총 47개
-
전자회로실험 과탑 A+ 결과 보고서 (실험 14 캐스코드 증폭기)2025.01.291. 캐스코드 증폭기 캐스코드 증폭기는 입력단, 증폭단, 출력 특성으로 구성되어 있다. 입력단의 MOSFET M_1은 소스 팔로워 역할을 하며, 증폭단의 MOSFET M_2는 캐스코드 역할을 한다. 캐스코드 구조는 출력 저항을 크게 만들어 전압 이득을 향상시키며, 채널 길이 변조 효과를 최소화하여 넓은 대역폭에서 동작할 수 있다. 캐스코드 증폭기의 전압 이득은 대략적으로 A_v = g_m * R_D로 나타낼 수 있다. 2. 실험 절차 및 결과 실험에서는 V_GG 값을 변화시키며 출력 전압을 측정하였고, 트랜스컨덕턴스 g_m과 출력 ...2025.01.29
-
전자공학실험 4장 BJT 기본 특성 A+ 예비보고서2025.01.131. npn형 BJT의 기본 동작 원리 npn형 BJT는 'n형 반도체(Emitter)-p형 반도체(Base)-n형 반도체(Collector)'의 결합으로 이루어진 트랜지스터로, V_E와 V_B, V_C의 크기 관계에 따라 EBJ(이미터와 베이스 간 결합), CBJ(컬렉터와 베이스 간 결합)영역에서 다이오드가 순방향, 역방향으로 나뉘게 되어 총 4가지의 동작 영역이 존재한다. 즉 V_BE, V_CB의 크기를 조절함으로써 전류의 방향과 크기를 제어한다. 2. npn형 BJT의 4가지 동작 영역 npn형 BJT는 V_E와 V_B, V_...2025.01.13
-
Input&Output impedence(voltage) A+ 물리화학실험결과보고서2025.01.281. 전압계의 입력저항 측정 실험에서는 전압계의 입력저항을 측정하기 위해 건전지와 전압계를 직렬로 연결하고, 추가로 저항을 연결하여 전압을 측정하였다. 이를 통해 입력저항을 계산할 수 있었다. 새 건전지와 폐 건전지를 사용하여 DVM과 Oscilloscope의 입력저항을 각각 구했다. 입력저항이 클수록 측정값이 실제 값에 가까워지는 것을 확인할 수 있었다. 2. 전원의 출력저항 측정 전원의 출력저항을 측정하기 위해 전압계의 양단에 저항을 연결하여 전압을 측정하였다. 이를 통해 출력저항을 계산할 수 있었다. 새 건전지와 폐 건전지를 ...2025.01.28
-
실험 11_공통 소오스 증폭기 결과보고서2025.04.281. 공통 소오스 증폭기 이 실험에서는 MOSFET을 이용한 공통 소오스 증폭기의 동작 원리를 공부하고, 실험을 통하여 특성을 측정하고자 한다. 공통 소오스 증폭기는 게이트가 입력 단자, 드레인이 출력 단자, 소오스가 공통 단자인 증폭기로서 높은 전압 이득을 얻을 수 있는 장점이 있어 널리 사용되고 있다. 이 실험에서는 공통 소오스 증폭기의 입력-출력 특성 곡선을 구하고, 소신호 등가회로의 개념을 적용하여 전압 이득을 구해본 다음, 실험을 통하여 동작을 확인하고자 한다. 2. MOSFET 특성 실험을 통해 MOSFET의 각 단자들의...2025.04.28
-
실험 17_능동 부하가 있는 공통 소오스 증폭기 결과보고서2025.04.281. 능동 부하가 있는 공통 소오스 증폭기 이 실험에서는 실험 16에서 수행한 '정전류원과 전류 거울을 이용한 능동 부하(active load)가 있는 공통 수오스 증폭기(common source amplifier) 회로'를 구성하고, 이를 바탕으로 공통 소오스 증폭기의 전압 이득을 구하고자 하였다. 능동 부하는 아날로그 증폭기에서 널리 사용되고 있으며, 간단한 공통 소오스 증폭기에 적용함으로써 특성을 정확하게 파악할 수 있다. 2. 전압 이득 측정 실험 절차 3번에서는 전압 이득이 최소 10V/V 이상 나오는지 보기 위해 입력에 ...2025.04.28
-
MOSFET Current Mirror 설계 및 특성 분석2025.11.111. 단일 Current Mirror 설계 N-Type MOSFET 2N7000을 이용하여 10mA의 Reference 전류가 흐르는 단일 Current Mirror를 설계한다. Gate threshold voltage는 2.1V, on-stage drain current는 75mA이다. Saturation 영역에서 동작하기 위해 VDS > 0.09V 조건을 만족해야 하며, 출력저항은 ∆VDS/∆ID로 구한다. OrCAD 설계 및 PSPICE 시뮬레이션을 통해 VGS=2.34V, ID=9.808mA~10mA의 특성을 확인한다. 2....2025.11.11
-
전원의 출력저항과 DMM의 입력저항 측정회로 설계2025.11.141. 전원의 출력저항 측정 건전지의 내부저항을 측정하기 위해 10Ω 저항과 Pushbutton을 사용하여 회로를 설계한다. 건전지의 내부저항이 있을 경우 전압강하가 발생하며, 10Ω 저항에 걸리는 전압을 측정하여 소비전력을 계산한다. 부하효과(Loading effect)를 이해하고 측정에 의한 전력소비를 최소화하는 방법을 학습한다. 2. DMM의 입력저항 특성 DMM(Digital Multimeter)의 입력저항 측정을 통해 계측기의 특성을 이해한다. DC Power Supply의 출력전압과 최대출력전류 제한 조건에서 DMM을 연결...2025.11.14
5 / 5
