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실험 18_증폭기의 주파수 응답 특성 결과보고서2025.04.281. 증폭기의 주파수 응답 특성 이 실험에서는 공통 소스 증폭기의 주파수 응답 특성을 실험하여 대역폭의 개념을 이해하고, 이득과 대역폭 사이의 관계를 파악하였습니다. 트랜지스터 내부의 기생 커패시턴스로 인해 주파수에 따라 전압 이득 및 위상이 변하며, 대역폭은 증폭기의 전압 이득이 유지되는 주파수 범위를 나타냅니다. 실험을 통해 이득 대역폭의 곱이 일정한 관계가 성립함을 확인하였습니다. 2. 공통 소스 증폭기 설계 실험에서는 [실험 16]과 [실험 17]에서 구현한 공통 소스 증폭기 회로를 사용하였습니다. DC 전압 및 전압 이득이...2025.04.28
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실험 11. 공통 이미터 접지 증폭기 회로의 특성 실험2025.05.111. 공통 이미터 증폭기 회로 공통 이미터 증폭기 회로의 입력 임피던스, 출력 임피던스, 전류 이득, 전압 이득, 위상반전 특성을 이해할 수 있다. 이미터 접지 증폭기에서 교류전원 쪽에서 바라다본 저항은 이미터 다이오드와 병렬로 연결된 바이어스 저항들이며, 베이스 쪽으로 들여다본 저항은 입력 임피던스로 표시된다. 증폭기의 출력 쪽에서 발생되는 현상을 알아보기 위해 테브닌 회로를 구성하여 테브닌 전압과 테브닌 임피던스를 구할 수 있다. 2. 저항비와 전압비 공통 이미터 증폭기에서 저항비와 전압비가 같은 이유는 옴의 법칙에 의해 이미터...2025.05.11
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[보고서점수A+]한국기술교육대학교 전자회로실습 CH7. 쌍극접합 트랜지스터 실험보고서2025.05.051. 트랜지스터 트랜지스터는 재료에 따라 게르마늄(Ge)과 실리콘(Si) 트랜지스터로 나눌 수 있으며, 대부분의 경우 실리콘 트랜지스터를 사용한다. 트랜지스터는 작고 가벼워서 장치의 소형화가 가능하고, 낮은 전압에서도 동작하며 전력소모가 적다는 장점이 있다. 하지만 열에 의한 민감도가 높다는 단점이 있다. 2. 쌍극접합 트랜지스터 쌍극접합 트랜지스터는 2개의 넓은 P형 실리콘 판 사이에 아주 얇은 N형의 실리콘을 끼워 넣어 만든 PNP형 트랜지스터와 2개의 넓은 N형 실리콘 판 사이에 아주 얇은 P형의 실리콘을 끼워 넣어 만든 NP...2025.05.05
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능동 부하가 있는 공통 소오스 증폭기의 특성 분석2025.01.291. 능동 부하가 있는 공통 소오스 증폭기 능동 부하가 있는 공통 소오스 증폭기 회로는 일반적인 공통 소오스 증폭기에서 저항 대신 MOSFET 소자를 부하로 사용하는 회로이다. 이를 통해 높은 출력 임피던스와 큰 전압 이득을 얻을 수 있다. 이 회로는 고성능 증폭기를 구현할 때 많이 사용된다. 능동 부하는 일반 저항보다 높은 임피던스를 제공하므로, 전압 이득이 극대화된다. 이로 인해 능동 부하 공통 소오스 증폭기는 작은 신호 입력에서도 큰 증폭이 가능하다. 2. 능동 부하의 역할 회로에서 M_2와 M_3는 능동 부하로 작동하여 출력...2025.01.29
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BJT 기본 특성 결과보고서2025.04.281. BJT 동작점 및 바이어스 회로 BJT를 증폭기로 동작시키기 위해서는 적절한 DC 바이어스가 인가되어야 하며 이때의 DC 바이어스를 동작점 또는 Q점이라고 부른다. DC 바이어스는 증폭기의 전압 이득과 스윙을 결정하는 중요한 역할을 한다. 이 실험에서는 BJT를 이용한 증폭기의 DC 동작점을 잡아주기 위한 바이어스 회로에 대해 알아보고, 실험을 통하여 동작을 확인하고자 한다. 2. BJT 전류-전압 특성 이 실험에서는 BJT의 기본 동작 원리를 파악하고, 전류-전압 특성을 실험을 통하여 파악하였다. BJT의 네 가지 동작 영역...2025.04.28
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A+맞은_전기전자기초실험2_일반실험8_결과보고서_BJT전압-전류특성,(degenerated)common emitter2025.05.101. BJT 전류-전압 특성 실험을 통해 BJT의 전류-전압 특성을 분석하였다. 이론적 계산과 모의실험 결과를 실험 결과와 비교하여 BJT의 동작 특성을 확인하였다. 베이스 전류가 증가함에 따라 콜렉터 전류가 선형적으로 증가하는 것을 확인하였고, 이론적 계산 값과 실험 결과가 유사함을 확인하였다. 2. Common Emitter 증폭회로 Common Emitter 증폭회로의 동작을 이론적으로 계산하고 모의실험을 통해 검증하였다. 베이스 저항 값에 따라 최대 전압 이득을 얻을 수 있는 콜렉터 저항 값을 찾았으며, 실험 결과와 비교하여...2025.05.10
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2주차 16장 OrCAD 사용법 실험 예비 보고서2025.05.011. Op-amp 입력부 전류 Op-amp의 특성상 입력단자의 전압이 최대한 커야하고 이를 위해서는 입력 임피던스가 무한히 커야한다. 따라서 입력부에 들어가는 전류는 거의 유입되지 않는다. 2. Op-amp 입력부 전위차 Op-amp의 -단자에 입력을 가하여 증폭 작용을 하는 '반전 증폭 회로'에서, Op-amp의 단자 사이는 마치 단락된 것과 같은 상태로 작용하기 때문에 -단자의 전압(Vn)과 +단자의 전압(Vp)이 같아 전위차는 0이 된다. 3. Op-amp 전압이득 도출 Op-amp 회로에서 전압이득 Av = Vout/Vin은...2025.05.01
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전자회로실험_A+레포트_BJT Bias Circuit2025.01.131. BJT 자기 바이어스 회로 BJT의 자기 바이어스 회로의 특성을 알아보고 이해하는 실험입니다. NPN형 BJT 자기 바이어스 회로의 동작점 전류와 전압을 측정하고 그래프를 그려 이해하였습니다. 실험에서 이미터 저항을 변화시키며 전류와 전압을 측정하고 전류이득 β를 계산하였습니다. 키르히호프 법칙을 이용하여 동작점 전류와 전압을 계산하고 실험값과 비교하였습니다. 그래프를 통해 동작점이 활성영역에 있음을 확인하였습니다. 2. BJT 전압분배 바이어스 회로 NPN형과 PNP형 BJT 전압분배 바이어스 회로의 동작점 전류와 전압을 측...2025.01.13
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A+맞은_전기전자기초실험2_일반실험9_결과보고서_common base,emitter follower2025.05.101. Common Base 증폭회로 전기전자기초실험2 일반실험9 결과보고서에서 Common Base 증폭회로의 동작을 다루고 있습니다. 이론적 계산과 모의실험, 실험 결과를 비교 분석하여 Common Base 증폭회로의 특성을 설명하고 있습니다. 주요 내용으로는 이론적 계산을 통한 전압이득 및 전류 값 도출, OrCAD Capture와 PSpice를 이용한 실험 회로도 및 모의실험 결과, 실험 결과와의 비교 분석 등이 포함되어 있습니다. 2. Emitter Follower 증폭회로 전기전자기초실험2 일반실험9 결과보고서에서 Emit...2025.05.10
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[전자공학응용실험] 차동증폭기 기초 실험-예비레포트2025.04.261. 차동 증폭기 기초 실험 이 실험에서는 MOSFET을 사용한 차동 쌍의 동작을 위한 기본 조건을 살펴보고 기본적인 측정을 통하여 검증하고자 한다. 이를 토대로 부하 저항을 연결한 MOSFET 차동 증폭 회로를 구성하여 확인하고 특성을 분석한다. 2. 능동 부하와 전류 거울 집적회로를 설계할 때 일정한 전류원이 가장 기본적인 요소가 되는데, 전류원이 필요한 곳마다 저항을 사용하여 회로를 설계하면 신뢰성이 저항의 정확도에 따라 결정된다. 따라서 수동 부하 저항을 사용하여 집적회로를 설계하기보다는 능동 부하 회로를 이용하는 것이 좋다...2025.04.26
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