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건국대 전기전자기초실험 7주차 예비보고서 및 결과보고서2025.01.151. R-C회로에서 커패시턴스 측정 커패시턴스는 축전기가 전하를 충전할 수 있는 능력으로 기호는 C를 사용하고 단위는 패럿이다. 커패시터를 직렬로 연결하면 전체 커패시턴스가 감소하고, 병렬로 연결하면 전체 커패시턴스가 증가한다. 2. R-L회로에서 인덕턴스 측정 인덕턴스(유도용량)는 인덕터가 자기장을 유도하는 능력으로 기호는 L을 사용하고 단위는 헨리[H]이다. 인덕터를 직렬로 연결하면 전체 인덕턴스가 증가하고, 병렬로 연결하면 전체 인덕턴스가 감소한다. 3. R-C회로와 R-L회로의 시정수 R-C 회로의 시정수는 RC이고, R-L...2025.01.15
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[예비보고서] 7.논리함수와 게이트2025.04.251. XNOR 게이트 설계 및 특성 분석 XNOR 게이트는 두 입력이 모두 0이거나 모두 1일 때, 즉 서로 같을 때 1이 출력된다. 논리연산을 이용하여 생각하면 출력 X = AB+A'B'이며, 진리표와 게이트를 설계한 회로도는 다음과 같다. 2. AND 게이트와 OR 게이트의 입출력 시간 딜레이 측정 Low와 High, Vcc를 0V, 5V, 5V로 설정한다. 논리 게이트의 두 입력 단자 중에서 하나는 Low 또는 High로 Fixed 시키고, 나머지 단자에 Function Generator로 적당한 주기의 구형파를 인가한다. 오...2025.04.25
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전자회로실험 과탑 A+ 결과 보고서 (실험 15 다단 증폭기)2025.01.291. 다단 증폭기의 이론적 해석 다단 증폭기는 여러 증폭 단을 직렬로 연결하여 신호를 순차적으로 증폭하는 방식으로, 각 증폭 단이 가진 장점을 결합해 더 높은 전압 이득과 신호 증폭을 달성할 수 있다. 다단 증폭기의 주요 이론적 해석으로는 전압 이득, 입출력 임피던스, 주파수 응답, 바이어스 설정, 잡음 및 왜곡 등이 있다. 2. 2단 증폭기 실험 결과 2단 증폭기 실험에서는 각 MOSFET의 전압과 전류를 측정하고, 포화 영역에서 동작하는지 확인했다. 또한 소신호 등가회로를 이용해 이론적인 전압 이득을 계산하고, 실험 결과와 비교...2025.01.29
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기초실험 XOR, XNOR 결과보고서(틴커캐드)2025.05.031. XOR 게이트 XOR 게이트는 2개의 입력을 가지며, 입력이 A, B일 때 출력은 AB'+A'B가 된다. XOR 게이트는 입력 중 1이 짝수개인 경우 0이 출력되고 1이 홀수개인 경우 1을 출력하는 특성을 가진다. 실험 결과 XOR 게이트의 입출력 특성이 이론과 일치하는 것을 확인할 수 있었다. 2. XNOR 게이트 XNOR 게이트는 XOR 게이트의 출력에 NOT을 붙인 것과 같은 형태로, 2개의 입력을 가지는 XNOR 게이트는 (AB)'=AB+A'B'으로 정리할 수 있다. 실험 결과 XNOR 게이트의 입출력 특성은 XOR 게...2025.05.03
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Oscillator 설계 예비보고서2025.04.271. Push-pull 증폭기 동작 이해 R_L=100 ohm, R_bias=1k ohm, V_CC=12V인 경우, Push-pull 증폭기의 동작을 이해하고 Dead zone과 Crossover distortion 현상을 파악하며 이를 제거하는 방법에 대해 실험한다. 2. Classic Push-Pull Amplifier 특성 그림 1(a) 회로를 시뮬레이션하여 입출력 transfer characteristic curve를 확인하고, Dead zone 현상이 발생하는 이유를 설명한다. 그림 1(b) 회로를 시뮬레이션하여 입출력 파...2025.04.27
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홍익대학교 집적회로 최종 프로젝트2025.05.151. 1비트 전가산기 논리회로 분석 및 변환 NAND 게이트, NOR 게이트, 인버터만 사용할 수 있는 Microwind 프로그램의 특성상 회로도를 NAND 게이트, NOR 게이트, 인버터로 구성된 회로도로 변경하였다. Cout을 구성하는 2개의 AND 게이트와 1개의 OR 게이트를 3개의 NAND 게이트로 변경하였고, XOR 게이트를 2개의 NAND 게이트, 1개의 NOR 게이트, 2개의 인버터로 변경하였다. 최종적으로 7개의 NAND 게이트, 4개의 인버터, 2개의 NOR 게이트로 구성된 1비트 전가산기 회로를 설계하였다. 2....2025.05.15
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중앙대 전자회로 설계 실습 예비보고서 6_Common Emitter Amplifier 설계2025.01.111. Emitter 저항을 삽입한 Common Emitter Amplifier 설계 설계실습 6. Common Emitter Amplifier 설계에서 Emitter 저항을 사용한 Common Emitter Amplifier 회로를 설계하고자 합니다. Early effect를 무시하고 이론부의 overall voltage gain 식을 이용하여 부하저항에 최대전력이 전달되도록 부하저항을 결정하고, 이를 바탕으로 필요한 저항 값들을 계산합니다. 또한 PSPICE 시뮬레이션을 통해 출력파형을 분석하고 증폭기의 특성을 확인합니다. 2. ...2025.01.11
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전기회로설계실습 9. LPF와 HPF 설계2025.01.211. Thevenin 등가회로 설계, 제작 및 측정 Thevenin 등가회로를 설계, 제작, 측정하여 원본 회로 및 이론값과 비교하는 것이 이 실습의 목적입니다. 저항, 커패시터, 인덕터 등의 부품을 사용하여 LPF(Low Pass Filter)와 HPF(High Pass Filter) 회로를 구현하고, 입출력 파형, 전달함수 등을 측정 및 분석합니다. 2. LPF(Low Pass Filter) 설계 및 분석 제시된 차단주파수 15.92kHz에 맞추어 LPF 회로를 설계합니다. 저항과 커패시터 값을 계산하고, 전달함수의 크기와 위상...2025.01.21
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공통 소오스 증폭기의 특성 분석2025.01.021. MOSFET 소신호 등가회로 MOSFET의 소신호 등가회로는 트랜지스터의 내부 동작 특성을 전류원, 저항 등으로 모델화한 것입니다. 하이브리드 모델과 T모델이 대표적이며, 이를 통해 MOSFET의 트랜스컨덕턴스와 출력 저항 등의 특성을 분석할 수 있습니다. 2. 공통 소오스 증폭기의 특성 공통 소오스 증폭기는 MOSFET을 이용한 선형 증폭기 회로입니다. MOSFET이 포화 영역에서 동작할 때 입력 전압과 드레인 전류 사이에 제곱의 법칙이 성립하므로 비선형적인 특성을 보입니다. 이를 선형화하기 위해 DC 바이어스 전압과 소신호...2025.01.02
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미분, 적분 회로 결과보고서2025.01.121. RC 직렬 미분회로 RC 직렬 미분회로에 구현파, 정현파, 삼각파 세 가지 다른 파형을 회로에 인가하고 입력파형과 저항에 걸린 출력파형을 비교하였다. 주파수를 점점 낮추면 입출력파형에 어떠한 변화가 있는지 확인하였다. 구형파 입력 시 출력파형은 저항에 걸린 전압의 파형이며, 주파수가 감소할수록 같은 시간 내 파형이 느리게 나타났다. 정현파와 삼각파 입력 시에도 동일한 원리가 적용되었다. 2. RC 직렬 적분회로 RC 직렬 적분회로에 구현파, 정현파, 삼각파 세 가지 다른 파형을 회로에 인가하고 입력파형과 커패시터에 걸린 출력파...2025.01.12
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