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MOSFET의 기본특성 실험 결과보고서2025.11.121. MOSFET (금속산화물반도체전계효과트랜지스터) MOSFET은 반도체 소자로서 게이트, 드레인, 소스, 벌크의 네 개 단자를 가지며, 게이트에 인가되는 전압에 의해 채널의 전도도가 제어되는 전계효과 트랜지스터입니다. 현대 집적회로의 핵심 소자로 사용되며, N채널과 P채널 두 가지 타입이 있습니다. 기본특성 실험을 통해 게이트-소스 전압과 드레인 전류의 관계, 드레인-소스 전압에 따른 특성곡선 등을 측정하고 분석합니다. 2. 트랜지스터 특성곡선 및 동작영역 MOSFET의 동작은 차단영역, 선형영역, 포화영역으로 구분됩니다. 차단...2025.11.12
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중앙대학교 전자회로 설계실습 예비보고서 6. Common Emitter Amplifier 설계2025.04.291. Common Emitter Amplifier 설계 이 보고서는 50 Ω, Rc = 5 kΩ, Vcc = 12 V인 경우, β=100인 NPN BJT를 사용하여 Ic가 kΩ단위이고 amplifier gain(Vout/Vin)이 –100 V/V인 emitter 저항을 사용한 Common Emitter Amplifier를 설계, 구현, 측정, 평가하는 내용을 다루고 있습니다. 설계 과정에서 Early effect 무시, 최대전력 전달을 위한 부하저항 결정, 증폭기 이득 계산, 바이어스 전압 및 저항 값 도출 등의 내용이 포함되어 있...2025.04.29
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응용물리회로실험 - Transistor CE + EF2025.05.071. 공통 이미터 회로 공통 이미터 회로의 입력 임피던스와 출력 임피던스를 측정한다. 공통 이미터와 이미터 폴로어로 이루어진 회로의 입력 출력 임피던스를 측정한다. 2. 입력 임피던스 및 출력 임피던스 측정 첫 번째 실험에서는 가 있는 경우와 없는 경우의 입력 임피던스를 측정했는데 각각 2117 Ω , 7812 Ω이 나왔다. 1. 공통 이미터 회로 공통 이미터 회로는 트랜지스터 증폭기 회로의 기본 구조 중 하나입니다. 이 회로는 입력 신호를 증폭하여 출력 신호를 생성하는 역할을 합니다. 공통 이미터 회로의 주요 특징은 높은 전압 이...2025.05.07
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JFET 특성2025.04.301. JFET JFET은 Junction Field Effect Transistor의 약자로써 접합형 전계효과 트랜지스터를 의미한다. JFET은 전류를 통해 제어하는 BJT와 달리 전압을 조절해 제어하는 소자이며, 또한 Majority carrier와 Minority carrier를 모두 이용하는 BJT와 달리 Majority carrier만 이용하는 Unipolar 소자이다. JFET은 N채널 형과 P채널 형으로 나뉘며, 각각의 단자는 Gate, Drain, Source라는 이름을 가진다. JFET의 작동원리는 Drain과 Sou...2025.04.30
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BJT 바이어스 회로 실험 분석2025.11.161. BJT 고정 바이어스 회로 BJT의 고정 바이어스 회로는 베이스 저항을 통해 일정한 베이스 전류를 공급하는 방식입니다. 실험에서 2N3904와 2N4401 트랜지스터를 사용하여 동작점 변화를 측정했으며, VBE는 0.65V, IC는 약 4.2mA로 나타났습니다. 이론값과 측정값의 오차는 가변저항 측정 부정확성과 DMM 내부저항의 영향으로 발생했습니다. 2. BJT 전압 분배기 바이어스 회로 전압 분배기 바이어스 회로는 두 개의 저항으로 베이스 전압을 분배하여 안정적인 바이어스를 제공합니다. 실험 결과 2N3904에서 VB 0....2025.11.16
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전자공학실험 18장 증폭기의 주파수 응답 특성 A+ 예비보고서2025.01.131. 공통 소스 증폭기의 주파수 응답 특성 이 실험에서는 공통 소스 증폭기의 주파수 응답 특성을 분석하여 대역폭(bandwidth)의 개념을 이해하고, 이득과 대역폭 사이의 관계를 파악한다. 증폭기에 사용되는 트랜지스터 내부의 기생 커패시턴스로 인해 주파수에 따라 전압 이득 및 위상이 변하며, 어느 주파수 대역까지 증폭기의 전압 이득이 유지되는지를 알아야 한다. 또한 증폭기의 전류나 면적이 제한되어 있을 때 증폭기 전압 이득과 대역폭의 곱은 일정한 관계가 성립하는데, 실험을 통해 이러한 관계를 이해하고자 한다. 2. 공통 소스 증폭...2025.01.13
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중앙대학교 전자회로설계실습 예비7. Common Emitter Amplifier의 주파수 특성 A+2025.01.271. Common Emitter Amplifier의 주파수 특성 이 실습에서는 emitter 저항을 사용한 Common Emitter Amplifier의 주파수 특성을 분석하였습니다. Rsig = 50Ω, RL = 5kΩ, VCC = 12V인 경우, β = 100인 BJT를 사용하여 Rin이 kΩ 단위이고 amplifier gain(υo/υin)이 100 V/V인 증폭기를 설계하였습니다. 입력 신호로 100 kHz, 20 mVpp 사인파를 사용하였으며, PSPICE 시뮬레이션을 통해 회로의 전압, 전류 및 출력 파형을 분석하였습니다...2025.01.27
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공통 이미터 증폭기의 주파수 응답2025.04.301. 공통 이미터 증폭기의 주파수 응답 공통 이미터 증폭기 회로의 주파수 응답을 계산하고 측정하였다. 저주파 영역에서는 커플링 커패시터와 바이패스 커패시터에 의해 주파수 응답 특성이 결정되며, 고주파 영역에서는 트랜지스터 내부의 기생 커패시턴스에 의해 응답 특성이 결정된다. 중간대역 주파수 범위에서는 일정한 값의 전압 이득이 나타나며, 이때 나타나는 중간대역 이득을 대역 이득(A_v,mid)이라 한다. 대역 이득의 0.707배가 되거나 또는 대역 이득보다 3dB 감소하였을 때의 주파수를 차단주파수라 한다. 1. 공통 이미터 증폭기의...2025.04.30
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BJT 다단 증폭기 설계 및 구현2025.11.141. 차동 증폭기(Differential Amplifier) BJT를 이용한 차동 증폭기는 두 개의 트랜지스터로 구성되며, 공통 이미터 저항을 통해 고정된 꼬리 전류를 생성한다. 비반전 입력과 반전 입력을 받아 단측 또는 차동 출력을 생성할 수 있다. 입력 임피던스는 2βr'e로 CE 증폭기보다 2배 높으며, 공통신호 제거비(CMRR)는 R_E/r'e로 표현된다. 차동 증폭기의 전압이득은 A_V = R_C/(2r'e)이고, 공통신호에 대한 이득은 A_V(CM) = R_C/(2R_E)이다. 2. VDB 증폭기(Voltage Divid...2025.11.14
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전자회로(개정4판) - 생능출판, 김동식 지음 / 9장 연습문제 풀이2025.01.021. 증폭기의 주파수 응답 입력 회로, 출력 회로, 바이패스 회로의 임계주파수를 계산하고, 고주파 입력 회로와 고주파 출력 회로의 임계주파수를 구하였습니다. 또한 대역폭, 이득 대역폭 곱 등을 계산하였습니다. 2. 밀러 정리 밀러 정리를 적용하여 고주파 등가회로를 구현하고, 입력 커패시턴스를 계산하였습니다. 3. 전압이득과 전력이득 전압이득과 전력이득의 차이를 설명하고, 데시벨로 표현하는 방법을 제시하였습니다. 1. 증폭기의 주파수 응답 증폭기의 주파수 응답은 증폭기가 입력 신호의 주파수에 따라 어떻게 증폭하는지를 나타내는 중요한 ...2025.01.02
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