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전자전기컴퓨터설계1 결과보고서 3주차2025.05.041. 함수 발생기와 오실로스코프 실험의 목적은 함수 발생기와 오실로스코프를 사용할 줄 아는 것이다. 실험을 통해 커패시터, 인덕터, 다이오드를 포함한 회로의 파형이 어떻게 달라지는지 파악할 수 있었다. 2. 커패시터 커패시터는 회로에서 전기 용량을 전기적인 위치에너지로 저장하는 장치이다. 두 판의 표면과 유전체, 측 절연체가 맞닿은 부분에 전하가 저장되며, 두 개의 도체와 유전체의 표면에 모이는 전하량은 부호가 다른 같은 양의 전하이다. 이로 인해 전기적인 인력이 발생하고, 이 인력에 의해 전하들이 모이게 되어 에너지가 저장된다. ...2025.05.04
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[고려대학교 전기회로] 14단원 정리본2025.05.031. Passband 및 Stopband 입력에서 출력으로 전달되는 신호의 주파수 대역을 passband와 stopband로 구분할 수 있습니다. Passband는 회로를 통과할 수 있는 주파수 대역이며, stopband는 회로를 통과할 수 없는 주파수 대역입니다. 주파수 응답 그래프를 통해 회로의 전달 함수(진폭 및 위상 변화)를 확인할 수 있습니다. 2. 저역 통과 필터 저역 통과 필터는 낮은 주파수 대역의 신호를 통과시키고 높은 주파수 대역의 신호를 차단합니다. 직렬 RC 회로와 직렬 RL 회로가 대표적인 저역 통과 필터 회로...2025.05.03
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MOSFET의 특성 실험2025.05.111. MOSFET의 동작 원리 MOSFET 소자는 게이트의 전압을 인가시켜 드레인과 소스 사이에 채널을 형성하고, 그 채널을 통해 전류가 흐르게 하는 소자이다. 게이트, 드레인, 소스, 바디의 4단자로 구성되어 있으며, 게이트 전압을 변화시킴으로써 채널의 폭이 변화하고 그에 따라 전류가 변화하게 된다. 2. MOSFET의 드레인 특성곡선 실험 결과에 따르면 V_GS값이 3V까지는 I_D가 급격하게 증가하다가 4V 이후부터는 기울기가 감소하여 증가하는 것을 확인할 수 있었다. 이로 미루어 보아 핀치오프 전압은 약 4V라고 할 수 있고...2025.05.11
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디지털통신시스템설계실습6주차2025.05.091. 디지털 통신 시스템 이번 실습을 통해 디지털 통신 시스템에서 Eb/No 값의 변화에 따른 BER의 변화를 시뮬레이션하고 분석할 수 있었습니다. Eb/No 값이 증가할수록 BER이 감소하는 경향을 확인할 수 있었고, 이는 통신 시스템의 성능과 안정성에 큰 영향을 미치는 중요한 요소라는 것을 나타냅니다. 또한 실험적으로 BER과 이론적으로 계산한 BER을 비교하여 실험 횟수가 적을 때는 차이가 있었지만, 시뮬레이션 횟수가 증가함에 따라 오차가 줄어드는 것을 확인할 수 있었습니다. 이를 통해 실제 통신 환경에서의 성능을 정확하게 평...2025.05.09
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수동소자의 고주파 특성 측정 방법의 설계2025.05.021. 저항 MHz 대의 주파수 대역에서 저항값이 점점 떨어지는데 이때 기생 커패시터를 통해 흐르는 전류가 더 커지기 때문임. 2. 커패시터 커패시터가 저항과 인덕터 성분을 모두 갖고 있다는 사실에 주목하여 4MHz 이상의 주파수에서 커패시터가 아닌 인덕터로 동작하는 것을 확인. FG의 파형과 저항의 파형을 측정하며 주파수의 증가에 따라 저항의 전압이 증가하다가 4MHz 이상의 주파수에서 커패시터가 인덕터로 작동함에 따라 저항의 전압이 감소하는 것을 확인. 3. 인덕터 mH 급의 인덕터가 1MHz 부근에서 커패시터처럼 작동함을 확인....2025.05.02
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웨어러블 디바이스 개론 ) 웨어러블 디바이스 핵심 기술 조사 - 시중에 판매되는 웨어러블 디바이스 하나 선택하여 적용된 핵심기술(센서,출력,전원,처리 등) 조사2025.05.161. 센서 기술 기어핏에는 크게 4가지의 센서가 부착되어 있다. 우선, 기기 뒤에는 심박수 센서가 부착되어 정확한 심박수를 확인하고 운동을 얼마나 한 것인지, 하고 있는 운동이 적정한 수준의 운동인지를 파악하는 데 도움을 준다. 또한, 속도 변화를 인지하는 가속도 센서가 부착되어 있으며, 회전 운동 속도를 인지하는 자이로 센서, 고도를 예측하는 기압 센서 역시 존재한다. 기어핏에는 스마트 워치 수준에 해당하는 AP(Application Processor)가 탑재되어 있는데, 이러한 AP가 각 센서로부터 온 데이터를 받아들여 의미 있...2025.05.16
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중앙대학교 3학년 1학기 전자회로설계실습 결과보고서6: Common Emitter Amplifier 설계2025.05.141. Common Emitter Amplifier 설계 Common Emitter Amplifier를 설계하였다. 직류 전압에서의 회로에서 Vb, Vc, Ve를 측정한 후 Ic, Ie, Av를 구한 후 simulation 값과 비교하였다. 최대 오차율은 2.27%로 성공적인 실험이었다. 100kHz, 20 mVpp의 주파수를 넣은 실험에서도 같은 과정을 반복하였다. 오차율은 최대 3.21%로 만족스런 실험이었다. 2. BJT 동작 원리 EBJ는 forward bias, CBJ는 reverse bias에 두어 BJT를 active m...2025.05.14
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Common Emitter Amplifier 설계 및 구현2025.11.181. Common Emitter Amplifier 설계 Rsig=50Ω, RL=5kΩ, VCC=12V, β=100인 NPN BJT 2N3904를 사용하여 입력저항이 kΩ단위이고 증폭이득이 -100V/V인 Common Emitter Amplifier를 설계한다. Early effect를 무시하고 부하저항에 최대전력이 전달되도록 RC를 결정하며, emitter 저항을 삽입하여 회로의 안정성을 향상시킨다. 설계 과정에서 gm, IC, IB, IE, VC, VE, RE, R1, R2 등의 값을 계산하고 입력저항 Rin을 구한다. 2. PS...2025.11.18
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MOSFET의 특성 분석 및 실험2025.11.181. MOSFET의 구조 및 동작 원리 MOSFET은 Source, Gate, Drain 세 개의 단자로 구성되며, Gate-Source 간 전압(V_GS)과 Drain-Source 간 전압(V_DS)에 의해 동작한다. V_GS가 임계전압(V_TN)보다 클 때 inversion layer가 생성되어 드레인 전류(i_D)가 흐른다. MOSFET은 BJT에 비해 면적이 작고 제조공정이 간단하며, majority carrier에 의해 동작하므로 on-off 전환이 빠르다. 2. MOSFET의 동작 영역 MOSFET은 세 가지 동작 영역으...2025.11.18
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[A+] 건국대 전기전자기초실험1 9주차 예비보고서 및 결과보고서2025.01.151. 선형 레귤레이터 선형 레귤레이터는 출력전압을 일정하게 유지하는데 사용되는 소자로 가변저항으로 나타낼 수 있다. 선형 레귤레이터는 입력전압보다 낮은 DC 전압을 얻을 목적으로 저항을 회로 안에 넣어 전압을 저하시켜 원하는 전압을 얻는다. 출력전압이 일정해지도록 가변저항을 조절한다. 이때 저항 R에는 (입력전압 – 출력전압)의 전압이 걸려있으며 출력 전류가 흐르기 때문에 전력 손실이 열로 소비된다. 즉, 원하는 전압을 얻음으로써 전력을 소비하는 것이다. 선형 레귤레이터의 양단 전압이 클수록 더 많은 에너지가 소비되고 효율이 나빠진...2025.01.15
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