
총 381개
-
BJT 1-Large Signal Analysis 1_결과레포트2025.01.121. BJT의 DC 특성 실험 실험을 통해 NPN BJT와 PNP BJT의 DC 특성을 확인하였다. 실험 결과, BJT의 Ic-Vce 특성이 지수함수 형태로 나타났으며, 시뮬레이션 결과와 잘 일치하는 것을 확인하였다. 또한 BJT의 베타 값을 측정한 결과, 저항 값에 따라 베타 값이 달라지는 것을 관찰하였다. 2. NPN BJT의 DC 특성 NPN BJT의 Ic-Vce 특성 실험 결과, 시뮬레이션 결과와 잘 일치하는 지수함수 형태의 특성 곡선을 얻을 수 있었다. 또한 베타 값 측정 실험에서는 저항 값에 따라 베타 값이 100에서 2...2025.01.12
-
전자회로설계실습 예비보고서 112025.01.041. Push-Pull 증폭기 이 실험의 목적은 RL = 100 Ω, Rbias = 1 kΩ, VCC = 12 V인 경우 Push-Pull 증폭기의 동작을 이해하고 Dead zone과 Crossover distortion 현상을 파악하며 이를 제거하는 방법에 대해 실험하는 것입니다. 실험을 통해 Push-Pull 증폭기의 입출력 transfer characteristic curve를 확인하고, Dead zone이 발생하는 이유를 설명합니다. 1. Push-Pull 증폭기 Push-Pull 증폭기는 전자 회로 설계에서 매우 중요한 역...2025.01.04
-
교류및전자회로실험 실험1_아두이노 복습 결과보고서2025.01.201. 아두이노 복습 이번 실험은 아두이노를 복습하는 내용이었다. 디지털 입출력을 다루는 것부터 풀다운회로 구성, 시리얼 모니터에 결과를 출력하기 등을 수행했다. 예제코드실행 실험단계에서 저항과 LED를 직렬로 연결해 점등시킬 때, 출력되는 전류를 직접 측정해보지 못한 것과, 사용하는 LED의 데이터시트를 정확히 참조하지 못해 적절한 범위의 저항값을 사용한 것인지를 정확히 확인할 수 없었다. 멀티미터로 회로 내에 전류계를 구성해 전류를 측정해보고, LED의 정확한 데이터시트를 참조하였다면 더 정확한 실험 분석이 가능했을 것이다. 1....2025.01.20
-
A+받은 BJT(바이폴라 정션 트랜지스터) 결과레포트2025.05.101. NPN 트랜지스터 실험 NPN 트랜지스터의 동작을 살펴보았다. 실험 회로를 구성하고 가변저항을 조정하여 트랜지스터의 각 단자에 인가된 전압 및 전류를 확인하였다. Emitter-Base 사이의 전압이 이상적인 도통전압 0.7V와 다른 이유를 실제 NP 다이오드의 V-I 곡선을 통해 설명하였다. Emitter에 흐르는 전류와 Base, Collector로 나뉘는 전류를 측정하여 전류 이득을 계산하였다. 가변저항 값을 변경하여 Emitter 전류의 변화에 따른 전류 이득의 변화를 확인하였다. 또한 Emitter 전압의 극성을 반대...2025.05.10
-
예비보고서6 구매 시 절대 후회 없음(A+자료)2025.05.141. Common Emitter Amplifier 설계 이 보고서에서는 Common Emitter Amplifier 회로를 설계하고 분석하는 과정을 다루고 있습니다. 주요 내용으로는 회로 파라미터 계산, 증폭기 이득 분석, 바이어스 전압 및 전류 설계, 비선형 왜곡 분석 등이 포함되어 있습니다. 1. Common Emitter Amplifier 설계 Common Emitter Amplifier는 가장 기본적인 트랜지스터 증폭기 회로 중 하나입니다. 이 증폭기는 입력 신호를 증폭하여 출력 신호를 생성하는 역할을 합니다. 설계 시 고려...2025.05.14
-
능동 부하가 있는 공통 소오스 증폭기의 실험 결과2025.01.021. 공통 소오스 증폭기 공통 소오스 증폭기는 NMOS와 PMOS 트랜지스터를 사용하여 구성된 증폭기 회로입니다. 이 실험에서는 능동 부하가 있는 공통 소오스 증폭기의 특성을 측정하고 분석하였습니다. 실험 결과에 따르면, 입력 전압이 0~3V 범위에서 출력 전압이 일정하게 유지되다가 4V 이상에서 급격히 감소하는 것을 확인할 수 있었습니다. 또한 전압 이득은 약 85V/V로 측정되었습니다. 이러한 결과는 회로 구성 요소의 특성, 바이어싱, 주파수 응답 등 다양한 요인에 의해 영향을 받는 것으로 분석됩니다. 1. 공통 소오스 증폭기 ...2025.01.02
-
전자회로실험 A+ 3주차 결과보고서(Diode Characteristic&Large/Small Behavior)2025.05.101. 다이오드 특성 실험을 통해 다이오드의 특성을 확인할 수 있었습니다. 순방향 전압이 걸렸을 때 다이오드에 전류가 흐르고, 역방향 전압이 걸렸을 때는 전류가 흐르지 않습니다. 이런 특성과 다이오드의 연결 방향에 따라 출력 전압(Vout)의 파형이 결정됩니다. 또한 특정 전압 이상의 전압이 걸려야 전류가 흐르는 것을 알 수 있었고, 이 전압이 다이오드의 온 전압(VD,on)입니다. 2. 다이오드의 소신호 동작 실험을 통해 전압이 아주 작게 변화할 때는 전류가 선형적으로 변하는 것처럼 보인다는 것을 알 수 있었습니다. 이 경우 다이오...2025.05.10
-
기초전자실험 - 23장 달링턴 및 캐스코드 증폭기 회로2025.04.301. 달링턴 회로 달링턴 회로는 두 개의 BJT 트랜지스터를 하나의 IC 패키지 내에 제공한다. 달링턴 회로의 베타 실효값(beta_D)은 각 트랜지스터 베타 값의 곱과 같다. 달링턴 이미터 폴로어는 일반 이미터 폴로어에 비해 높은 입력 임피던스를 가지고 있다. 달링턴 이미터 폴로어의 입력 임피던스는 R_B * (beta_D * R_E)로 주어진다. 달링턴 이미터 폴로어의 출력 임피던스는 r_e이며, 전압 이득은 (R_E) / (R_E + r_e)와 같다. 2. 캐스코드 회로 캐스코드 회로는 Q_1을 이용한 공통 이미터 증폭기가 Q...2025.04.30
-
전자회로실험 과탑 A+ 결과 보고서 (실험 16 전류원 및 전류 거울)2025.01.291. 전류원 (Current Source) 전류원은 회로에 일정한 전류를 공급하는 역할을 한다. MOSFET 기반 전류원은 일반적으로 포화 영역에서 작동하며, 입력 전압의 변화와 관계없이 일정한 전류를 유지할 수 있다. 전류원 회로에서는 기준 저항 R_REF를 통해 기준 전류를 설정하고, 이 값이 MOSFET을 통해 고정된 전류로 공급된다. 2. 전류 거울 (Current Mirror) 전류 거울은 하나의 기준 전류를 복사하여 다른 부분에 동일한 전류를 전달하는 역할을 한다. 전류 거울은 주로 두 개의 MOSFET으로 구성되며, 첫...2025.01.29
-
건국대학교 전자회로1 HW12025.01.291. 전자회로 이 자료는 건국대학교 전자회로 1 과목의 첫 번째 과제에 대한 내용입니다. 과제에는 다양한 전자회로 문제들이 포함되어 있으며, 이를 해결하기 위한 계산과 분석이 필요합니다. 전자회로의 기본 개념과 원리를 이해하고 실제 문제를 해결할 수 있는 능력을 기르는 것이 이 과제의 목적으로 보입니다. 1. 전자회로 전자회로는 전자 기기와 시스템의 핵심 구성 요소입니다. 전자회로는 전기 신호를 처리하고 제어하는 역할을 합니다. 이를 통해 다양한 전자 기기와 시스템이 작동할 수 있습니다. 전자회로는 매우 복잡하고 정교한 구조를 가지...2025.01.29