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전자회로응용및실험 A+ 실습과제 한양대 에리카2025.01.221. Voltage Regulator 설계 전자회로 응용 및 실험 과제에서 Voltage Regulator 설계에 대해 다루고 있습니다. 기초 Voltage Regulator 설계 1에서는 PMOS-type Voltage Regulator를 설계하고, 이를 통해 Vout 전압이 3V가 나오도록 하는 것이 목표입니다. 회로도 작성, AC 시뮬레이션, 전체 loop gain 수식 분석 등을 수행하였습니다. 기초 Voltage Regulator 설계 2에서는 Load current 범위가 1mA~100mA로 변경된 상황에서 새로운 Vol...2025.01.22
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전자회로설계실습 11차 예비보고서2025.05.101. Push-Pull Amplifier Push-Pull 증폭기의 동작을 이해하고 Dead zone과 Crossover distortion 현상을 파악하며 이를 제거하는 방법에 대해서 실험하였습니다. 회로 시뮬레이션을 통해 Dead zone이 발생하는 이유와 이로 인한 Crossover distortion 현상을 확인하였습니다. 또한 OP amp를 이용한 negative feedback 회로를 구성하여 Dead zone을 제거하고 Crossover distortion을 개선할 수 있음을 확인하였습니다. 마지막으로 Push-Pull...2025.05.10
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[기계공학실험]수동형 신호 조화 회로 실험2025.05.111. 수동형 신호 조화 회로 본 실험에서는 수동 소자만을 사용하여 구성 가능한 High Pass Filter (혹은 미분기)와 Low Pass Filter (혹은 적분기)의 기본적인 원리를 이해하고, 회로 구성을 통해 각 필터의 특성을 직접 경험한다. 또한, 본 실험에 사용되는 주요 기기들의 사용법을 익힌다. 2. 키르히호프 법칙 키르히호프 제 1법칙(전류 법칙)은 전하가 접합점에서 저절로 생기거나 없어지지 않는다는 전하보존법칙에 근거를 둔다. 키르히호프 제 2법칙(전압 법칙)은 에너지 보존법칙에 근거를 둔다. 3. High Pas...2025.05.11
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전압 체배기 회로의 특성 실험2025.05.111. 전압 체배기 회로 전압 체배기 회로는 입력 신호의 전압을 높이는 데 사용되는 회로입니다. 커패시터와 다이오드를 사용하여 커패시터의 충전 및 방전을 통해 높은 출력전압을 생성합니다. 2배 전압채배기에서는 2개의 커패시터와 2개의 다이오드로 구성된 배전압 회로에서 출력 전압은 입력 전압의 약 2배에서 다이오드의 순방향 전압 강하를 뺀 값이 됩니다. 3배 전압채배기와 4배 전압채배기도 각각의 3개의 커패시터,다이오드 4개의 커패시터,다이오드로 구성되어 같은 출력전압그래프를 확인할 수 있었습니다. 이를 통해 전압채배기에서 사용되는 커...2025.05.11
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(22년) 중앙대학교 전자전기공학부 전자회로설계실습 결과보고서 4. MOSFET 소자 특성 측정2025.04.301. MOSFET 소자 특성 측정 MOSFET은 전자전기공학에서 중요한 소자로, 증폭 기능과 스위치 기능을 가지고 있다. 이 실험에서는 MOSFET의 전기적 특성을 실험적으로 이해하고자 하였다. 실험 결과, source는 ground, Vds=5V로 고정하고 Vgs를 증가시키면서 drain current Id를 측정하였다. Vgs가 2.2V일 때 약 1mA의 전류가 측정되어 이를 threshold voltage Vth로 확인하였다. 측정값들을 Id-Vgs 특성곡선으로 나타내었고, Vgs가 증가함에 따라 Id도 증가하는 것을 확인하여...2025.04.30
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[기초전자실험 with pspice] 16 미분회로와 적분회로(미적분회로) 결과보고서 <작성자 학점 A+>2025.04.281. 미분회로 실험1,2는 미분회로 실험이다. Pspice 시뮬레이션과 같이 실험1에서 RC미분회로의 구형파와 정현파의 미분파형이 오실로스코프를 통해 출력되는 것을 볼 수 있다. 실험2에서도 마찬가지로 RL미분회로의 구형파와 정현파의 미분파형이 오실로스코프를 통해 출력되는 것을 볼 수 있다. 2. 적분회로 실험3,4는 적분회로 실험이다. 실험3또한 시뮬레이션 한 것과 같이 RC적분회로의 오실로스코프를 통해 구형파와 정현파의 적분파형이 출력되는 것을 볼 수 있다. 또한 실험4를 통해 RL적분회로의 오실로스코프를 통해 구형파와 정현파의...2025.04.28
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Op Amp의 특성측정 방법 및 Integrator 설계2025.05.011. Offset Voltage Offset Voltage는 이상적인 Op Amp에서는 0V이지만 실제 Op Amp에서는 내부적으로 Offset Voltage가 존재하여 출력 전압이 0V가 되지 않는다. Offset Voltage를 측정하는 방법으로는 이상적인 Op Amp를 사용하여 Inverting Amplifier를 설계하고 출력 전압을 측정하는 방법이 있지만, 실제 Op Amp의 Open Loop Gain이 유한하기 때문에 이 방법으로는 정확한 Offset Voltage를 측정할 수 없다. 대신 Op Amp의 두 입력단자를 접...2025.05.01
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A+ 2022 중앙대학교 전자회로설계실습 예비보고서 7 Common Emitter Amplifier의 주파수 특성2025.05.011. Common Emitter Amplifier의 주파수 특성 이전 실험의 2차 설계 결과 회로(Ri 추가)에 대하여 모든 커패시터의 용량을 10 uF으로 하고 CE 증폭기에 100 kHz, 20 mVpp 사인파를 입력하였을 때의 출력파형을 PSPICE로 Simulation하여 제출하였습니다. 출력전압의 최댓값(V_max), 최솟값(|V_min|)은 각각 159.256 [mV], 167.574 [mV]이며, V_max/|V_min| 비율은 95.036%입니다. 입력신호의 주파수가 10 Hz에서 10 MHz까지 변할 때 CE amp...2025.05.01
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중앙대학교 전자회로설계실습 예비1. Op Amp를 이용한 다양한 Amplifier 설계 A+2025.01.271. Thevenin 등가회로 구현 센서의 Thevenin 등가회로를 구하는 과정을 기술하고 PSPICE로 그려서 제출하였습니다. Thevenin 등가회로를 구현하기 위해 무부하 상태에서 단자 사이의 전압을 측정하여 Vth를 구하고, 10kΩ 저항을 연결했을 때 전압이 줄어든 것을 이용하여 Rth를 계산하였습니다. 2. Inverting Amplifier 설계 및 시뮬레이션 주파수가 2kHz인 센서의 출력을 증폭하여 1Vpp의 출력을 내는 Inverting Amplifier를 설계하였습니다. 설계 과정과 회로, PSPICE 출력파형...2025.01.27
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중앙대학교 전자회로설계실습 예비7. Common Emitter Amplifier의 주파수 특성 A+2025.01.271. Common Emitter Amplifier의 주파수 특성 이 실습에서는 emitter 저항을 사용한 Common Emitter Amplifier의 주파수 특성을 분석하였습니다. Rsig = 50Ω, RL = 5kΩ, VCC = 12V인 경우, β = 100인 BJT를 사용하여 Rin이 kΩ 단위이고 amplifier gain(υo/υin)이 100 V/V인 증폭기를 설계하였습니다. 입력 신호로 100 kHz, 20 mVpp 사인파를 사용하였으며, PSPICE 시뮬레이션을 통해 회로의 전압, 전류 및 출력 파형을 분석하였습니다...2025.01.27
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