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중앙대 일반물리실험2 RC 충,방전 회로 실험2025.01.111. RC 충전 회로 실험을 통해 RC 충전 회로에서 시간에 따른 축전기 양단의 전위차, 축전기 전하량, 전류의 변화를 관찰하고 이론식과 비교하여 이해하였다. 축전기 충전 시 전하량과 전위차가 초기에 급격히 증가하다가 점차 느려지는 양상을 확인하였고, 이를 수식으로 설명하였다. 2. RC 방전 회로 축전기 방전 실험에서 축전기 전하량과 전류가 시간에 따라 지수함수적으로 감소하는 것을 관찰하고 이론식과 비교하여 이해하였다. 방전 속도 또한 시간이 지날수록 감소하는 것을 확인하였다. 3. 시간 상수 RC 회로의 시간 상수 τ=RC를 실...2025.01.11
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A+맞은_전기전자기초실험2_일반실험8_결과보고서_BJT전압-전류특성,(degenerated)common emitter2025.05.101. BJT 전류-전압 특성 실험을 통해 BJT의 전류-전압 특성을 분석하였다. 이론적 계산과 모의실험 결과를 실험 결과와 비교하여 BJT의 동작 특성을 확인하였다. 베이스 전류가 증가함에 따라 콜렉터 전류가 선형적으로 증가하는 것을 확인하였고, 이론적 계산 값과 실험 결과가 유사함을 확인하였다. 2. Common Emitter 증폭회로 Common Emitter 증폭회로의 동작을 이론적으로 계산하고 모의실험을 통해 검증하였다. 베이스 저항 값에 따라 최대 전압 이득을 얻을 수 있는 콜렉터 저항 값을 찾았으며, 실험 결과와 비교하여...2025.05.10
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중앙대학교 전자회로설계실습 BJT와 MOSFET을 사용한 구동(switch) 회로2025.05.101. BJT 특성 및 동작 원리 이번 실험을 통해 BJT의 특성과 동작원리를 이해할 수 있었다. LED를 구동하는 회로를 이용해 BJT의 베이스-이미터 전압을 어떻게 인가하느냐에 따라서 이미터, 컬렉터의 전류의 흐름이 영향을 받는 것을 알 수 있었다. 2. BJT를 이용한 LED 구동 회로 LED 부하를 이미터 쪽에 달아줌으로써 동작을 관찰하고 인버터쪽에 달아줌으로써 동작에 어떤 차이가 있는지 비교할 수 있었다. 이론에서 계산한 전압, 전류 값을 측정한 값과 비교함으로써 실험을 진행했다. 3. MOSFET을 이용한 LED 구동 회로...2025.05.10
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A+ 받을 수 있는 중앙대학교 전기회로설계실습 설계실습 6.계측장비 및 교류전원의 접지상태의 측정방법설계 예비보고서2025.05.121. DMM 사용을 통한 교류전원 접지 상태 측정 전기공학도에게 중요한 DMM, Function Generator, 오실로스코프를 이용하여 DMM과 오실로스코프의 주파수 응답 차이를 이해하고, Function Generator와 오실로스코프의 접지에 대해 이해한다. DMM을 사용하여 실험실 교류전원(220V) power outlet 두 개의 접지 사이 전압을 측정하는 방법을 설계한다. 2. Function Generator, DMM, 오실로스코프의 주파수 특성 비교 Function Generator의 출력저항과 DMM, 오실로스코프...2025.05.12
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[전자회로실험] 바이어스 해석 결과보고서2025.04.261. 트랜지스터 동작 영역 실험을 통해 트랜지스터의 동작 영역을 파악하였다. 트랜지스터가 능동 영역에서 동작하기 위한 Vbb의 범위를 구하고, 능동 영역에서의 Ic 값을 구하였다. 또한 트랜지스터가 포화 영역에서 동작할 때의 Vce를 구하고 데이터시트 값과 비교하였다. 2. 고정 바이어스 회로 고정 바이어스 회로에서 Vb, Vc, Ic 등의 값을 측정하고 계산하였다. 실험값과 이론값, 시뮬레이션 값 사이에 차이가 있었는데, 이는 실험 과정에서의 오류로 인한 것으로 보인다. 3. 저항 분할 바이어스 회로 저항 분할 바이어스 회로에서도...2025.04.26
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전자회로실험 A+ 6주차 결과보고서(BJT Operations-Large/Small signal Operation)2025.05.101. BJT 회로의 Large/Small signal 분석 이 실험에서는 BJT 회로의 Large signal과 Small signal 분석 방법을 익히고, 실험을 통해 BJT의 VCE-IC 특성곡선을 측정하고 Small-signal 모델 파라미터를 계산하였다. 또한 Small-signal 이득을 측정하고 이론값과 비교하였다. 실험 결과, BJT 회로에서 Early 효과로 인해 VCE가 증가함에 따라 IC가 조금씩 증가하는 것을 확인하였다. 또한 Small-signal 모델에서 계산한 이득과 실험으로 측정한 이득을 비교하여 바이어스...2025.05.10
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충북대 A+ 직류회로 일반물리학및실험, 맛보기물리학및실험2025.01.171. 직류회로 실험 이 실험에서는 저항을 직렬과 병렬 회로에 연결했을 때 전류와 전압을 확인하고, 등가 저항을 계산하여 실험값과 비교하는 것을 목표로 합니다. 실험에는 컴퓨터, 인터페이스, 전압 센서, 전류 센서 등의 실험 도구가 사용되며, 직렬 연결과 병렬 연결 회로를 구성하여 측정값을 비교하고 분석합니다. 실험 결과를 통해 옴의 법칙과 직렬 및 병렬 회로의 특성을 이해할 수 있습니다. 2. 전압 센서의 구조와 원리 전압 센서는 주로 저항을 기반으로 한 간단한 구조로 되어 있으며, 전압 분배 원리를 이용하여 측정 대상 전압을 적절...2025.01.17
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[전자공학실험2] RC회로의 주파수 응답2025.04.271. RC 회로의 주파수 응답 실험을 통해 RC 회로의 주파수 응답 특성을 측정하고 이론값과 비교하였다. LPF와 HPF의 전달함수를 계산하여 주파수에 따른 magnitude와 phase를 Bode plot으로 그리고, 실험 결과와 비교하여 RC 회로의 filter로서의 기능을 확인할 수 있었다. 실험 결과와 이론값의 차이는 주로 OSC의 vertical scale 조정 문제와 신호 크기 감쇄에 따른 SNR 저하로 인한 오차 때문인 것으로 분석되었다. 1. RC 회로의 주파수 응답 RC 회로의 주파수 응답은 전자 회로 설계에서 매우...2025.04.27
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RC회로의 시정수 측정회로 및 방법설계 결과보고서 (보고서 점수 만점/A+)2025.04.251. RC회로의 시정수 측정 주어진 시정수를 갖는 RC회로를 만들어 설계하고 충전, 방전하며 전압을 측정하는 실험을 하였다. 완전한 충방전이 일어나도록 하는 전압과 시간 상수를 주기로 갖는 전압을 인가한 상태에서 오실로스코프를 통해 저항과 커패시터의 파형을 확인할 수 있었다. 2. DMM의 내부저항 측정 22MΩ 저항을 연결하고 DMM으로 전압을 측정하여 DMM의 내부저항을 계산하였다. DMM의 내부저항이 10MΩ에 근사하게 측정되었으며, 직렬로 큰 저항이 연결된 회로에서 DMM으로 전압을 측정할 경우 실제 전압과 다를 수 있다는 ...2025.04.25
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커패시터의 충방전 실험 결과 보고서2025.05.141. 커패시터 충방전 회로 이 실험에서는 저항과 커패시터로 이루어진 회로에서 커패시터의 충전 및 방전 과정을 관찰하고, 회로의 시간 상수를 구하는 것이 목적입니다. 커패시터가 충전되는 동안 회로에 흐르는 전류는 키르히호프의 법칙을 적용하면 RC 회로의 미분방정식으로 표현할 수 있으며, 이 방정식의 해를 통해 커패시터의 전압 변화와 전류 변화를 구할 수 있습니다. 실험에서는 실제 측정값과 계산값을 비교하여 오차를 확인하고, 커패시터 값 변화에 따른 그래프 변화를 관찰하였습니다. 2. 실험 장치 및 방법 실험에 사용된 장치는 커패시터 ...2025.05.14
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