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아날로그및디지털회로설계실습 (예비)설계실습 7. 논리함수와 게이트 A+2025.01.291. NAND 게이트 NAND게이트의 기능을 갖는 회로는 AND에 NOT을 함께 사용하여 구성하였다. 아래의 표의 simulation 통해 알 수 있듯이 모든 입력이 1일 때만 출력이 0이 되는 것을 확인하여 NAND게이트의 기능이 작동하는 것을 확인했다. 2. NOR 게이트 NOR게이트의 기능을 갖는 회로는 OR에 NOT을 함께 사용하여 구성하였다. 아래의 표의 simulation 통해 알 수 있듯이 모든 입력이 0일 때만 출력은 1이 되는 것을 확인하여 NOR게이트의 기능이 작동하는 것을 확인했다. 3. XOR 게이트 XOR게이...2025.01.29
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[전자공학응용실험]14주차_10차실험_실험28 아날로그-디지털 변환기_예비레포트_A+2025.01.291. 아날로그-디지털 변환기 이 실험에서는 아날로그 신호를 디지털 신호로 변환해주는 아날로그-디지털 변환기(analog-to-digital converter)의 기본 동작 원리 및 성능 파라미터를 이해하고, 실제 회로를 구성하여 이론적인 내용을 확인하고자 한다. 해상도, 동작 속도, 신호 대 잡음비, 비선형성 등의 개념을 이해하고, 회로를 구성하여 성능을 측정한다. 2. 아날로그-디지털 변환 과정에서 발생한 오차 아날로그 신호를 디지털로 변환 시 양자화 오차가 발생할 수밖에 없다. 이 양자화 오차 또는 양자화 잡음이 결국 출력 신호...2025.01.29
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설비 설계 보고서(OVR,OVGR)2025.05.111. 정한시(59)특성 실험 정정된 값 이상의 전압이 인가되었을 때 전압의 크기와 관계없이 정해진 시간에 즉시 동작하는 특성을 실험하였다. 실험 결과 입력 전압값의 크기와 상관없이 설정된 시간(0.1초, 5초, 10초)에 즉시 동작하는 것을 확인하였다. 2. 한시(59)특성 실험 OP LEVEL 3.5로 한시(59) 특성을 실험하였다. 실험값을 통해 한시특성 동작 식을 이용하여 M 값을 구하고, 실험하지 않은 전압값의 동작특성 시간을 산출하였다. HIMAP의 데이터값과 M의 값으로 산출한 동작시간 오차는 최대 0.04%로 거의 없다...2025.05.11
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전자회로실험 과탑 A+ 결과 보고서 (실험 9 MOSFET 기본 특성)2025.01.291. NMOS 회로의 전류-전압 특성 NMOS 회로는 공통 소스 증폭기 회로로, 입력 신호가 NMOS 트랜지스터의 게이트에 인가되어 출력 전압을 변조하는 구조다. 게이트와 소스 간 전압 V_GS가 임계 전압 V_th보다 클 때 트랜지스터가 켜져서 드레인에서 소스로 전류가 흐르게 된다. 출력 전압은 V_DD - I_D * R_D로 계산된다. 2. PMOS 회로의 전류-전압 특성 PMOS 회로는 공통 소스 증폭기 회로로, NMOS와는 반대로 동작한다. PMOS는 게이트 전압이 소스 전압보다 낮을 때 턴온된다. 게이트와 소스 간 전압 V...2025.01.29
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MOSFET 소자 특성 측정 및 설계실습2025.11.181. MOSFET 기본 특성 및 파라미터 MOS Field-Effect Transistor(MOSFET)는 전압 제어형 반도체 소자로, 게이트 전압에 따라 드레인-소스 간 채널이 형성되어 전류가 흐르는 원리로 동작한다. 임계전압(Vth)은 채널이 형성되기 위한 최소 게이트 전압이며, 2N7000 소자의 경우 데이터시트에서 약 2.1V로 측정된다. 드레인 전류(Id)는 게이트 전압 변화에 따라 선형 영역과 포화 영역에서 다르게 나타나며, 이를 통해 소자의 동작 특성을 파악할 수 있다. 2. MOSFET 동작 영역 분석 MOSFET은 ...2025.11.18
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BJT 에미터 바이어스 및 콜렉터 궤환 바이어스 회로2025.11.161. 에미터 바이어스 회로 에미터 바이어스 회로는 전압분배기 바이어스 회로의 변형으로, 동작점 설정과 안정도 향상을 목적으로 한다. 에미터 저항값에 β를 곱한 값이 베이스 저항값보다 크면 베이스 전압이 거의 일정하게 유지되어 에미터 전류가 트랜지스터의 영향을 적게 받는다. 에미터 전압이 상승하면 베이스 전류가 감소하여 에미터 전압이 자동으로 감소하는 음의 피드백 특성을 가진다. 고정 바이어스 회로보다 향상된 안정도를 제공하며, 베이스에서 누설되는 전류가 없다. 2. 콜렉터 궤환 바이어스 회로 콜렉터 궤환 바이어스 회로는 베이스 저항...2025.11.16
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BJT 바이어스 회로 실험 분석2025.11.161. BJT 고정 바이어스 회로 BJT의 고정 바이어스 회로는 베이스 저항을 통해 일정한 베이스 전류를 공급하는 방식입니다. 실험에서 2N3904와 2N4401 트랜지스터를 사용하여 동작점 변화를 측정했으며, VBE는 0.65V, IC는 약 4.2mA로 나타났습니다. 이론값과 측정값의 오차는 가변저항 측정 부정확성과 DMM 내부저항의 영향으로 발생했습니다. 2. BJT 전압 분배기 바이어스 회로 전압 분배기 바이어스 회로는 두 개의 저항으로 베이스 전압을 분배하여 안정적인 바이어스를 제공합니다. 실험 결과 2N3904에서 VB 0....2025.11.16
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전기회로설계실습 실습7 결과보고서2025.01.201. RC 회로 설계 이 실습에서는 RC 회로의 시정수 측정 회로와 방법을 설계하였다. RC 회로의 R, C 값을 이용하여 시정수(τ)를 계산하고, DMM을 통해 실제 τ를 측정하여 비교하였다. 또한 원하는 시정수와 R 값이 주어졌을 때 회로를 설계하고, 사각파 입력에 따른 커패시터와 저항의 전압 파형을 분석하였다. 2. DMM 내부 저항 측정 첫 번째 실험에서는 DMM의 내부 저항을 측정하였다. 출력 전압과 측정 전압의 차이를 통해 DMM의 내부 저항이 측정 대상 저항과 비슷한 경우 전압 측정에 주의해야 함을 확인하였다. 3. 시...2025.01.20
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울산대학교 전기전자실험 14. 전류원 및 전류 미러 회로2025.01.121. 공통 source 회로의 바이어스 공통 source 회로의 바이어스에 대해 설명하고 있습니다. Shockley 방정식을 통해 구한 해 중 하나는 V_P와 I_DSS 범위 내에 있지만 다른 하나는 이 범위 밖에 있어 타당하지 않은 값이라고 설명하고 있습니다. 2. 이론값과 측정값의 오차 이론값과 측정값 사이에 가장 큰 오차가 발생한 이유는 이전 실험에서 사용한 JFET의 I_DSS가 8mA로 측정되어 이번 실험에서 이론값을 8mA로 두고 구했기 때문이라고 설명하고 있습니다. 3. 트랜지스터의 동작 V_DS와 V_DG의 차이를 통...2025.01.12
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홍익대학교 IT시스템설계(실험5) 최종프로젝트 PFC설계2025.04.261. 전압파형 첫번째 그래프를 통해 전압파형이 기대했던 모양과 동일한 것을 알 수 있습니다. 2. 전압오차 두번째 그래프를 통해 처음에는 전압오차가 커서 10V로 Limiter시킨 IL의 지령치가 출력되며 동시에 overshoot가 발생함을 확인할 수 있습니다. 3. 정상상태 마지막 그래프에서는 과도상태를 지나 정상상태에서 입력전압과 전류가 동상을 이루며 power factor가 1로 유지되는 것을 확인할 수 있습니다. 1. 전압파형 전압파형은 전기 회로에서 전압이 시간에 따라 변화하는 모습을 나타내는 그래프입니다. 이는 전기 시스...2025.04.26
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