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연세대 23-2 기초아날로그실험 A+ 3주차 예비보고서2025.01.031. R/L/C 회로 이 실험에서는 R/L/C로 구성된 회로를 구현하고 Impedance의 phase 개념을 측정함으로써 Passive component(R,L,C)에 대한 기본적인 이해를 목표로 합니다. 각 소자의 조합에 따른 등가 회로의 이해와 Diode의 동작 원리 및 Application 적용도 다룹니다. 2. 저항기(Resistor) 저항기는 전류의 흐름을 제한하거나 조절하는 데 사용되며, 이때 전류의 흐름을 제한하는 정도를 나타내는 물리적인 속성을 Resistance라고 합니다. 옴의 법칙에 따르면 전압, 전류, 저항 간...2025.01.03
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중앙대 전전 전자회로설계실습 예비보고서 Feedback Amplifier2025.05.021. 피드백 증폭기 이 보고서의 목적은 피드백을 이용한 증폭기의 동작을 이해하는 것입니다. Series-Shunt 구조와 Series-Series 구조의 피드백 증폭기를 설계하고 실험하여 입출력 특성을 확인하는 것이 주요 내용입니다. 준비물로는 Function Generator, Oscilloscope, DC Power Supply, DMM, MOSFET, Op Amp, LED, 저항 등이 필요합니다. 설계 실습 계획서에는 Series-Shunt 피드백 회로 설계와 Series-Series 피드백 회로 설계 방법이 자세히 설명되어 ...2025.05.02
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전자회로(개정4판) - 생능출판, 김동식 지음 / 9장 연습문제 풀이2025.01.021. 증폭기의 주파수 응답 입력 회로, 출력 회로, 바이패스 회로의 임계주파수를 계산하고, 고주파 입력 회로와 고주파 출력 회로의 임계주파수를 구하였습니다. 또한 대역폭, 이득 대역폭 곱 등을 계산하였습니다. 2. 밀러 정리 밀러 정리를 적용하여 고주파 등가회로를 구현하고, 입력 커패시턴스를 계산하였습니다. 3. 전압이득과 전력이득 전압이득과 전력이득의 차이를 설명하고, 데시벨로 표현하는 방법을 제시하였습니다. 1. 증폭기의 주파수 응답 증폭기의 주파수 응답은 증폭기가 입력 신호의 주파수에 따라 어떻게 증폭하는지를 나타내는 중요한 ...2025.01.02
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A+ 연세대학교 기초아날로그실험 6주차 예비레포트2025.05.101. 센서의 이해 센서는 물체의 움직임, 물질의 양, 온도 등 물체의 특성을 감지하는 장치입니다. 이번 실험에서는 터치 센서와 힘 센서에 대해 알아봅니다. 터치 센서에는 저항식 터치 센서와 정전식 터치 센서가 있으며, 이번 실험에서는 TTP223B 정전식 터치 센서를 사용합니다. 힘 센서는 물리적인 압력을 전기 신호로 변환하여 인식하는 센서로, 이번 실험에서는 FSR402 힘 센서를 사용합니다. 센서의 작동 원리와 특성을 이해하고 실험을 통해 확인할 수 있습니다. 1. 센서의 이해 센서는 물리적 또는 화학적 변화를 감지하여 전기적 ...2025.05.10
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전자회로설계실습 2번 예비보고서2025.01.201. Op Amp의 특성 측정 Op Amp의 offset 전압과 slew rate를 측정하는 회로, 적분기를 설계, 구현, 측정, 평가한다. 이상적인 Op Amp를 가정할 경우 출력전압은 0V가 되지만 실제 Op Amp의 경우에는 Op Amp 내부에 Offset voltage가 존재하므로 출력전압이 0V가 아니다. Offset voltage를 측정하기 위해 이상적인 Op Amp를 사용하여 Inverting Amplifier를 설계하고, 두 입력 단자를 접지하여 출력전압을 측정하여 offset voltage를 구한다. Slew rat...2025.01.20
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공통 소오스 증폭기 실험 결과 보고서2025.01.021. 공통 소오스 증폭기 이번 실험에서는 공통 소오스 증폭기 회로를 구현하고 실험을 진행했습니다. 실험 과정에서 이상과 현실의 차이, 장비의 한계 등으로 인해 교재의 실험 절차와 다른 방식으로 실험을 진행했습니다. 입력 전압을 변화시키면서 출력 전압을 측정하여 전압 이득을 계산했고, 입출력 임피던스도 구했습니다. 실험 결과, 약 10.6배의 전압 이득이 발생했으며, 입출력 임피던스 계산 시 약 20%의 오차가 발생했습니다. 이는 AC 전압 인가 시 전류 측정의 어려움 때문인 것으로 보입니다. 또한 바이어스 회로를 포함한 공통 소오스...2025.01.02
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능동 부하가 있는 공통 소오스 증폭기2025.01.071. 공통 소오스 증폭기 공통 소오스 증폭기는 전자회로에서 널리 사용되는 증폭기 회로입니다. 이 실험에서는 능동 부하가 있는 공통 소오스 증폭기를 구현하고 분석합니다. 입력 전압 변화에 따른 출력 전압 특성, 전압 이득, 입력 저항 및 출력 저항 등을 측정하고 계산합니다. 또한 10kHz 정현파 입력에 대한 증폭기 성능을 확인합니다. 1. 공통 소오스 증폭기 공통 소오스 증폭기는 전자 회로 설계에서 매우 중요한 역할을 합니다. 이 증폭기는 두 개의 트랜지스터를 공통 소오스 구조로 연결하여 신호를 증폭하는 방식을 사용합니다. 이를 통...2025.01.07
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BJT 3-BJT Amplifier_예비레포트2025.01.121. BJT 증폭기 이 보고서는 BJT(Bipolar Junction Transistor) 증폭기의 작동 원리와 특성을 다룹니다. Common Emitter 회로에서 BJT의 전압 및 전류 관계를 설명하고, 이를 바탕으로 Small Signal Parameters와 Gain을 계산하는 방법을 제시합니다. 또한 실험을 통해 이론적 예측과 실제 측정 결과를 비교하여 BJT 증폭기의 동작을 확인합니다. 1. BJT 증폭기 BJT(Bipolar Junction Transistor) 증폭기는 전자 회로에서 널리 사용되는 중요한 회로 구성 요...2025.01.12
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교류및전자회로실험 실험8_공진회로 결과보고서2025.01.201. 공진 현상 실험을 통해 직렬 및 병렬 공진 현상을 확인하고, 이것이 임피던스의 주파수 특성에 미치는 영향을 살펴보았다. 주파수가 증가함에 따라 측정값과 예상값 사이의 오차가 증가하는 현상이 관찰되었는데, 이는 회로의 고주파 특성 저하 및 임피던스 변화로 인한 것으로 추정된다. 공진 주파수 근처에서는 커패시터 전압과 인덕터 전압의 상대적 크기가 변화하는 것이 확인되었고, 전원전압과 저항 전압 간의 위상 차이도 관찰되었다. 실험에서 측정된 공진도와 차단주파수는 예상값과 불일치하였는데, 이는 임피던스 변화와 장비 한계로 인한 것으로...2025.01.20
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[A+] 전자회로설계실습 4차 예비보고서2025.05.101. MOSFET 소자 특성 측정 이 보고서의 목적은 MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) 소자의 특성(문턱전압 VT, 전류계수 kn, 전압이득 gm)을 데이터시트를 이용하여 구하고, 회로를 설계 및 구현하여 전압 변화에 따른 전류를 측정하고 이를 통해 소자의 특성을 구하는 것입니다. 실험에 사용된 MOSFET은 2N7000 모델이며, 데이터시트 정보를 활용하여 VT와 kn을 계산하고, kn을 이용해 VOV=0.4V일 때의 gm 값을 구했습니다. 또한 OrCAD PS...2025.05.10
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