NPN형 BJT의 I_C-V_CE 출력 특성 곡선을 그래프로 그리고, 시뮬레이션 결과와 비교하였다. NPN형 BJT의 공통이미터 DC 전류이득 beta_DC,sim과 공통베이스 DC 전류이득 alpha_DC,sim을 시뮬레이션 결과에서 구하고, 측정 결과에서 구한 beta_DC,meas와 alpha_DC,meas와 비교하였다. 2. PNP형 BJT의 I_C-V_CE 특성 PNP형 BJT의 I_C-V_CE 출력 특성 곡선을 그래프로 그리고, 시뮬레이션 결과와 비교하였다. PNP형 BJT의 ...2025.05.16
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A+ 연세대학교 기초아날로그실험 4주차 예비레포트2025.05.101. PN 접합 반도체는 도체와 부도체 사이에 있는 물질로, 주로 실리콘(Si)이나 저마늄(Ge)으로 이루어져 있다. 순수 반도체에는 자유전자가 없어 전기가 잘 통하지 않는데, 이를 해결하기 위해 13족 또는 15족 원소를 섞어 P형 반도체와 N형 반도체를 만든다. P형 반도체는 양공을, N형 반도체는 자유전자를 주요 캐리어로 사용한다. PN 접합을 하면 전자와 양공이 확산되어 전기장이 형성되며, 이 상태를 평형 상태라고 한다. 순방향 바이어스와 역방향 바이어스에 따라 PN 접합의 전류-전압 특성이 달라진다. 2. 다이오드 다이오드...2025.05.10
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